mos管的引脚定义_mos管脚位图

谁能帮我看看电路图上场效应管的三个引脚分别是什么？很简单的问题 。

场【chǎng】效应【yīng】管与【yǔ】普通三极管功能一样 ，三个电极对应【yīng】为：发射【shè】机---源极S
，基极--栅极【jí】G，集电极--漏极D
。IRF640管脚【jiǎo】排列为（管脚【jiǎo】朝下【xià】 、面对型号【hào】）左起1脚为【wéi】G ，2脚为D，3脚【jiǎo】为肆液【yè】前S。

从门【mén】极向【xiàng】漏【lòu】极扩展的过度层将【jiāng】沟道的一部分构【gòu】成【chéng】堵塞型
，ID饱和 。将【jiāng】这【zhè】种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟【gōu】道的一部分阻挡，并不是【shì】电【diàn】流【liú】被切【qiē】断
。

扩展资料：

作用：

场效应【yīng】管可应用于放大。由于场效应【yīng】管放【fàng】大器的【de】输入阻抗很【hěn】高【gāo】 ，因此耦合电容【róng】可以容量较小
，不必使用电解电容【róng】裂【liè】清器 。场效【xiào】应管很高【gāo】的输入阻抗非常【cháng】适合作阻抗变换
。常用于【yú】多级放大器的输入级作阻抗变【biàn】换【huàn】。场效应管可埋败以用作可【kě】变【biàn】电【diàn】阻 。

mos管至少有四个引脚 ，四个引脚分别怎么用？

MOS管只有四【sì】个【gè】引脚
，即漏极
、栅极、源极和衬底
。

NMOS和PMOS的接法是不一样的。

NMOS：漏极→输【shū】出【chū】信号 、栅极→输入信号、源【yuán】极→低【dī】电平(或【huò】地)
、衬悔穗稿底→低电【diàn】平(或地) 。

PMOS：漏极【jí】→输出信【xìn】号、栅极碧孝→输入【rù】信号【hào】 、源极→高电平(或电源)
、衬底→高电族【zú】睁【zhēng】平【píng】(或电源【yuán】)
。

MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极 、栅极【jí】。多余【yú】的【de】管脚或者是同名管【guǎn】脚【jiǎo】（在内部和【hé】漏【lòu】极
、栅极相连，特别【bié】是有些大功率管） ，或者是空脚（没【méi】有内【nèi】部连接
，只起【qǐ】焊接固定【dìng】作用） 。

我想问问mos管三个引脚怎么区分

判【pàn】定栅极【jí】G：将万用表【biǎo】拨至【zhì】R×1k档灶禅,用【yòng】万用表的负极任意接一电极,另一【yī】只表笔依【yī】次去接触其余的两个【gè】极,测其电阻.若【ruò】两次测得的电阻值近似相等,则【zé】负表笔所接触的为【wéi】栅极,另外两【liǎng】电极为漏极和【hé】源极.漏极和源极互换,若两次【cì】测出的电阻都很大,则为N沟【gōu】道；若两次测得的阻值【zhí】都咐辩液很小【xiǎo】,则为P沟道
。判定源极S、漏极D：在源【yuán】-漏【lòu】之间有【yǒu】一个PN结,因此根据PN结正 、反【fǎn】向【xiàng】电阻存在差异,可识别S极与D极【jí】.用交【jiāo】换【huàn】表笔【bǐ】法测两次【cì】电阻,其中【zhōng】电阻值较低(一般【bān】为几千【qiān】欧至【zhì】十衡物几千【qiān】欧)的一次为正向电阻,此时【shí】黑表笔的是S极【jí】,红表【biǎo】笔【bǐ】接【jiē】D极。

mos管，即在集【jí】成电路中绝缘性场【chǎng】效应管 。是金属(metal)—氧【yǎng】化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶【jīng】体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半【bàn】导【dǎo】体
。MOS管的【de】source和【hé】drain是可【kě】以对调的 ，都是在P型backgate中形成的N型区。在【zài】多数情【qíng】况【kuàng】下
，这个两个区【qū】是一样的，即使两端对调【diào】也不会【huì】影响【xiǎng】器件的性能【néng】 。这样的器件被认为【wéi】是【shì】对称的
。

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场效应管（MOS）三个脚怎么区分？N和P怎么区分？

场效应管

mos管的引脚定义的

栅极

相当于

晶体管

的

基极

mos管的引脚定义，源极和漏极分别对应于晶体管的

发射极

和

集电极

。将

万用表

置于R×1k档mos管的引脚定义
，用两

表笔

分别测量每两个管脚间的正
、

反向

电阻

 。当某两【liǎng】个管脚间的正【zhèng】、反【fǎn】向电阻相等，均为数KΩ时 ，则这两【liǎng】个管脚为漏极D和【hé】源极S（可互换【huàn】）
，余下的一个管脚【jiǎo】即【jí】为栅极G
。

根据场效应管的

PN结

正【zhèng】 、反向【xiàng】电阻值不一【yī】样的数核现象，可【kě】以判别【bié】出

结型场效应管

的三个电极mos管的引脚定义：若两【liǎng】次测出的电阻值均很大 ，说明【míng】是【shì】PN结【jié】的反向
，即都是反向电阻，可【kě】以判定是N

沟道

场效应管 ，且薯迅掘

黑表

笔接的是栅极mos管的引脚定义；若两次测出的电【diàn】阻值【zhí】均很【hěn】小
，说明【míng】是【shì】正向PN结，

即是

正向电阻

 ，判定为P沟道场效昌逗应管
，黑【hēi】表【biǎo】笔接【jiē】的也是栅极。

MOS管【guǎn】的引脚 ，G 、S、D分别代【dài】表什么？

G：gate

栅极；S：source

源极；D：drain

漏极 。N沟【gōu】道的电源一般握茄接【jiē】在D，输出S
，P沟道的电源一般接在S，输出D
。增【zēng】强耗尽接【jiē】法基本一样。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel

MOS管 ，或NMOS 。P-channel

MOS（PMOS）管也段模察存在
，是【shì】一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组【zǔ】成的PMOS管【guǎn】
。

扩展资码颤料

mos管【guǎn】是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体【tǐ】(semiconductor)场【chǎng】效应晶体管，或者【zhě】称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的 ，他【tā】们都【dōu】是在P型backgate中形成的N型区 。在多【duō】数【shù】情况下
，这【zhè】个两个区是一样【yàng】的，即使【shǐ】两【liǎng】端对调也不会影响【xiǎng】器件【jiàn】的性【xìng】能。这样的器件被认为是【shì】对【duì】称的
。

参考资料mos管_搜狗百科

IRF3808这个mos管
。。

正面缺并伏信看

4 是散伏厅迹热片

1 - GATE

2 - DRAIN

3 - SOU RC E

4 - DRAIN

根据客户要求的不同 ，我司有针对mos管的引脚定义产品多种技术处理方案
，技术资料也有所不同，所【suǒ】以不【bú】能【néng】直【zhí】接呈现 ，有需求的客户请【qǐng】与联系【xì】我【wǒ】们【men】洽淡13715099949/联系【xì】13715099949/13247610001
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