mos管场效应管在使用时要注意什么_mos场效应管应用

mos管主要参数及使用注意事项

1.选用合适mos管场效应管在使用时要注意什么的输入电压规格;

2.选择合适的功率。为mos管场效应管在使用时要注意什么了使电源的寿命增长mos管场效应管在使用时要注意什么，建议选用多【duō】30%输出功率额定的机种 。例如若系统需要一【yī】个100W的电源 ，则建议挑选【xuǎn】大于【yú】130W输出功【gōng】率额定的机种
，以【yǐ】此类推可有效提【tí】升电源的寿命【mìng】
。

3.考虑负【fù】载特性。如果【guǒ】负载是马达 、灯泡或【huò】电容性负载，当开机瞬【shùn】间时电流较大 ，应选用合【hé】适【shì】电源以【yǐ】免过载 。如果负载是马达时应考虑停机【jī】时电压倒灌
。

4.此外【wài】尚需考虑电源的工作环境温度
，及【jí】有无额外的辅助散热设备【bèi】，在【zài】过高的【de】环温电源【yuán】需【xū】减【jiǎn】额输出。环温【wēn】对输出功率的减【jiǎn】额曲线

5.根据应用所需选择各项功能mos管场效应管在使用时要注意什么： 保护功能mos管场效应管在使用时要注意什么：过电压保护【hù】（OVP）
、过温度保护（OAH ）、过负【fù】载保护（OLP）等 。 应用功能：信号功能（供电正常【cháng】 、供电【diàn】失效）
、遥控功【gōng】能、遥测功能 、并【bìng】联功能等【děng】
。 特殊功能【néng】 ： 功因矫正【zhèng】 （PFC） 
、不断【duàn】电 （UPS）

6.选【xuǎn】择所需符合【hé】的安规及【jí】电磁兼容【róng】 （EMC） 认证【zhèng】。

开关电源是利用现代电力电子技术 ，控制开关管开通和【hé】关断的【de】时间比率【lǜ】
，维持稳定输出电压的一【yī】种【zhǒng】电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（AH M）控制IC和【hé】MOSFET构【gòu】成 。随着电力电【diàn】子技术的发展和【hé】创新 ，使【shǐ】得开关电源技术也在不断地【dì】创新【xīn】。

场效应管的使用注意事项

MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管mos管场效应管在使用时要注意什么，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）mos管场效应管在使用时要注意什么
，属于绝缘栅型【xíng】
。其主要特点是在金【jīn】属【shǔ】栅极与沟道【dào】之间有一层【céng】二氧化硅绝缘层mos管场效应管在使用时要注意什么，因【yīn】此【cǐ】具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟【gōu】道【dào】管和【hé】P沟【gōu】道管【guǎn】 ，符号如图1所示 。通常是将【jiāng】衬底（基板）与源极S接在一起【qǐ】
。根【gēn】据导电【diàn】方式的不同
，MOSFET又分增强型、耗尽型。所【suǒ】谓增强型是指【zhǐ】mos管场效应管在使用时要注意什么：当VAH =0时管【guǎn】子是呈【chéng】截【jié】止状态，加上正【zhèng】确的VAH 后【hòu】 ，多数载流子被吸引到栅极【jí】
，从而“增强【qiáng】”了该区域【yù】的载流【liú】子，形【xíng】成导电沟道 。耗【hào】尽型则【zé】是【shì】指 ，当VAH =0时即形成【chéng】沟【gōu】道
，加上正确的VAH 时，能使多数【shù】载流子流出沟道 ，因而“耗尽 ”了载流子
，使管子【zǐ】转向截止【zhǐ】
。

