AH8691-24v转【zhuǎn】8.4v800AM芯片_电【diàn】源芯片8a00 替换8a01

3.3V升5V （AH6901）切换市场6291升压芯片

振邦微科技新推出【chū】岩神【shén】正【zhèng】一款3.3V升5V （AH6901）切换【huàn】市场6291升压芯片，AH6901是一款小封【fēng】装（SOT23-6） 、CC(恒流)模式的AH M升压ic,适用于锂电池（3～4.2V）输出5V 1A的【de】移动电【diàn】源应用 。AH6901输【shū】入电压【yā】范围可由最低【dī】2.7伏特到最高【gāo】12伏特【tè】 ，输出电压3.3升5V可调整且内部MOS输【shū】出开关电【diàn】流可高达2A,封装为SOT23-6,工作频率为1MHZ,可【kě】以搭配3.3uh小型贴片【piàn】电感【gǎn】
，减【jiǎn】少成品【pǐn】体积，非常适合【hé】于数瞎此【cǐ】码便【biàn】携产品电池【chí】供【gòng】电 ，3G网络粗悔产品【pǐn】，数码相机
，LCD液晶屏背【bèi】光【guāng】电路，太阳能照明【míng】路灯 ，网络通【tōng】讯等【děng】产品的电压【yā】转【zhuǎn】换
。

        AH6901内置过温【wēn】保护
，关断保护，欠压保护【hù】 ，过流保护【hù】
，并可以外【wài】接【jiē】电阻调【diào】整最大【dà】电流【liú】值。

3.3V升【shēng】5V （AH6901）切换市场6291升压【yā】芯片应用于【yú】：数码相机，移动电源, 蓝牙音箱 ，插卡音【yīn】箱
、LED台灯
，便捷DVD，MID ，移【yí】动电【diàn】话等数码产品【pǐn】应用 。

AH6901典型应用

应用    电流    转换效率

3V升5      1A      86%

5v升7.4v  400MA    92%

5V升12v    200MA    90%

Am29LV800D-----这个flash.如何【hé】接成16位，和【hé】8位？？求助

（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与【yǔ】 Am29LV800D 的地址线【xiàn】 A0-18 依次武汉【hàn】理工大学硕【shuò】士【shì】学位论文【wén】

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相连。由于【yú】 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式 ，即 NOR Flash 的最小【xiǎo】

存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单【dān】位为 1 字节
，因【yīn】此【cǐ】需要将【jiāng】地址线的【de】

第二【èr】位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯【xīn】片相连
。

（2）16位数【shù】据【jù】线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途 ，如哗没【méi】厅果NOR Flash

芯片选择的是【shì】 1024K×8Bit 存储方式
，该端口将作【zuò】为最低位的地【dì】址线【xiàn】，而本文【wén】选

择的是 512K×16Bit 存储【chǔ】方式 ，因此【cǐ】该端口用作数据线的【de】最高位 DQ15 。

（3）CE 是片选【xuǎn】信号
，由于 NOR Flash 连【lián】接到 BANK0，因此需【xū】要用到 BANK0

的【de】片选信号 nGAH 0
。读使能【néng】 OE ，写使能 WE 与 S3C2440 对【duì】应引脚相连。

（4）RY/BY 表【biǎo】示 NOR Flash 是就绪还【hái】是繁忙的状态信息
，此处没【méi】有使用，

所以悬空【kōng】 。RESET 低电【diàn】平有效 ，与电路的【de】复位模块相连
。

（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读【dú】写方式【shì】的选择
，高电平对应 16bit 模式【shì】，低

电平对应 8bit 模式。本文使用【yòng】的是 16bit 模式 ，因此【cǐ】直【zhí】接【jiē】接 VDD 。

（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方【fāng】式的选【xuǎn】择
。当 OM0=1
，OM1=0 芯片【piàn】置

为 16bit 方式，并【bìng】且将 NOR Flash 芯片【piàn】映射到 BANK0 地址【zhǐ】 0x0 处。S3C2440 只

有【yǒu】 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式 ，因此【cǐ】前面的 Am29LV800D 只

