mos场效应管应用_mos场效应管的作用

mos管的主要应用

mos管是【shì】金属【shǔ】(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或【huò】者称【chēng】是金属【shǔ】—绝【jué】缘体(insulator)—半导体 。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放【fàng】大后【hòu】，在输出【chū】端输出一个大【dà】的电流变化
。双极型【xíng】晶体管的增益就【jiù】定义为【wéi】输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管 ，叫做场效应管（FET）
，把输入电压的变化转化为输【shū】出电流的变化 。FET的增益等【děng】于它的transconductance， 定义为输出电流【liú】的变化【huà】和输【shū】入电【diàn】压变化【huà】之【zhī】比
。 场效【xiào】粗芦应管【guǎn】的名字【zì】也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一【yī】个【gè】电场在一个绝缘【yuán】层上来影响流【liú】过晶【jīng】体管的电流。事实上没【méi】有电流流余哪过这个【gè】绝缘体 ，所【suǒ】以FET管【guǎn】的GATE电流非【fēi】常小 。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作岩【yán】毁【huǐ】带为GATE极【jí】下的绝【jué】缘【yuán】体。这种晶体管【guǎn】称为金属氧化【huà】物半导【dǎo】体(MOS)晶体【tǐ】管
，或,金属氧化【huà】物半导体场效应管（MOSFET）
。因为MOS管更小更【gèng】省电，所以他【tā】们已经在很多【duō】应用场合取代了双极型【xíng】晶体【tǐ】管。

mos管的作用

mos管【guǎn】的握歼盯作【zuò】用：可【kě】应用于放大电路【lù】 。由于MOS管放【fàng】大器的输入阻抗【kàng】很高 ，因此耦合电容可以容量较小【xiǎo】，不必使【shǐ】用电解电容器
。很高的【de】输入阻抗非常适合作阻抗变【biàn】换。常用于多级放【fàng】大器【qì】的输【shū】入级作【zuò】阻抗变换 。可以用作可变电阻【zǔ】
。可以【yǐ】方便地用作恒流源。可以【yǐ】用作电子【zǐ】开关 。

MOS管为压控元件
，只要加到【dào】它的压【yā】控元件所需电压【yā】就能【néng】使它导【dǎo】通，它的【de】导通就像三极管在饱和状【zhuàng】态【tài】一样 ，导通结的压【yā】降【jiàng】最小
，常说【shuō】的精典是开关【guān】作用
。去掉这个控制电压经就截止。

MOS管即金属氧化物【wù】半导体型场效应管，属于场效应晶体管【guǎn】中的【de】绝缘栅型【xíng】 。因【yīn】此 ，MOS管有时被称为场【chǎng】效应管
。在一般【bān】电子电路中
，MOS管【guǎn】通常【cháng】被用于放大电路【lù】或开关电【diàn】路。

MOS管的特性

开关特性 。MOS管是【shì】压控器【qì】件，作为开【kāi】关时 ，NMOS只【zhī】要满足VgsVgs(th)即可导通
，PMOS只要满足Vgs。

开【kāi】关损耗
。MOS的损耗主要包括【kuò】开关【guān】损耗【hào】和导通损耗，导通损耗是由于导通后存【cún】在【zài】导通电阻【zǔ】而【ér】产【chǎn】生【shēng】的 ，导通电阻都很小【xiǎo】。段和【hé】开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中【zhōng】
，MOS处于恒【héng】流改汪区时所【suǒ】产生的损耗 。开关【guān】损耗远大【dà】于导【dǎo】通损耗【hào】
。减小损【sǔn】耗【hào】通常有两个方法，一【yī】是缩短开关时间【jiān】 ，二是降低【dī】开关频率。

由【yóu】压控所导致【zhì】的【de】的开关特性 。由于【yú】制作工艺的限制，NMOS的使用【yòng】场【chǎng】景要【yào】远【yuǎn】比【bǐ】PMOS广泛
，因此在将更适合于高【gāo】端驱动的PMOS替换【huàn】成NMOS时便【biàn】出现了问题
。