以N沟【gōu】道为例【lì】，它【tā】是在P型硅衬底【dǐ】上制成两个高掺杂浓【nóng】度的源【yuán】扩散区N+和漏扩【kuò】散区N+ ，再分别【bié】引出【chū】源极S和漏【lòu】极D。源极与衬底在【zài】内【nèi】部连通，二者总保【bǎo】持等电位 。图【tú】1（a）符号中的前头方向是从外向电
，表示【shì】从P型材料（衬【chèn】底）指身N型沟道
。当漏接【jiē】电源【yuán】正【zhèng】极，源极接电源负极并使VAH =0时 ，沟【gōu】道电流（即漏【lòu】极【jí】电流）ID=0。随着VAH 逐渐升高
，受栅极【jí】正电压的吸引，在两个扩散区之间就【jiù】感应【yīng】出带负电的少数载流子【zǐ】 ，形成【chéng】从漏极到【dào】源极的【de】N型【xíng】沟道
，当VAH 大【dà】于管子的开【kāi】启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始【shǐ】导通 ，形【xíng】成漏极【jí】电流【liú】ID 。

国产N沟道MOSFET的典型【xíng】产品有3DO1 、3DO2、3DO4（以上均【jun1】为单栅管）
，4DO1（双【shuāng】栅【shān】管）
。它们的【de】管脚排列（底视图）见图2。

MOS场效应管比较“娇【jiāo】气
” 。这是由【yóu】于它【tā】的输【shū】入电阻很高，而栅-源极间【jiān】电容又非常小 ，极易受外【wài】界电磁场或静电【diàn】的感应而带电
，而少量电荷就可在极间电容上形成【chéng】相当高的电压（U=Q/C），将管【guǎn】子损坏。因【yīn】此了厂时各管脚【jiǎo】都绞合【hé】在【zài】一起 ，或【huò】装在【zài】金属箔内，使G极与【yǔ】S极【jí】呈【chéng】等电位
，防【fáng】止积累静电荷【hé】
。管子不用时，全部引线也应短接。在测【cè】量时应格外小心【xīn】 ，并【bìng】采取相应的防静电感措施 。下面介【jiè】绍【shào】检测【cè】方法
。

1．准备工作

测【cè】量【liàng】之【zhī】前
，先把人体对【duì】地短路后，才能摸触MOSFET的管脚【jiǎo】。最好【hǎo】在【zài】手腕上接一【yī】条导线与大地连通 ，使人体与大地【dì】保持等电位 。再把【bǎ】管脚分开【kāi】
，然【rán】后【hòu】拆掉导线
。

2．判定电极

将万用表拨于R×100档【dàng】，首先【xiān】确定栅【shān】极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大 ，证明此脚就是栅极G 。交换表笔重测量
，S-D之间【jiān】的电阻值应为【wéi】几百【bǎi】欧【ōu】至几千欧，其【qí】中阻值较小的那一次 ，黑【hēi】表【biǎo】笔接的为D极
，红表【biǎo】笔接的是【shì】S极
。日本生【shēng】产的3SK系列产品，S极与管壳接通【tōng】 ，据【jù】此很容易确定S极。

3．检查放大能力（跨导）

将G极悬空，黑表笔接D极
，红表【biǎo】笔接S极，然后【hòu】用【yòng】手【shǒu】指触摸G极 ，表针应有较大的偏转【zhuǎn】 。双栅MOS场效应管【guǎn】有两个栅极G1
、G2
。为区分之
，可用手【shǒu】分别触摸【mō】G1、G2极，其【qí】中表针【zhēn】向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的【de】MOSFET管在G-S极间增加了保【bǎo】护【hù】二极管 ，平时【shí】就【jiù】不需要把各管脚短【duǎn】路【lù】了 。

VMOS场效应管

VMOS场效应管（VMOSFET）简称【chēng】VMOS管或功【gōng】率场效应管
，其全【quán】称为V型槽MOS场效应管。它是继【jì】MOSFET之后新发展起来的高效 、功率【lǜ】开【kāi】关【guān】器件
。它【tā】不仅继【jì】承了MOS场效应管输【shū】入阻【zǔ】抗【kàng】高（≥108W）
、驱动电【diàn】流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高【gāo】（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5a～100A） 、输出功率高（1～250W）
、跨导的线【xiàn】性【xìng】好、开【kāi】关速度快等优良【liáng】特性。正是由【yóu】于它将电子【zǐ】管与功率晶体管【guǎn】之优点集于一身 ，因此在电压放大器（电压【yā】放大倍【bèi】数可【kě】达【dá】数千【qiān】倍） 、功【gōng】率放大器
、开关电【diàn】源和【hé】逆变器中正获得广泛应用 。

