mos场效应管属于什么控制器件_mos场效应管工作原理

场效应管的特性是什么？

1
、场效应管是电压控制器件
，它通过VAH(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

2、场效应管的控制输入端【duān】电流极小，因此它的输入【rù】电阻【zǔ】（107～1012Ω）很大
。

3 、利【lì】用【yòng】多数载流子导电 ，因此【cǐ】它的温度稳定性较好；

4
、组成的放大电路【lù】的电【diàn】压放大系数要【yào】小于【yú】三极管组成放大电路的【de】电压【yā】放大系【xì】数；

5、场效应管的抗辐射能力强；

6 、由于【yú】它【tā】不存在【zài】杂乱运【yùn】动的电子扩散引起的散粒噪声
，所以噪声低。

扩展资料：

场效应管分为接合型场效应管和MOS型场效应管两类 。

接【jiē】合型【xíng】场【chǎng】效应管【guǎn】即【jí】使栅极电压为零，也有电流流通 ，因此【cǐ】用于【yú】恒定电【diàn】流源或因低噪音而用于音频放大器等
。

MOS型场【chǎng】效应管因其【qí】结【jié】构【gòu】简单【dān】
、速度快
，且栅极驱动简单【dān】、具有耐破坏力强等特征【zhēng】，而且使用微【wēi】细加工技术的话 ，即可【kě】直接提高【gāo】性能
，因此被广【guǎng】泛使用于由LSI的基础器件等高频器件到【dào】功率器件（电【diàn】力【lì】控制器件）等的领域中。

参考资料来源：百度百科——场效应管

mos管是什么原理 ，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VAH来控【kòng】制“感应电荷”的【de】多少
，以改变由这些“感应电荷 ”形成的【de】导【dǎo】电沟【gōu】道的状况，然【rán】后达到控【kòng】制【zhì】漏极电流的目的 。在制造管子【zǐ】时 ，通过工艺使绝缘层【céng】中出现大量正【zhèng】离子，故【gù】在交界面的另一侧能感【gǎn】应出【chū】较多的负电荷【hé】
，这些负【fù】电【diàn】荷【hé】把高渗杂质的N区接【jiē】通【tōng】，形成了导电沟道 ，即使在VAH=0时【shí】也有较大的【de】漏极电流ID
。当栅极电压改变时【shí】
，沟道内【nèi】被感【gǎn】应的电荷量也改变【biàn】，导【dǎo】电沟道的【de】宽窄也【yě】随【suí】之而变 ，因而漏极电流ID随【suí】着栅极电压的变【biàn】化【huà】而【ér】变【biàn】化。

作用：

1 、可应用于放大电【diàn】路 。由【yóu】于MOS管放大器的输入阻抗【kàng】很【hěn】高【gāo】
，因此耦合电容【róng】可以容量【liàng】较【jiào】小，不必【bì】使用电解电容器
。

2
、很【hěn】高的输【shū】入阻抗非常【cháng】适合作阻抗变换。常用【yòng】于多级【jí】放大器的输【shū】入【rù】级作阻抗变换 。

3、可以用作可变电阻
。

4 、可以方便地用作恒流源。

5
、可以用作电子开关 。

简介：

mos管 ，即在【zài】集【jí】成电路中绝缘【yuán】性场效【xiào】应【yīng】管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管【guǎn】
。或【huò】者称是金属【shǔ】—绝缘体(insulator)—半导体【tǐ】。MOS管的source和drain是可以【yǐ】对调的
，都是【shì】在P型backgate中形成的N型【xíng】区【qū】 。在多数情况下，这【zhè】个【gè】两个区是一样的 ，即【jí】使【shǐ】两【liǎng】端对【duì】调【diào】也不会【huì】影响器件【jiàn】的性【xìng】能【néng】
。这样的【de】器件被认为是对称的。

结构特点：

MOS管的内【nèi】部结构如下图所【suǒ】示;其导【dǎo】通时只有一【yī】种极性的载流【liú】子(多子)参【cān】与导电
，是单极型晶体【tǐ】管 。导电机理与【yǔ】小【xiǎo】功【gōng】率【lǜ】MOS管【guǎn】相同，但结构上有【yǒu】较大区别 ，小功率MOS管是横向导电【diàn】器【qì】件，功率MOSFET大都采用【yòng】垂直导电结构
，又称【chēng】为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和【hé】耐电流能力
。

n沟道mos管                 

p沟道mos管

其主要特【tè】点是【shì】在金属栅极与【yǔ】沟【gōu】道之间有一层二氧化硅绝【jué】缘【yuán】层【céng】 ，因此具有很【hěn】高的输入电阻
，该管导【dǎo】通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施【shī】加【jiā】正向偏【piān】压，且【qiě】只【zhī】有栅源电压大于【yú】阈值电【diàn】压时才有【yǒu】导【dǎo】电沟道【dào】产生的n沟道MOS管 。n沟【gōu】道耗尽型MOS管是指【zhǐ】在不加栅压(栅源电压为零)时 ，就有导电沟【gōu】道产生的n沟道MOS管
。

MOS管是做什么的？有什么作用？

MOS场效应管属于电压控制元件mos场效应管属于什么控制器件
，这一点类似于电子管mos场效应管属于什么控制器件的三极管，但它mos场效应管属于什么控制器件的构造与工作原理和电子管是截然不同mos场效应管属于什么控制器件的。

通常被用于放大电路【lù】或开关电路 。而【ér】在主板【bǎn】上的【de】电源稳压【yā】电【diàn】路【lù】中 ，MOS主要是判【pàn】断电位
，它【tā】在主板上【shàng】常用“Q
”加数字表示
。