能使【shǐ】用 16bit 读写方【fāng】式
，而不能使【shǐ】用 8bit 模式 。

NOR Flash 的读写方式【shì】基本【běn】与内存一样【yàng】，可以直接在其【qí】地址范围【wéi】内进【jìn】行读写
。

因此将启动【dòng】程序【xù】拷贝到乱隐 NOR Flash 里【lǐ】面 ，上电后【hòu】便可【kě】以直接【jiē】运行。但 NOR Flash

价格【gé】昂贵
，而【ér】且【qiě】 1M 容量也显【xiǎn】不足，因【yīn】此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片

作为补充 。

2.4.2 NAND Flash 存储器电路设计

相对【duì】于 NOR Flash 的昂贵 ，NAND Flash 则【zé】要便宜很【hěn】多
，因此更适合作【zuò】为较【jiào】

大容量的存储【chǔ】介质使【shǐ】用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技【jì】术（后将该【gāi】技

术无【wú】偿转让给【gěi】韩国三星公司），NAND Flash 技术【shù】强调降低每【měi】比特的成本 ，更【gèng】高

的性能【néng】
，并且像磁盘一样可以通过【guò】接口轻松升【shēng】级
。NAND Flash 结构【gòu】能【néng】提供极高

的单元【yuán】密度，可以达到【dào】高存储密度 ，并且【qiě】写入和【hé】擦【cā】除的速度也很快。其缺点在

于需要特殊的系统【tǒng】接口，并【bìng】且【qiě】 CPU 需要驱动程序【xù】才能从 NAND Flash 中【zhōng】读取数【shù】

据
，使【shǐ】用时【shí】一般【bān】是将数【shù】据从 NAND Flash 中【zhōng】拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序

执行【háng】 ，这【zhè】也是大多数嵌入式【shì】系统不能从 NAND Flash 中启动的原因【yīn】 。

S3C2440 不【bú】仅支持【chí】从 NOR Flash 启【qǐ】动
，而且支【zhī】持从 NAND Flash 启动
。这是武汉理工大学【xué】硕士学位论文【wén】

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因为从【cóng】 NAND Flash 启动的【de】时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动【dòng】地复【fù】

制到芯片内部一个【gè】叫“Steppingstone ”的 RAM 中 ，并把【bǎ】 0x0 设【shè】置为内部 RAM

的起始【shǐ】地址
，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置【zhì】开【kāi】始执行【háng】。这个过程【chéng】不需【xū】要程

序干涉 。而程【chéng】序则可使用这 4k 代码【mǎ】来【lái】把更【gèng】多数据【jù】从 NAND Flash 中拷贝到

SDRAM 中【zhōng】去，从而实现【xiàn】从 NAND Flash 启【qǐ】动
。

选择【zé】是从 NOR Flash 启动 ，还【hái】是 NAND Flash 启【qǐ】动
，需要对 OM0 和 OM1

引【yǐn】脚进行不同【tóng】的设置，如果常常需要切换启动模【mó】式 ，可以将这两个【gè】引【yǐn】脚【jiǎo】接【jiē】到跳

线柱上
，通过跳线夹对其进行设置。

本文选【xuǎn】用的是三星【xīng】公司【sī】出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片【piàn】察滚，该【gāi】芯片容量

为【wéi】 64M×8bit 。由于【yú】 S3C2440 已【yǐ】经内置了【le】 NAND Flash 控制器 ，因此电路设计十

分简单，不需要再外加控制芯片
。电路图如图 2－4 所示。

图 2－4 NAND Flash 电路图

电路图说明：

（1）由于 NAND Flash 芯片【piàn】是以字节为单位【wèi】存储的
，因此的【de】数据线 I/O0-7

直【zhí】接【jiē】与 S3C2440 的数据【jù】线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏【piān】移一位进

行相【xiàng】连 。I/O0-7 是充当地址 ，命【mìng】令
，数据复用的端口【kǒu】
。

（2）ALE 地址锁【suǒ】存允【yǔn】许，CLE 命【mìng】令锁存【cún】允【yǔn】许 ，CE 片【piàn】选
，WE 写使能，RE

读使能依次【cì】与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE ，CLE
，nFCE，nFWE ，

nFRE 相连。

（3）WP 写保护
，这里没有用【yòng】到【dào】，直【zhí】接接到【dào】高电平使其【qí】无效【xiào】 。VCC 与电源

相连【lián】 ，VSS 与地相连。武汉理工大学【xué】硕【shuò】士学位论文

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（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时【shí】
，S3C2440 将【jiāng】会【huì】从 NAND Flash 中启动【dòng】，