众所周知
，传统【tǒng】的MOS场效应管【guǎn】的【de】栅极、源极和漏【lòu】极【jí】大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电【diàn】流基本上是【shì】沿水平方【fāng】向流动
。VMOS管则不同 ，从图1上可以看出其两大结构特点【diǎn】:第一【yī】
，金属栅极采用V型槽结构；第二，具【jù】有【yǒu】垂直【zhí】导电性。由于【yú】漏极是从芯【xīn】片【piàn】的背面引出 ，所以【yǐ】ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂【zá】N+区（源极S）出发
，经过P沟道流入轻掺杂N-漂【piāo】移区，最后【hòu】垂直向下【xià】到达漏极D 。电流方向【xiàng】如图【tú】中箭头所示【shì】 ，因为流通截面积增大
，所以能通【tōng】过【guò】大【dà】电【diàn】流
。由于在栅【shān】极与【yǔ】芯片之间【jiān】有二氧化硅绝缘层【céng】，因此它仍【réng】属于绝缘栅型MOS场效【xiào】应【yīng】管。

国内生产VMOS场效应管的主要厂【chǎng】家有877厂 、天津【jīn】半导体器件四厂
、杭州电子管厂等 ，典型【xíng】产品有【yǒu】VN401、VN672 、VMAH 2等【děng】 。表【biǎo】1列出六【liù】种【zhǒng】VMOS管的【de】主要参数
。其中
，IRFPC50的外【wài】型如图3所示。

下面介绍检测VMOS管的方法 。

1．判定栅极G

将万用【yòng】表【biǎo】拨至R×1k档分别测量【liàng】三个管脚之【zhī】间的电阻
。若【ruò】发【fā】现某脚与其字两脚的【de】电阻均【jun1】呈无穷大，并且交换表笔【bǐ】后仍为无穷大 ，则证明此脚为G极
，因为它【tā】和【hé】另外两【liǎng】个管脚是绝【jué】缘的。

2．判定源极S、漏极D

由【yóu】图【tú】1可见，在源-漏之【zhī】间有一个PN结 ，因此根据PN结正
、反【fǎn】向电阻存在差异
，可识别S极与D极 。用交换表笔法【fǎ】测两次电【diàn】阻，其中电阻值较低（一般为几【jǐ】千欧至十几千欧）的【de】一【yī】次【cì】为正向电阻【zǔ】 ，此【cǐ】时【shí】黑表【biǎo】笔的是【shì】S极【jí】，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路
，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极 ，红表笔接【jiē】D极
，阻值【zhí】应为【wéi】几欧至十几欧【ōu】
。

由于测试条件【jiàn】不同，测出【chū】的RDS（on）值比手册中给【gěi】出的【de】典型值要高一些。例如用500型万用表【biǎo】R×1档【dàng】实测一只IRFPC50型VMOS管 ，RDS（on）=3.2W
，大于0.58W（典型【xíng】值） 。

4．检查跨导

将【jiāng】万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极 ，黑表笔接D极【jí】
，手持【chí】螺丝刀去碰触栅极，表针【zhēn】应有明【míng】显偏转 ，偏转愈大【dà】
，管【guǎn】子的跨导愈高
。

注意事项：

（1）VMOS管亦【yì】分【fèn】N沟【gōu】道管与P沟【gōu】道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管 ，测量时【shí】应【yīng】交换表笔的位【wèi】置 。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有【yǒu】保【bǎo】护【hù】二极管，本【běn】检测方法【fǎ】中的1、2项不再适用
。

