mos场效应管开关电路_mos管场效应管

MOS开关电路

MOS开关电路图电路图如下：

AOD448是30V 75a的管子，是【shì】用【yòng】4.5V驱动的 ，偏【piān】高了点【diǎn】。

可以【yǐ】用AOD442
，AO3416等【děng】管子，电压用2.5V就能驱动 。当【dāng】电压为2.5V时 ，只【zhī】有26豪欧【ōu】
。电流2到3安没【méi】问题。

也可以用【yòng】IRF540N
，1A条件下一【yī】点问【wèn】题都没【méi】有，当【dāng】时做【zuò】精【jīng】密恒流【liú】源 ，可以控【kòng】制到精度【dù】1mA 。不过散热很【hěn】重要，要有足够大的散热片和小风扇
。电压有个3-5V就足【zú】够了。高电平【píng】驱动（其实【shí】就【jiù】相当于PWM） 。

扩展资料：

mos管开关电路：

1 、P沟道MOS管开关电路

PMOS的特性
，Vgs小于一定的值就会导通，适【shì】合用于源极接VCC时的情【qíng】况（高端【duān】驱动）。需要注意的是 ，Vgs指【zhǐ】的是栅极G与源极S的电压【yā】
，即【jí】栅极低于电源一定电压就导通【tōng】，而非相对于地的电【diàn】压
。但是【shì】因为PMOS导【dǎo】通【tōng】内阻比较【jiào】大 ，所以只【zhī】适【shì】用低功率的情况。大【dà】功率仍然【rán】使用N沟道MOS管 。

2
、N沟道mos管开关电路

NMOS的特性
，Vgs大于一定的值就会导【dǎo】通，适合用【yòng】于源极接地时的情况（低端【duān】驱【qū】动【dòng】） ，只要栅极电压大于参数手册中【zhōng】给【gěi】定的Vgs就可以了【le】
，漏极D接电源，源极【jí】S接【jiē】地
。需要注意【yì】的是Vgs指【zhǐ】的是栅极G与源极S的【de】压差 ，所以当NMOS作为高端驱动时候
，当漏极D与源【yuán】极S导通时，漏极D与源极S电【diàn】势相等 ，那【nà】么栅极【jí】G必须高【gāo】于源极【jí】S与【yǔ】漏极D电压，漏极D与源极S才能【néng】继续导【dǎo】通。

参考资料来源：百度百科-Mos开关电路

请教：MOS管做电子开关电路

从图标出VBAT、VBAT OUT看mos场效应管开关电路
，你的整个电路都错了mos场效应管开关电路：

1 、P型场效应管应从S极输入
、D极输出mos场效应管开关电路，你把输入和输出弄反了 。

2、那个R23 ，应【yīng】接在S 、G之间
，而不是接在【zài】G、D之间
。R23是泄放电阻【zǔ】，当控制信【xìn】后从0到1时 ，迅速将加在G极的【de】负压释放
，保证有效关断。就【jiù】算你标错那个OUT，在S极输入
、D极输出【chū】 ，你哪个R23就会使【shǐ】管【guǎn】子导通 。除非EN FANG有【yǒu】个正【zhèng】压【yā】输入【rù】加到G极上
，否则电路就不【bú】会【huì】关闭【bì】
。

MOS管在开关电路中的使用

MOS管也就是常说【shuō】的场效应管（FET），有结型【xíng】场效应管【guǎn】、绝【jué】缘栅型场效应管（又分【fèn】为增强型和耗尽型场效【xiào】应管【guǎn】）。

也可以只分成两类P沟道【dào】和N沟道 ，这【zhè】里我们就按照P沟道和N沟道分【fèn】类 。

对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下
。

场效应管的作【zuò】用【yòng】主要有信号的转换 、控制【zhì】电【diàn】路的【de】通断
，这【zhè】里我们讲解的是MOS管作为开关管的【de】使【shǐ】用。

对【duì】于MOS管【guǎn】的选型，注意4个参数【shù】：漏源电压（D
、S两端承受的【de】电压）、工作电流（经过MOS管的电路） 、开启电压（让MOS管导通【tōng】的【de】G
、S电【diàn】压）、工作频率【lǜ】（最大【dà】的开关频率） 。

