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mos管怎么测试好坏

用万能表检测mos管好坏的方法：

将【jiāng】万用表两个表笔分别搭【dā】接在其他两【liǎng】个【gè】极：给【gěi】B极与任意一个极【jí】接一个10千欧姆电阻，电阻先不要接上 ，把表【biǎo】笔分别放在两级
，电阻这时再接触【chù】，指针摆动越大【dà】证明【míng】该管拆兆败子放大【dà】系数就越大 ，也就是【shì】说【shuō】该【gāi】管子就越好
，反之【zhī】越差【chà】 。

接电阻的那一【yī】端为C极；若是红表【biǎo】笔为P管，黑【hēi】表【biǎo】笔旅颤为【wéi】N管
。凡是不符【fú】合【hé】以上测量数【shù】据的【de】三极管都是坏的【de】。

万用表的相关要求规定：

1 、指【zhǐ】针【zhēn】表读取精度【dù】较差 ，但指针摆动的【de】过程比【bǐ】较【jiào】直观，其摆动速度幅度有时也能比较客观【guān】地反映了被测量的大【dà】小【xiǎo】（比如测电视机数据总线【xiàn】(SDL)在传送数据时的轻微【wēi】抖【dǒu】动）；数字【zì】表读数直观
，但数【shù】字变化【huà】的过程看【kàn】起来很杂乱，不【bú】太容易观猜绝看 。

2
、数字万用表的准确度【dù】是测量结果中系【xì】统误差与随机误【wù】差的综合
。它表【biǎo】示测量【liàng】值【zhí】与真值的一致程度【dù】 ，也反映测量误差的【de】大小。一般讲准确度愈高
，测量误【wù】差就愈【yù】小【xiǎo】，反之亦然 。

3、指针表内一般有两块电池 ，一块【kuài】低电【diàn】压的1.5V,一块【kuài】是高【gāo】电压的9V或15V,其黑表笔相对红表笔来说是正端【duān】。数字【zì】表则【zé】常用【yòng】一块6V或9V的电池【chí】
。在电阻档
，指【zhǐ】针表的表笔输出电流相【xiàng】对数字表来说要大很多，用R×1Ω档可以【yǐ】使扬声器【qì】发出响亮的“哒【dā】”声 ，用R×10kΩ档【dàng】甚至可以【yǐ】点【diǎn】亮发光二极管。

MOS管的好坏如何判断

用万用表R×1k档或R×10k档
，测量场效应管任意【yì】两脚【jiǎo】之【zhī】间的【de】正 、反【fǎn】向电阻值 。正常时，除【chú】漏极与源极的正【zhèng】向电阻值较【jiào】小【xiǎo】外 ，其余各引脚之间【jiān】（G与D
、G与S）的正【zhèng】、反向电阻值均应为无穷大
。若测得某两极【jí】之【zhī】间的电阻值接【jiē】昌晌近0Ω
，则说明该管已【yǐ】击穿损坏。

另外【wài】，还可以用触发栅极（P沟桥【qiáo】好道【dào】场效应【yīng】晶【jīng】敏迅铅体管【guǎn】用红表笔触发 ，N沟道【dào】场效应管用黑【hēi】表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏 。若触发【fā】有【yǒu】效（触发栅【shān】极G后，D 、S极之【zhī】间的正、反向电阻【zǔ】均【jun1】变为0）
，则【zé】可确定该管性能良好
。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏【huài】及引【yǐn】脚的方法：以N沟道【dào】MOS场效应【yīng】管为例。

一
、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1 、首先找出场效应管的D极（漏极） 。对于TO-252
、TO-220这类封【fēng】装的带有散热片【piàn】的【de】场效应管【guǎn】 ，它们的散【sàn】热片在内部【bù】是与管子的【de】D极相连【lián】的
，故【gù】我们可用数字万用表【biǎo】的二极【jí】管档测量管子的各个引【yǐn】脚，哪个引脚与【yǔ】散热片相连 ，哪个引脚就是D极
。