（3）目前市场上【shàng】还有一种VMOS管功率【lǜ】模【mó】块
，专供交流电机调速器 、逆变器使【shǐ】用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道
、P沟道【dào】管各三【sān】只 ，构成三相桥式结构 。

（4）现在市【shì】售VNF系【xì】列（N沟道）产品
，是美国Supertex公司生产的超高频【pín】功率场效应管，其最【zuì】高工作频率fp=120MHz ，IDSM=1A
，PDM=30W，共源小信号低频跨【kuà】导gm=2000μS
。适用于高【gāo】速开【kāi】关电路和【hé】广播、通信【xìn】设备中。

（5）使【shǐ】用VMOS管时【shí】必须加合适【shì】的散热【rè】器后 。以【yǐ】VNF306为例 ，该管子加【jiā】装140×140×4（mm）的【de】散热器后
，最大功率【lǜ】才能达到30W

场效应晶体管

场【chǎng】效应晶体管(FET)简【jiǎn】称场效【xiào】应管【guǎn】，它属于电压控制【zhì】型半导体器【qì】件 ，具有输入电【diàn】阻高（108～109Ω） 、噪声小【xiǎo】
、功耗低、没有二次击穿现象 、安全工作区域宽【kuān】等优【yōu】点
，现【xiàn】已成【chéng】为【wéi】双极型晶【jīng】体管和功率晶体管的强【qiáng】大【dà】竞争者
。

场【chǎng】效应管分【fèn】结型
、绝缘栅【shān】型两【liǎng】大类【lèi】。结型场效【xiào】应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘【yuán】栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电【diàn】极完全【quán】绝缘而得【dé】名 。目【mù】前在绝缘栅型场【chǎng】效应管中 ，应用最【zuì】为广【guǎng】泛的是MOS场效应管【guǎn】，简称MOS管（即金属【shǔ】-氧化物【wù】-半导体场效应【yīng】管MOSFET）；此外【wài】还有PMOS、NMOS和VMOS功【gōng】率【lǜ】场效应【yīng】管
，以及最近刚问世的πMOS场效应管【guǎn】 、VMOS功率模块等。

按沟道半导【dǎo】体【tǐ】材料【liào】的不同，结【jié】型和绝缘栅型各分沟道和【hé】P沟道两种
。若【ruò】按导电【diàn】方式来划分 ，场效应管又【yòu】可分成【chéng】耗尽【jìn】型与增强型。结型场【chǎng】效应管均为耗尽型
，绝缘栅型场效应管【guǎn】既【jì】有耗尽型的【de】，也有增强型的 。

场效应晶体【tǐ】管可分【fèn】为结【jié】场效应晶【jīng】体管和MOS场【chǎng】效应晶体管
。而MOS场效应【yīng】晶体【tǐ】管又分为N沟耗【hào】尽型和增强【qiáng】型；P沟耗【hào】尽【jìn】型和增强型四大类。见附图1 。

MOS场效应晶体管使用注意事项
。

MOS场效应晶体管在【zài】使【shǐ】用时应注意分【fèn】类 ，不能随意互换【huàn】。MOS场效应晶体管由于【yú】输入阻【zǔ】抗高（包括MOS集【jí】成【chéng】电【diàn】路）极易被静电【diàn】击穿【chuān】
，使用时应注意以下规则：

1. MOS器【qì】件出厂时通常装在黑色的【de】导电【diàn】泡沫塑【sù】料袋中【zhōng】，切勿自行随便拿个塑料袋装 。也可【kě】用细铜线把各个引【yǐn】脚连接在一起【qǐ】 ，或【huò】用锡纸包装

2.取【qǔ】出的【de】MOS器【qì】件不【bú】能在塑【sù】料板上滑动
，应用金属盘来盛放待用器件
。

3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。

4. 在焊接【jiē】前应把电【diàn】路板【bǎn】的【de】电源线与地线【xiàn】短接，再MOS器件焊接完成后在分开 。

5. MOS器件各引【yǐn】脚【jiǎo】的焊接顺序是漏极
、源极【jí】、栅极
。拆【chāi】机时顺【shùn】序相反。

6.电路板【bǎn】在装机之前【qián】 ，要用接地的【de】线夹子【zǐ】去碰一下机【jī】器【qì】的各接线端子
，再把电路板接上去【qù】 。

7. MOS场效应晶体【tǐ】管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极【jí】管。在检修电【diàn】路时应注意查证【zhèng】原有的【de】保【bǎo】护二极【jí】管【guǎn】是否损【sǔn】坏
。