内【nèi】部 RAM“Steppingstone
”将会【huì】被映射到 0x0 位置 ，取【qǔ】代【dài】本来在这【zhè】个位置的 NOR

Flash
。上电时 NAND Flash 中【zhōng】的前 4K 数据会【huì】被【bèi】自动拷贝到“Steppingstone”中【zhōng】
，

从而实现从 NAND Flash 启动。

（5）NCON、GPG15 接地；GPG13 、14 接电【diàn】源 。这四个【gè】引脚用【yòng】来对 NAND

Flash 进行设置
。以【yǐ】上设置表【biǎo】示使用【yòng】的 Flash 是普通【tōng】 NAND Flash，一页的大小为

512 字 节  ， 需 要 进 行【háng】 4 个 周 期 的【de】 地 址 传 输【shū】 完 成 一【yī】 次 寻 址 操【cāo】 作 （ 这 是 因 为

K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址【zhǐ】方【fāng】式【shì】
，从第【dì】 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进

行传【chuán】送），数据【jù】位【wèi】宽为 8bit。不同的芯片有【yǒu】不同的设置方式 ，以上是 K9F1208U0B

的设置方式【shì】
，其它芯【xīn】片的【de】设置方法需要参考 S3C2440 和【hé】具体使用【yòng】的 NAND Flash

芯片的数据手册 。

NAND Flash 不对应任【rèn】何 BANK，因此不【bú】能对【duì】 NAND Flash 进行总线操作 ，

也就无【wú】法像 NOR Flash 和【hé】 SDRAM 一样通【tōng】过地址直接进行访问【wèn】
。对 NAND Flash

存【cún】储芯【xīn】片【piàn】进行操作
，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器【qì】才【cái】能完成。

NAND Flash 的写操作必须以块【kuài】方【fāng】式进行【háng】，读【dú】操作可以按字节读取 。

对 K9F1208U0B 的操作是【shì】通过向命令寄存器【qì】（对于【yú】 S3C2440 来说【shuō】此寄【jì】存器

为【wéi】 NFCMMD ，内存映【yìng】射地址为 0x4e000004）发送命令【lìng】队列实现的【de】，命令队列一【yī】

般是【shì】连【lián】续几条命令或是一条命令【lìng】加【jiā】几个参数
，具体的【de】命【mìng】令可以参考 K9F1208U0B

的【de】数据【jù】手册
。地址寄存器把一个完整【zhěng】的 NAND Flash 地址【zhǐ】分解成 Column Address

与 Page Address 进行寻址。Column Address 是【shì】列地址【zhǐ】，用来指【zhǐ】定 Page 上的【de】具体

某个字节【jiē】 。Page Address 是页地址 ，用【yòng】来确定读【dú】写【xiě】操【cāo】作是在 Flash 上的哪个【gè】页进

行的
，由【yóu】于页地【dì】址总是以【yǐ】 512 字节对齐的，所【suǒ】以它的低【dī】 9 位总是 0
。

一个【gè】 26 位地【dì】址中的 A0~A7 是它的列地址 ，A9~A25 是它【tā】的页【yè】地址【zhǐ】。当发送

完【wán】命令后（例如【rú】读命令 00h 或 01h）
，地址将分 4 个周期发送 。第【dì】一个周期【qī】是发

送列地址。之后 3 个【gè】周【zhōu】期则是指定页地址
。当发【fā】送完地【dì】址后，就【jiù】可以通过数据【jù】

寄存【cún】器对 NAND Flash 进行【háng】数据的读写【xiě】。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控【kòng】制

器的大致【zhì】操作流程【chéng】 ，具体操作方式【shì】需要参考数【shù】据手册 。

2.4.3 SDRAM 存储器电路设计

从 Flash 中【zhōng】读取数据【jù】的【de】速度相对较【jiào】慢
，而 S3C2440 运行的速【sù】度却【què】很快，其执

行指令的速【sù】度远高【gāo】于【yú】从 Flash 中【zhōng】读取指令【lìng】的速度
。如果仅按照数【shù】据从 Flash 读取 ，武汉理工大学硕【shuò】士学位论文【wén】