下面我们看一下MOS管的引脚 ，如下图所示：

有【yǒu】三个引脚【jiǎo】，分别【bié】为G（栅极） 、S（源极）
、D（漏极）。

在开关电路中
，D和S相当【dāng】于需要【yào】接通的电路两端【duān】，G为开关【guān】控制
。

这里分享一个【gè】自己的分辨P沟【gōu】道【dào】和N沟道的方【fāng】法 ，我们【men】就看【kàn】中间的箭头
，把G（栅极）连接的部分当【dāng】做沟道，大家都知道PN结 ，而【ér】不是NP结
，那【nà】么就是【shì】P指向N的，所以脑海里想到这样【yàng】的情景 P--N ，所以箭头都是P--N的
，那么中间的箭头指向的就是N，如果指向沟道那就是N沟道 ，如果【guǒ】指向的【de】是S（没【méi】有【yǒu】指向沟道【dào】）
，那就【jiù】是【shì】P沟【gōu】道。

这个方法也【yě】适【shì】用于三极管【guǎn】的判别（NPN、PNP） 。

在上图中我们【men】可【kě】以看到右边都【dōu】有一个寄生二【èr】极管，起到保护的作用
。

那么根据二极管的单向【xiàng】导电性我们也能【néng】知道在电【diàn】路连接【jiē】中 ，D和S应该如【rú】何连接。使用有寄生二极管的【de】N沟道MOS管的情况下【xià】，D的电【diàn】压要高【gāo】于S的电【diàn】压【yā】
，否则【zé】MOS管【guǎn】无法【fǎ】正【zhèng】常工作（二极【jí】管导通） 。

使用【yòng】有寄生二极管【guǎn】的P沟道【dào】MOS管，S的【de】电压要高于D的电压【yā】 ，原因【yīn】同上
。

下面是MOS管的导【dǎo】通【tōng】条【tiáo】件
，只【zhī】要记住电【diàn】压方向与中间箭头方向相反即为导【dǎo】通【tōng】（当然这【zhè】个相反电压需要【yào】达到【dào】MOS管的开启电压）。

比如导通电压【yā】为3V的N沟道MOS管，只要G的电压【yā】比S的电压高【gāo】3V即可导通（D的【de】电【diàn】压【yā】也要比S的【de】高） 。

同理 ，导通电压为3V的【de】P沟【gōu】道MOS管
，只要G的【de】电压【yā】比S的电【diàn】压低3V即可导通【tōng】（S的电压比D的高）
。

在电路中的典型应【yīng】用如下图所示，分【fèn】别【bié】为【wéi】N沟【gōu】道与P沟道的MOS管驱动【dòng】电路【lù】：

我们可以看到 ，N沟道【dào】的MOS管的电路中
，BEEP引脚为高电平【píng】即可【kě】导通，蜂鸣【míng】器发出声音 ，低电平关【guān】闭蜂鸣器；

P沟道的MOS管是用来控【kòng】制GPS模【mó】块的电【diàn】源通断
，GPS_PWR引脚为【wéi】低【dī】电平时导通，GPS模块正常【cháng】供电 ，高电平时GPS模块断电。

重点 、重【chóng】点【diǎn】
、重点，以上两个应用【yòng】电路中
，N沟道和P沟道MOS管不【bú】能互相替代，如【rú】下【xià】两【liǎng】个应用【yòng】电【diàn】路【lù】不能正常工作【zuò】：

对于上面两个电路如何修改能正常工作？

MOS管在开关电路的作用

mos管是电压控制元件 ，在某【mǒu】些【xiē】方面使用起来很【hěn】方便
，当然，在开【kāi】关电路【lù】中 ，由于mos管的导通电【diàn】阻【zǔ】很小
，所以使用也非常好【hǎo】，在开关电【diàn】路【lù】中应【yīng】用【yòng】 ，就是一个【gè】能够【gòu】受控制的开关
，一般是受电压信【xìn】号的控制 。

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