场效应管的测试。

下面以常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法：

3DJ型结型场效应【yīng】管可看【kàn】作一只【zhī】NPN型的【de】晶体三极管 ，栅【shān】极G对应基极【jí】b，漏极D对应集电极c
，源极S对应发射极e 。所以只要像测【cè】量晶体三极管那样测PN结的正【zhèng】 、反向【xiàng】电阻既可
。把万【wàn】用表【biǎo】拨在R*100挡用黑表笔【bǐ】接场效应管其中【zhōng】一个电极【jí】，红表笔分别接另外两【liǎng】极 ，当出现两次低电阻时【shí】
，黑表笔接的就【jiù】是场效【xiào】应管的【de】栅【shān】极。红表笔接的【de】就【jiù】是漏极或源极 。对结型【xíng】场效应管而言【yán】，漏极和源极可以互换
。对于【yú】有【yǒu】4个管脚的结型场效应【yīng】管【guǎn】 ，另【lìng】外一极是屏蔽极（使【shǐ】用中接【jiē】地）。

目前常【cháng】用的结型场效应管和MOS型绝【jué】缘栅场【chǎng】效应管的管脚【jiǎo】顺序如【rú】图2所示 。

场效应晶体管的好坏的判断
。

先用MF10型【xíng】万【wàn】用表【biǎo】R*100KΩ挡（内置有15V电池）
，把负表笔（黑）接栅【shān】极（G），正表【biǎo】笔（红）接源极【jí】（S）。给栅、源极【jí】之【zhī】间充电 ，此时【shí】万用表指针有轻微偏【piān】转【zhuǎn】 。再该用万用表R*1Ω挡【dǎng】
，将负表笔接漏极【jí】（D），正表【biǎo】笔接【jiē】源【yuán】极（S） ，万用表指示值若为几欧姆【mǔ】
，则说明【míng】场效【xiào】应管【guǎn】是好的【de】
。

调试mos电路有哪些注意事项

什么是MOS管?它有什么注意事项?MOS管即MOSFETmos管场效应管在使用时要注意什么，中文名金属氧化物【wù】半导【dǎo】体绝缘栅场效应管【guǎn】。与【yǔ】普通【tōng】的晶体三极管相比mos管场效应管在使用时要注意什么 ，具有以下四个【gè】优【yōu】点，即
，输入阻抗【kàng】高
、开关速【sù】度快、热稳定性好 、电压控制【zhì】电【diàn】流【liú】等，MOS管现已成为双极型晶体【tǐ】管和功率晶体管的强大竞【jìng】争【zhēng】者 。

所有MOS集成【chéng】电路(包括P沟【gōu】道MOS ，N沟道【dào】MOS
，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以【yǐ】防止电压击【jī】穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚【hòu】度大约【yuē】是25nm
、50nm、80nm三种
。在集成电【diàn】路高阻抗栅前面还有电阻 —— 二极【jí】管【guǎn】网【wǎng】络进【jìn】行保护 ，虽【suī】然如此
，器件【jiàn】内【nèi】的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指【zhǐ】出 ，在高电压放电时器件会失效
，器件也可能为【wéi】多次【cì】较【jiào】低电压放电的累【lèi】积而失效。

按损伤的【de】严重程【chéng】度静电损害有多种【zhǒng】形式，最严重的也是最容易发【fā】生的是【shì】输入【rù】端或输出端的完全破【pò】坏以【yǐ】至于与电源端VDD GND短路或开路【lù】 ，器件完【wán】全丧失【shī】mos管场效应管在使用时要注意什么了【le】原【yuán】有的功能 。稍次一等严重【chóng】的损害【hài】是出现断续的失效或【huò】者【zhě】是【shì】性能的退【tuì】化
，那就【jiù】更难【nán】察觉
。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性【xìng】能变坏【huài】。