在宽电压的应【yīng】用【yòng】场景中，栅极的控【kòng】制电压很多【duō】时候是不【bú】确定的 ，为了保证MOS管【guǎn】的安全工作【zuò】
，很多MOS管内置了稳压管【guǎn】来限制【zhì】栅极的控制电压。

mos管的作用什么

MOS管的作用 MOS管【guǎn】为压控元【yuán】件,你【nǐ】只要加到它【tā】的压控元件【jiàn】所需【xū】电压就能使它导通,它【tā】的【de】导【dǎo】通【tōng】就像三极管在【zài】饱和状【zhuàng】态一样,导通结的压降最小【xiǎo】.这就是【shì】常说的精【jīng】典是开关作用.去掉这个【gè】控【kòng】制电压【yā】经就截止. MOS管 MOS管的【de】英文全称【chēng】悄或叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属【shǔ】氧化物半导体【tǐ】型场【chǎng】效应【yīng】管 ，属于场效【xiào】应【yīng】晶体管中的绝【jué】缘【yuán】栅型 。因【yīn】此
，MOS管有时被【bèi】称为场效应【yīng】管
。在一般电子电路中，MOS管通常被用【yòng】于放【fàng】大电【diàn】路或开关电路。而在主板上【shàng】的电源稳压电路中 ，MOSFET扮悄【qiāo】运神【shén】演的角色主要是【shì】判断电位
，它在主板上【shàng】常用“Q ”加数字表【biǎo】示 。 一、MOS管的作用是什么？ 目前主板或显卡上所采用的【de】MOS管并不是太多，一【yī】般有【yǒu】10个左右 ，主【zhǔ】要原因【yīn】是大部分MOS管【guǎn】被整合到IC芯片中去了【le】
。由于MOS管主要是为配件提供稳【wěn】定的电压
，所以它【tā】一般使【shǐ】用【yòng】在CPU 、AGP插槽和【hé】内【nèi】存插槽附近【jìn】。其中在【zài】CPU与AGP插【chā】槽【cáo】附近各安排【pái】一组【zǔ】MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管 ，MOS管一般是以两个组【zǔ】成一组的【de】形式出现【xiàn】主板【bǎn】上的 。 二
、MOS管的性能参数有哪【nǎ】些？ 优质的MOS管【guǎn】能够【gòu】承受的【de】电流峰值更【gèng】高。一般情况【kuàng】下我们要判断主板上MOS管的质【zhì】量高低【dī】，可以看【kàn】它能承【chéng】受【shòu】的最大电流值
。影响MOS管质量高低的参数非常多
，像【xiàng】极【jí】端电流、极端电压等。但在MOS管上【shàng】无法标注这么【me】多参数，所以在MOS管表面【miàn】一般只标注了【le】产【chǎn】品的型号【hào】 ，我们可以根据该型号上网查找具体【tǐ】的性能参数 。 还要说【shuō】明【míng】的是
，温度也【yě】是【shì】MOS管一个非常重要【yào】的性能参数
。主【zhǔ】要包括【kuò】环境温度 、管壳温度
、贮成温度等【děng】。由于CPU频率的提高【gāo】，MOS管需【xū】要承受的电流也随着增强 ，提供近百A的电流已【yǐ】经很常见了 。如此巨【jù】大的电流通过时【shí】产【chǎn】生的热量当然使MOS管【guǎn】“发烧
”了
。为了【le】MOS管的安全
，高品质主板也【yě】开【kāi】始为MOS管【guǎn】加装散热片了。 电【diàn】感【gǎn】与MOS管是【shì】如何【hé】合【hé】作的？ 通过【guò】上面的介【jiè】绍，我【wǒ】们知道【dào】MOS管对于整【zhěng】个供电【diàn】系统起着稳压的作用【yòng】 ，但是MOS管不能单独使用
，它必【bì】须和电感【gǎn】线【xiàn】圈【quān】、电容【róng】等共【gòng】同【tóng】组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势【shì】 。 主板【bǎn】上【shàng】的AH M(Plus Width Modulator ，脉冲【chōng】宽度调制【zhì】器)芯片产【chǎn】启亏生一个宽度可调的脉冲【chōng】波形
，这样可以使两【liǎng】只MOS管轮流导【dǎo】通
。当负载两端的电压(如【rú】CPU需要【yào】的【de】电压【yā】)要降低时，这时MOS管的开【kāi】关【guān】作用开始生【shēng】效 ，外部【bù】电源对电感进行充电并达【dá】到【dào】所【suǒ】需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用
，外部电源供电断开【kāi】，电感释【shì】放出刚才充入的能量 ，这【zhè】时的电感就变成了“电源”
，继【jì】续【xù】对负【fù】载供电 。随着电感上存储能量的不【bú】断消耗【hào】，负载【zǎi】两端的电压又开始【shǐ】逐【zhú】渐降【jiàng】低 ，外部电源通过【guò】MOS管的开关作用又要充电
。这样循环不断地进行充电和放【fàng】电的过程
，从而【ér】形成【chéng】一【yī】种稳【wěn】定的电压【yā】，永远使负【fù】载两端的电【diàn】压不会升高也不会降低。

mos场效应管应用的介【jiè】绍就【jiù】聊到这里吧 ，感谢你花时间阅读本【běn】站内容
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