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然后再到芯片处理【lǐ】的方式设计系统
，那【nà】么即使【shǐ】芯【xīn】片的运【yùn】算能力再强，在没【méi】有指

令执【zhí】行【háng】的情况下【xià】 ，它也只能等待。因此系【xì】统中还需要【yào】加入 SDRAM 。

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随【suí】机【jī】

存取存储器，同步【bù】是指工作时需要同步时钟
，内部命令的发送与【yǔ】数据的【de】传输【shū】都

以它为基准【zhǔn】，动态是指存储阵列需【xū】要不【bú】断的刷新【xīn】来保证【zhèng】数据不丢【diū】失 ，随机是【shì】指

数【shù】据不是【shì】线【xiàn】性依次存储
，而是由指定地址进行【háng】数据读写【xiě】
。

SDRAM 是【shì】与【yǔ】系统时钟同【tóng】步工作的动态存储器，它具有【yǒu】数据吞吐量【liàng】大【dà】 ，速度

快
，价格【gé】便宜等特点。SDRAM 在系【xì】统中的主要作用【yòng】是【shì】作为程序代码的运行空【kōng】间【jiān】 。

当【dāng】系【xì】统启动【dòng】时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码 ，在完成系统的初【chū】始化【huà】后
，

将【jiāng】程序代【dài】码调【diào】入 SDRAM 中运行，以提高系统【tǒng】的运行速度【dù】
。同时 ，系统和用户

堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。

由于【yú】 SDRAM 自身结构【gòu】的特点
，它【tā】需要定时刷新，这就要【yào】求硬件电路要【yào】有

定时【shí】刷新【xīn】的【de】功能 ，S3C2440 芯片在片【piàn】内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以【yǐ】

很方便的与 SDRAM 连接
，使系【xì】统得【dé】以稳【wěn】定的运行 。

本设【shè】计【jì】使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M

×l6bit ，每个 Bank 为 8M 字节
，总共大小为【wéi】 32M
。本系统【tǒng】通过两片 HY57V561620

构【gòu】建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入【rù】式操作系统【tǒng】及【jí】较【jiào】复杂算法的

运行要求。电路图如图 2－5 所示 。

图 2－5 SDRAM 电路图

电路图说明：

（1）本系统使用两【liǎng】块 HY57V561620 芯片组【zǔ】成容【róng】量【liàng】 64M 的 SDRAM。两片

SDRAM 都是以 2 字【zì】节【jiē】为单位进【jìn】行存储 ，因此一次存储的【de】最小容量为 4 字节【jiē】
。将

一【yī】块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的【de】数【shù】据线低位 DATA0-DATA15 相连
，武汉理工大学硕【shuò】士学【xué】位论文

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而另一块则【zé】与数据线的高【gāo】位 DATA16-DATA31 相连。

（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地【dì】址【zhǐ】线 ADDR2-ADDR14 依次

相连 。SDRAM 的内【nèi】部是一个存储阵【zhèn】列，阵列就【jiù】如同表【biǎo】格一样 ，将数据“填【tián】 ”进【jìn】去
，

和【hé】表格的检索【suǒ】原理【lǐ】一样，先指【zhǐ】定【dìng】一个行（Row） ，再指定一个列（Column）
，就【jiù】

可【kě】以准确地找到所【suǒ】需要的单【dān】元格，这就是内存芯【xīn】片寻址的基本【běn】原【yuán】理
。正因为如

此  ， 地 址 是 通 过 将 存【cún】 储 单 元 的【de】 列【liè】 地【dì】 址 和 行【háng】 地 址 分 开 进 行 传 送【sòng】 的 ， 因 此

HY57V561620 只用了 13 根地址线便完【wán】成了【le】一个 BANK（8M 大小）的寻址。否

则按照正常情况 8M 大小的【de】地址空间
，按【àn】照字节【jiē】传【chuán】输，需【xū】要用到 24 根地址线 。

由于本【běn】系统【tǒng】由两块 16bit 的芯片组成【chéng】 ，一次最小【xiǎo】的存【cún】储单位为 4 字【zì】节
，也就是【shì】说