MOS管的定义

MOS管做为电压驱【qū】动大电流型【xíng】器件，在电路尤其是【shì】动力系统中大量【liàng】应用 ，MOS管有【yǒu】一些特性【xìng】在实际应【yīng】用中是我们应【yīng】该特别注意的MOS管体【tǐ】二极【jí】管，又称寄生二【èr】极管
，在单个MOS管器件中【zhōng】有，在【zài】集成电路光刻【kè】中没有 ，这个二极【jí】管【guǎn】在大【dà】电流驱动【dòng】中和感性负载时可【kě】以起到反向保护和续流【liú】的作用
，一【yī】般【bān】正向导通压降【jiàng】在0.7~1V左【zuǒ】右 。

因为这个【gè】二极管的存在，MOS器件【jiàn】在【zài】电【diàn】路中【zhōng】不能简单地看到【dào】一个【gè】开关的作【zuò】用 ，比如充电电【diàn】路中
，充电完成，移除【chú】电源后 ，电池会反向向外部供【gòng】电
，这个通常是【shì】我【wǒ】们不愿【yuàn】意看到的结果
。

一般解决【jué】的方法【fǎ】是在后面增加一个二极【jí】管来防止反向供电【diàn】，这样虽【suī】然可【kě】以做到【dào】 ，但是二【èr】极管的特性决定必须有0.6~1V的正向压降
，在【zài】大电流的情况下【xià】发热严重，同【tóng】时造成能源的浪费 ，使整机能效低【dī】下。还有【yǒu】一【yī】个方法是再增加一【yī】个背靠背的MOS管，利用MOS管低导通电阻来达【dá】到节能的【de】目【mù】的
，这【zhè】一特性另一个常【cháng】见的应【yīng】用为低压同【tóng】步整流 。

注意事项

MOS管【guǎn】导通后的无方向性，MOS在加压【yā】导通后 ，就类似【sì】于一【yī】根导【dǎo】线【xiàn】
，只具有电阻特性，无导通压【yā】降 ，通常饱和【hé】导通电阻为几到几【jǐ】十毫欧
，且无【wú】方向性，允许直流和交【jiāo】流【liú】电通过
。

使用MOS管的注意事项

1)为了安全使用MOS管 ，在线路【lù】的设【shè】计中不能超过管的耗【hào】散【sàn】功率【lǜ】
，最【zuì】大漏源电【diàn】压 、最大栅源电【diàn】压和最大【dà】电流等参数的极限值。

2)各类型MOS管在使用时，都要严格按【àn】要【yào】求的偏置【zhì】接入【rù】电路【lù】中 ，要遵守MOS管偏【piān】置的极性 。如结【jié】型MOS管【guǎn】栅【shān】源漏【lòu】之间是PN结
，N沟道管栅极【jí】不能加【jiā】正【zhèng】偏压;P沟道管栅【shān】极不能加负偏压，等等
。

3)MOS管由于输入阻抗【kàng】极高 ，所【suǒ】以在运【yùn】输
、贮藏中必须将引【yǐn】出脚短【duǎn】路，要用金【jīn】属屏【píng】蔽【bì】包装
，以防止外来感应电势将栅【shān】极击穿。尤其要【yào】注意，不能将MOS管【guǎn】放入【rù】塑料盒子内 ，保【bǎo】存时【shí】最好放在金属盒内
，同时也要注意管的防【fáng】潮 。

关于mos管场效应管在使用时要注意什么和mos场【chǎng】效【xiào】应【yīng】管应用的介【jiè】绍到此【cǐ】就结束了，不知道你从中找到你需要的【de】信息【xī】了【le】吗 ？如果你还想了【le】解更多这方面的信息 ，记得收藏关注本站。