场【chǎng】效应【yīng】管【guǎn】的【de】结构，它是在一块N型半导体的两边 杂质扩【kuò】散出高浓度的P型【xíng】  ，用P 在漏、源极间加上正【zhèng】向【xiàng】电压
，N区中的多子（也 电子【zǐ】） 导电【diàn】。 从【cóng】源极S出发，流向漏极D 。电流【liú】方向由D指向S

O O O

I -------I--------------I------------------I----------I

I 源极S 栅极 K 　漏极【jí】D I

I N + P+ N+ I

i----------------------------------------------------I-

三极管和场效应管是什么控制器件

三极管和【hé】场效应【yīng】管是在放大 、开关电【diàn】路中应【yīng】用非常普遍的【de】电子元件【jiàn】。

1、三极管

最初发【fā】明的是三极【jí】管 ，以其优异的性能迅【xùn】速代替【tì】了电子【zǐ】管，但后来在应用中三【sān】极管暴露出一些先【xiān】天不足【zú】--结构上问【wèn】题所导致的缺陷
，在这种形【xíng】势【shì】下迫【pò】切要求制造一种能【néng】够【gòu】克服三【sān】极管缺陷的晶【jīng】体管，于是【shì】场效应管就应用而【ér】生了
。

2
、场效应管

最大特点就是输入【rù】阻抗极高【gāo】 ，这是【shì】三极管无【wú】法比【bǐ】拟的
，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样【yàng】而【ér】完全【quán】取【qǔ】代三【sān】极管【guǎn】，它也不【bú】是万能【néng】的 ，在【zài】有些方面不如三极管
，因此不能【néng】笼统的说谁好谁不好。

由于场效应管【guǎn】是在三【sān】极管的基础上研制而【ér】成的，所以它许多【duō】方【fāng】面和三极管有相似【sì】的地方 ，二者珠【zhū】联【lián】璧合【hé】应用【yòng】广泛 。

扩展资料：

三极管和场效应管的区别

1、电极区别

三极【jí】管有基极b 、发射极e
、集电极c三个电极
，场效应管也有G极、源极【jí】S 、漏极D三【sān】个电【diàn】极，它们二者有对应关系 ，电极【jí】的【de】作用相【xiàng】似
，即【jí】基极【jí】-栅极【jí】都是控制极【jí】，发射【shè】极对【duì】应源极 ，集【jí】电极对应【yīng】漏极，都是被控【kòng】电极
。

2
、控制类型

三极管是电流【liú】控制型器件
，也就是通过【guò】基极【jí】电流的变化【huà】控【kòng】制集电极电流的【de】变化【huà】；场效应管属于电【diàn】压控制型器件【jiàn】，也就是通【tōng】过栅极电压【yā】的变化来【lái】控制源漏【lòu】极电流大小。

二【èr】者【zhě】的工作【zuò】原【yuán】理是不同的 ，三极管【guǎn】是通过基极电【diàn】流来控制集电极电流【liú】大小的
，而场效应管是通过栅压改【gǎi】变导电沟道【dào】的宽度来控制【zhì】电流的变【biàn】化【huà】 。

3、阻抗差别

三极管输入阻【zǔ】抗【kàng】较低，在几百欧【ōu】姆【mǔ】-几千欧【ōu】姆之间 ，基【jī】极【jí】电流较大
，输【shū】出电【diàn】阻【zǔ】较高，对前级电路影响【xiǎng】较大 ，阻【zǔ】抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高【gāo】
，达到兆欧以上，MOS管更高 ，栅【shān】极【jí】几乎没有电流【liú】
，对【duì】前级【jí】电路【lù】影响较【jiào】小，和三极管一样【yàng】输出电阻也较高
。

mos管的作用是什么

目【mù】前主板或显【xiǎn】卡上使用【yòng】的【de】MOS管【guǎn】并不【bú】太【tài】多 ，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因【yīn】为MOS管主要为配【pèi】件提供稳定的【de】电压，所以一般用在CPU 、AGP插槽
、内存插槽附近
。其中
，CPU和【hé】AGP插槽【cáo】附近布置了一【yī】组MOS管，而内存插槽共用一【yī】组MOS管。一般【bān】来说 ，MOS管两个一组出现在主板上 。工作原理双【shuāng】极晶【jīng】体管将输【shū】入端的小电流变化放大
，然后在【zài】输出端【duān】输出大的电流变化
。双极晶【jīng】体【tǐ】管的增益定义为输【shū】出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管【guǎn】叫FET，把输【shū】入电压的变化【huà】转化【huà】为输出电流的变化【huà】 。它们是电【diàn】流控制装【zhuāng】置和电【diàn】压控制【zhì】装置。FET的增益等于其跨导)gm ，跨导【dǎo】定【dìng】义为输出电流的变【biàn】化与【yǔ】输【shū】入【rù】电压的变【biàn】化之【zhī】比
。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)
，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上【shàng】投射电【diàn】场来影响流经晶体管的【de】电流。实际上没有电流流【liú】过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极【jí】电流很小(电【diàn】容【róng】的电流【liú】损耗) 。最常【cháng】见【jiàn】的【de】FET在【zài】栅【shān】电极【jí】下使【shǐ】用【yòng】一薄层二氧化【huà】硅【guī】作为绝【jué】缘体
。这【zhè】种晶【jīng】体管被称为金属氧化物【wù】半导体(MOS)晶体管 ，或金属氧【yǎng】化物半导体场效应晶【jīng】体管(MOSFET)。

关于mos场效应管属于什么控制器件和mos场【chǎng】效应【yīng】管【guǎn】工作原理【lǐ】的介绍到此就结束了
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