寻址的间隔应该为 4（2

2

）字【zì】节【jiē】
。ADDR0 的间【jiān】隔对应为 1 字【zì】节，ADDR1 为 2 字

节 ，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从【cóng】 ADDR2 开【kāi】始【shǐ】连接
，从而达

到一次寻址的间隔为 4 字节的目的 。

（3）HY57V561620由 4个BANK组【zǔ】成【chéng】，每个BANK大小为【wéi】8M（4M×16bit）
。

因此在不同的 BANK 之【zhī】间【jiān】也【yě】需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=2

23

 ，因

此对间隔为【wéi】 8M 的【de】 BANK 空【kōng】间寻【xún】址【zhǐ】
，需要使用从 ADDR24 开始【shǐ】的两根地址线 。

所【suǒ】以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24 ，ADDR25
。

（4）LDQM
，UDQM 为数据【jù】输入输出屏【píng】蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控【kòng】制器

使用 ，这里连接【jiē】到低位数据【jù】线【xiàn】的芯片连接到【dào】 DQM0，DQM1；而【ér】连接到高位数据

线【xiàn】的【de】芯片连接到 DQM2
，DQM3。具体连接方法可以【yǐ】查看【kàn】 S3C2440 的数据手册【cè】 。

（5）片选信【xìn】号 AH 连【lián】接到 SDRAM 的【de】片选信号 nSAH 0，两【liǎng】块芯片【piàn】对应同一

片【piàn】选信【xìn】号。这是因为两块芯【xīn】片是按照高位 ，低位的方式连接的【de】
，他【tā】们处于同一

地址空间
。

（6）RAS 行地址选通【tōng】信号【hào】，CAS 列地【dì】址选通信号【hào】 ，WE 写使能【néng】
，分别与

S3C2440 相【xiàng】应的控【kòng】制【zhì】引脚【jiǎo】 nSRAS
、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE

时钟使能信【xìn】号分别【bié】连接到 SCKE 、SCLK 。

使用程序读【dú】写【xiě】 SDRAM 前 ，需要初【chū】始化 SDRAM
，对一些配置寄存【cún】器进行设

置
。这里只使用【yòng】了 BANK6，并【bìng】未用到 BANK7。

初始化的代码大致如下：

void memsetup(void)

{

rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士【shì】学位论【lùn】文

15

rBANKCON0 = 0x700;

rBANKCON1 = 0x700;

rBANKCON2 = 0x700;

rBANKCON3 = 0x700;

rBANKCON4 = 0x700;

rBANKCON5 = 0x700;

rBANKCON6 = 0x18005;

rBANKCON7 = 0x18005;

rREFRESH = 0x8e07a3;

rBANKSIZE = 0xb2;

rMRSRB6 = 0x30;

rMRSRB7 = 0x30;

}

BWSCON 寄存器【qì】这【zhè】里主要【yào】用来设【shè】置位宽 ，其中每【měi】 4 位描述一个 BANK
，对

于本系【xì】统，使用的【de】是【shì】两片【piàn】容量为 32Mbyte
、位【wèi】宽为【wéi】 16 的 SDRAM ，组成了容量

为【wéi】 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要【yào】将 BANK6 设置为【wéi】 32 位 。BANKCON0-5

没有用【yòng】到
，使用默认值 0x700 即可
。BANKCON6-7 是【shì】用来设【shè】置 SDRAM，设成

0x18005 意味着【zhe】外接的是 SDRAM ，且列地【dì】址位数【shù】为【wéi】 9。REFRESH 寄存器用于设

置【zhì】SDRAM的刷【shuā】新周期
，查阅HY57V561620数据手册即可【kě】知道刷新周期【qī】的【de】取值 。

BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大【dà】小【xiǎo】
。BANK6 、BANK7 对【duì】应的地址空间

与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地【dì】址空间大【dà】小都【dōu】是固定的 128M，BANK7 的起

始地址是可变的 ，本系统仅【jǐn】使用【yòng】 BANK6 的 64M 空间【jiān】
，因此可【kě】以令该寄存【cún】器【qì】的

位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的【de】空间【jiān】会被检【jiǎn】测出来【lái】 ，

不会发生使用不存在内存的情况【kuàng】
，因为Bootloader和Linux内核都会作内【nèi】存检测【cè】 。

2.4.4 触摸屏电路设计

使用【yòng】触摸【mō】屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指【zhǐ】或【huò】其它物体【tǐ】触