2、找到D极后
，将万用表调至二极管档；

3 、用黑【hēi】表笔接触管【guǎn】子的D极【jí】，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若【ruò】接触【chù】到某个引脚时 ，万用表显示的读【dú】数为【wéi】一个硅二极管的【de】正【zhèng】向压【yā】降【jiàng】
，那么该引脚即为S极（源极），剩下的【de】那个引脚【jiǎo】即为G极【jí】（栅极） 。

二
、MOS管好坏的测量：

1、当把红表笔【bǐ】放在S极上 ，黑表笔【bǐ】放在D极上【shàng】
，可以测出【chū】来这个导通【tōng】压降，一【yī】般【bān】在0.5V左右为【wéi】正常；

2 、G脚测量 ，需要【yào】先【xiān】对G极充下电，把红表【biǎo】笔放在G极【jí】
，黑表笔放在S极；

3
、再次【cì】把红表档行纯【chún】笔放【fàng】在S极上【shàng】，黑表笔【bǐ】放在【zài】D极上 ，可以测出来这【zhè】个放大【dà】压降
，一般在0.3V左右为【wéi】正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启【qǐ】电压【yā】（又称阈值【zhí】电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道【dào】所需【xū】的栅极【jí】电压【yā】；

标准的【de】N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工【gōng】艺上【shàng】的改进 ，可以使【shǐ】MOS管的VT值降到2～3V
。

2 、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超过1010Ω。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在VAH =0（增强【qiáng】型）的条件下【xià】
，在增加漏源电压过【guò】程中使ID开【kāi】始剧增时的【de】VDS称为【wéi】漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些【xiē】MOS管中，其沟道长度较短 ，不断增加VDS会使漏区【qū】的耗尽【jìn】层一直扩展到源【yuán】区【qū】
，使沟道长度【dù】为零，即产生漏源间的【de】穿通 ，穿【chuān】通后
，源区中的多数载流子，将直接【jiē】受耗【hào】尽层电场【chǎng】的【de】吸【xī】引 ，到达漏区【qū】，产生大的ID 。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源电压【yā】过程【chéng】中
，使【shǐ】栅【shān】极电流IG由零开【kāi】始【shǐ】剧增时的VAH ，称为栅源击【jī】穿电压BVAH 。

5 、低频跨导gm

在【zài】VDS为某一固定数值的条件【jiàn】下 ，漏极电流的微变量和引【yǐn】起【qǐ】这个【gè】变化【huà】的栅【shān】源电压微【wēi】变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电行咐压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导【dǎo】通电阻【zǔ】RON说明带姿了VDS对ID的影响，是【shì】漏极【jí】特性某一【yī】点切线的斜【xié】率【lǜ】的倒数

在饱【bǎo】和区 ，ID几【jǐ】乎不随VDS改变
，RON的数【shù】值【zhí】很大，一般在几【jǐ】十千欧到几百千【qiān】欧之间【jiān】

由于在数字【zì】电路【lù】中 ，MOS管导通时经常【cháng】工【gōng】作在VDS=0的状态下【xià】
，所【suǒ】以这【zhè】时的导通电阻RON可用原【yuán】点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7
、极间电容

三个【gè】电极之间【jiān】都存在着极【jí】间电容：栅源电【diàn】容CAH 、栅【shān】漏电容CGD和漏【lòu】源电容CDS

CAH 和【hé】CGD约为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间【jiān】

8 、低频噪声系数NF

噪声【shēng】是由【yóu】管子内部载流子运动的不规则性所引起的
。·由于【yú】它的存在
，就【jiù】使一个放大器即便在没有【yǒu】信号输人【rén】时，在输【shū】出端也出【chū】现不【bú】规则【zé】的电压【yā】或电流变化【huà】

噪声【shēng】性【xìng】能的大小通常【cháng】用噪声系数NF来表示 ，它的单位【wèi】为【wéi】分贝（dB）。这个数值【zhí】越小，代表管子所产生【shēng】的噪【zào】声越小【xiǎo】

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪【zào】声系数约为【wéi】几个【gè】分【fèn】贝
，它【tā】比双极性三极管的要小【xiǎo】

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