一、导【dǎo】语本文将为您揭示【shì】mos管（金属-氧【yǎng】化物-半导体场效应【yīng】晶体管）的【de】三【sān】个极：源【yuán】极、漏极和栅极，以【yǐ】及它们在电路图中的【de】重要角色。我们将探讨mos管的设【shè】计创新，如何【hé】通【tōng】过【guò】优化这【zhè】三个极的配置【zhì】，实现更高效、更【gèng】可靠【kào】的【de】电【diàn】子设备。二、mos管的三个极：源【yuán】极、漏极和栅极源极...
振邦微科技 2024-12-23 电路相关 214 ℃ 2 评论 查看详细
MOS管的三【sān】个极【jí】分别是什么？G（栅极【jí】），D（漏极）s（源【yuán】及），要求【qiú】栅极和源及之【zhī】间电压大于某【mǒu】一特定值，漏极和源【yuán】及才能导通【tōng】...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 96 ℃ 3 评论 查看详细
谁能帮我看看电路图上场效【xiào】应管的三【sān】个引【yǐn】脚分别是什么？很简【jiǎn】单的问题。场效应管与普通三孙漏侍极管功【gōng】能一样【yàng】，三个电极对应为：发【fā】射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管【guǎn】脚【jiǎo】排列为（管脚【jiǎo】朝下【xià】、面对型号）左【zuǒ】起1脚【jiǎo】为【wéi】G，2脚为D，3脚【jiǎo】为S。从门极向漏...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 224 ℃ 1 评论 查看详细