摸安装在显示器【qì】前端的触摸屏【píng】 ，将【jiāng】所触摸的位【wèi】置（以坐标形【xíng】式【shì】）由触摸屏控制

器检测
，并【bìng】通过接口【kǒu】送到【dào】 CPU，从而确定输【shū】入【rù】的相应信【xìn】息
。触摸屏【píng】通过一定的

物理【lǐ】机【jī】制 ，使【shǐ】用户直【zhí】接在加载触摸屏的显示器上，通【tōng】过触摸控【kòng】制方式而非传统

的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]

。武汉理工大学硕士学位论文

16

根据【jù】其技术原理
，触【chù】摸屏可分为矢量压【yā】力【lì】传感式
、电阻【zǔ】式、电容式 、红外【wài】

式和表【biǎo】面【miàn】声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统【tǒng】中用的【de】较多 。电【diàn】阻【zǔ】触【chù】

摸屏是【shì】一个多层的复合膜【mó】 ，由一【yī】层玻璃或有机玻璃【lí】作为【wéi】基层
，表面涂有一层透

明的导电层【céng】，上面盖【gài】有【yǒu】一层塑料层 ，它的【de】内表面也【yě】涂有一层透明的【de】导电层
，在

两层导【dǎo】电【diàn】层之间有许多细小的【de】透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常【cháng】用 ITO

（Indium Tin Oxide 氧化【huà】锡）作为【wéi】导电层
。电阻【zǔ】式触摸屏根据信【xìn】号线数又分为四【sì】

线【xiàn】
、五【wǔ】线【xiàn】、六线……等类型。信号线数量【liàng】越多，技术越【yuè】复杂 ，坐标定位【wèi】也越精

确 。所有电【diàn】阻【zǔ】式触摸屏的基本【běn】原【yuán】理都是类似的
，当触摸屏幕时【shí】，平常【cháng】绝【jué】缘的两

层【céng】导电层在触摸【mō】点【diǎn】位置【zhì】就有了一个接触 ，控制器检测到这【zhè】个【gè】接通后
，由于其中【zhōng】

一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另【lìng】一导电层将接触点的电压【yā】引【yǐn】至【zhì】控【kòng】制

电路进行 A/D 转换 ，得到【dào】电压值后与【yǔ】 5V 相【xiàng】比，即可得触【chù】摸【mō】点的【de】 Y 轴坐标
，同

理得出 X 轴的坐标[15]


。本文使用是四线电阻式触摸屏。

S3C2440 提【tí】供 8 路 A/D 模拟【nǐ】输入，其中有 4 路是与【yǔ】触摸屏复用的 ，如果 XP 、

XM
、YP、YM 这 4 根引脚不用【yòng】做触摸【mō】屏输入的时【shí】候可以【yǐ】作为普通的 A/D 转换使【shǐ】

用 。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：

（1）正【zhèng】常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式【shì】相似【sì】
。此模【mó】式可【kě】在

ADCCON（ADC 控制寄存器）中【zhōng】设置
，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中【zhōng】完成

数据读写。

（2）X/Y 坐标【biāo】各自转【zhuǎn】换：触摸屏控制器支持【chí】两种转换模式，X/Y 坐标各【gè】自

转换与 X/Y 坐标自动转换 。各自转换是在【zài】 X 模【mó】式下 ，将 X 坐【zuò】标【biāo】写入 ADCDAT0

然后产【chǎn】生中断【duàn】；在 Y 模式下
，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然【rán】后产生中断
。

（3）X/Y 坐【zuò】标自动转换：在此模式下【xià】，触摸屏控制【zhì】器先【xiān】后【hòu】转换触摸【mō】点的 X

坐标与【yǔ】 Y 坐标【biāo】。当 X 坐标与【yǔ】 Y 坐标都转换完成时 ，会向【xiàng】中断控【kòng】制器产【chǎn】生中断 。

（4）等待中【zhōng】断模式：当触摸笔按下时
，触摸【mō】屏产生中断（INT_TC）
。等待【dài】

中断模式必须将寄【jì】存【cún】器 rADCTSC 设置【zhì】为 0xd3；在触摸屏控制【zhì】器产生中断以后，

必须将此模式清除。

本设计采用的触摸屏【píng】是【shì】由广【guǎng】州友善之臂【bì】公司提供的 ，并且【qiě】已经【jīng】加在 LCD 屏

AA084VC03 之上
，与 LCD 一起提供了一【yī】个对外接口 。AA084VC03 是日【rì】本【běn】三菱

公司【sī】的 8.4 寸 TFT-LCD，分【fèn】辨率【lǜ】为 640x480 ，262K 色。本款触摸屏为四线电阻

式【shì】触摸屏，使用 S3C2440 的触【chù】摸屏控制单【dān】元可以大大简【jiǎn】化电路设【shè】计
。具体电路

图见下一小节【jiē】中的【de】图 2－6。AM29LV800D

看看对你有没有用

24v800ah等于多少度电

24v800ah等于19.2度电 。

24*800=19200W
，1度【dù】电＝圆槐【huái】1000W/小【xiǎo】时，19200W ，相当于19.2度电
，铅【qiān】蓄【xù】电池【chí】能反复充电 、放【fàng】电，它AH8691-24v转8.4v800AM芯片的单体电压【yā】是2V ，电池是由【yóu】一个或多个单体构成的【de】电池组【zǔ】
，简称谨山蓄电池，最【zuì】常见的是6V ，其它还有【yǒu】2V、4V
、8V、24V蓄【xù】电【diàn】池
。

电功和电功率的区别：

1 、性质不同
，电能可以转化成多种其AH8691-24v转8.4v800AM芯片他形式【shì】的能【néng】量，电功率是用来【lái】表示消耗电能的快慢的【de】物理量。

2
、计算【suàn】公式不同 ，计算电功率可以【yǐ】用公式P=I^2*R和P=U^2 /R
，电【diàn】功则是当电路两【liǎng】端电压为U，橘晌【shǎng】友电路中的电【diàn】流为I ，通【tōng】电时【shí】间为t时，电【diàn】功W为：W=UIt 。

3、单【dān】位不同
，焦耳和瓦特分【fèn】别是电功【gōng】 、电功率的单【dān】位
。

4
、电【diàn】功【gōng】是电流所做【zuò】的功，即有多少电【diàn】能转化成其AH8691-24v转8.4v800AM芯片他形式的能 ，电流就做【zuò】了多少【shǎo】功单【dān】位是焦耳
，用W表示。

以上内容参考：百度百科-电功率

以上内容参考：百度百科-电功

am8272是什么芯片

AM8272是主控芯片 。

搭载AM8272主控芯片AH8691-24v转8.4v800AM芯片，稳定信唯空肢号低延迟AH8691-24v转8.4v800AM芯片 ，指【zhǐ】世不管【guǎn】看科亏袭幻大【dà】片【piàn】、玩游戏 、分屏操作AH8691-24v转8.4v800AM芯片
，画面依然流畅
。

指纹芯片模组里的ah是什么意思

1
、以AH8669为液梁【liáng】含渣罩例，它是一【yī】颗【kē】低成本的非隔【gé】离开关高性【xìng】能【néng】交流转【zhuǎn】直流的转换器降压芯片。

2、内部集成650V高耐压【yā】功率【lǜ】MO死FET额【é】定700MA电【diàn】流输【shū】出 ，非常适应于消费类电【diàn】子
，智能小家【jiā】电闹笑控制模【mó】块以及【jí】给MCU供电和智能插座的家用【yòng】电器【qì】上【shàng】，目前LED应急灯上也广泛【fàn】应用中 。

3 、交【jiāo】流【liú】220转【zhuǎn】12V ，交流转【zhuǎn】12V外围元件少
，电路简单，交流220转【zhuǎn】12V ，交流【liú】转12V内部集成软启动【dòng】电路具【jù】有多功能保护【hù】有【yǒu】过载保【bǎo】护【hù】
、过压保护、过热保护 、还具【jù】备了自恢复功能AH8669在【zài】能源中达到了六级能效的【de】高要求
。

关于AH8691-24v转8.4v800AM芯片和电源芯片8a00 替换8a01的【de】介绍到此就结束【shù】了，不知道【dào】你从中找到【dào】你需要的信息了吗 ？如果你【nǐ】还想了解更多这方面的信【xìn】息
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