mos管好坏测量视频_mos管的测量好坏

如何判断mos管的好坏？

一.红左【zuǒ】 ，黑【hēi】中 、右无穷大黑左
，红【hóng】中
、右无穷大红中【zhōng】，黑右无穷大【dà】；黑中【zhōng】红右显示530（左右）。其实场效应管三极管很好判断：有字面朝上从左【zuǒ】到右依次为：G、D 、S ，有些【xiē】管相反：S
、D、G 。我修显示器 、主板【bǎn】
、电源都是从上面的方法测绝对没问题【tí】
。你不信随【suí】便拆块板看【kàn】一看【kàn】
，场【chǎng】效应管【guǎn】在电路图板的布局【jú】及【jí】应VMOS大功率【lǜ】场效应晶体管的检测。

二．1判【pàn】别各电极与【yǔ】管型 。用万【wàn】用表R×100档，测量场效应晶【jīng】体管任意两引脚之间【jiān】的正、反向【xiàng】电阻【zǔ】值
。其中【zhōng】一次测量中【zhōng】两引脚的电阻值为【wéi】数百【bǎi】欧姆 ，这时两表【biǎo】笔所【suǒ】接【jiē】的引脚为源极S和漏极D
，而【ér】另【lìng】一引脚为栅【shān】极G。再用万用表R×10k档测量两引脚（掘薯扒漏极D与源极S）之【zhī】间的正 、反向【xiàng】电阻值 。正常【cháng】时【shí】，正【zhèng】向电阻值为2kΩ左右【yòu】 ，反向电阻值大于500kΩ
。在测量反向电阻【zǔ】值【zhí】时，红【hóng】表笔所接引脚不动
，黑表【biǎo】笔脱离所【suǒ】接引脚【jiǎo】后，先与【yǔ】栅极【jí】G触碰一下 ，然后【hòu】再去接原【yuán】引脚
，观察万用表读数【shù】的变化情况【kuàng】。若万用表读数由原来较大阻【zǔ】值变为0，则此【cǐ】红表笔【bǐ】所接的即【jí】是【shì】源【yuán】极S ，黑【hēi】表笔所接为【wéi】漏极【jí】D 。用黑【hēi】表笔触发【fā】栅极G有效
，说明该管【guǎn】为N沟道场效应【yīng】管。若万用表【biǎo】读数仍为较大值，则【zé】黑表笔【bǐ】接【jiē】回原【yuán】引脚不变 ，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚【jiǎo】
，若此时万【wàn】用表读数由原【yuán】来阻值较【jiào】大变为0，则【zé】此时黑表笔接的为源极S ，红表笔接的是【shì】漏【lòu】极D
。用表红笔触发栅极G有【yǒu】效
，说明该管为【wéi】P沟道场效【xiào】应晶体管。

2．判别其好坏 。用万用表R×1k档或R×10k档【dàng】，测【cè】量场【chǎng】效应管【guǎn】任意两脚之【zhī】间【jiān】的正【zhèng】、反向电【diàn】阻【zǔ】值【zhí】
。正常时 ，除漏【lòu】极与【yǔ】源极的正向电阻【zǔ】值【zhí】较【jiào】小外，其余各【gè】引脚之间【jiān】（G与D
、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若【ruò】测得某判昌两极之间的【de】电阻【zǔ】值【zhí】接近【jìn】0Ω
，则说明该管已击【jī】穿【chuān】损坏 。另外，还可以用触发栅【shān】极（P沟道场效应手逗晶体管【guǎn】用红表笔触【chù】发 ，N沟道场效应【yīng】管【guǎn】用黑【hēi】表笔【bǐ】触【chù】发）的方法来判【pàn】断场应管【guǎn】是否损坏
。若触发有效（触发栅极G后
，D 、S极之间的【de】正
、反向【xiàng】电阻【zǔ】均变为0），则可确定该管性能【néng】良好。用吧三,1用【yòng】10K档【dàng】,内有【yǒu】15伏电池.可提供导通电压.2因【yīn】为栅【shān】极等效【xiào】于电【diàn】容,与任何脚不通,不论N管或P管【guǎn】都很容易找【zhǎo】出栅极来【lái】,否【fǒu】则是坏管.3利用表笔对栅源间【jiān】正向或反向充电,可使漏源通或断,且【qiě】由【yóu】于栅极上电荷能保持【chí】,上述两【liǎng】步可分先【xiān】后【hòu】,不必同步,方便.但要放电时需短路管【guǎn】脚或反【fǎn】充.4大都源漏【lòu】间有反并【bìng】二极管,应【yīng】注意,及帮助判【pàn】断.5大【dà】都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源 。

mos管怎么测试好坏

测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管mos管好坏测量视频的源极【jí】与漏【lòu】极、栅极与源极【jí】 、栅极与漏极
、栅极G1与【yǔ】栅极G2之间的【de】电【diàn】阻值同MOS管手册标明的电阻【zǔ】值【zhí】是否相符【fú】去判别【bié】管的好【hǎo】坏
。具【jù】体【tǐ】方法：首先【xiān】将万用表置于R×10或R×100档mos管好坏测量视频 ，测量源极S与漏极D之间的电阻mos管好坏测量视频
，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知mos管好坏测量视频，各【gè】种不【bú】同型【xíng】号【hào】的【de】管 ，芦薯其【qí】电【diàn】阻值是各不相同【tóng】的)
，如果测得阻值大于正常【cháng】值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是【shì】无穷【qióng】大【dà】 ，可【kě】能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档
，再测栅极G1与G2之【zhī】间、栅极与源极 、栅【shān】极与漏极【jí】之【zhī】间的电阻值，当测得其各项电【diàn】阻值均为【wéi】无穷大 ，则陪御者说明【míng】管是正常的;若【ruò】测得上述各拆神【shén】阻值太小或为通【tōng】路，则说【shuō】明管是坏的【de】 。要注【zhù】意
，若两个栅极在【zài】管内断极【jí】，可用【yòng】元【yuán】件代换法进【jìn】行检测
。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好【hǎo】坏及引脚的方法：以N沟道【dào】MOS场【chǎng】效应管为例。

一
、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电 ，将三个脚短路即可；

1 、首先找出场效应管的D极【jí】（漏极） 。对于TO-252
、TO-220这类封装的带有散【sàn】热片【piàn】的【de】场效应管
，它们的散热【rè】片在内部是与管子的D极相【xiàng】连的，故我们可用数字万用表【biǎo】的二极管档【dàng】测【cè】量管【guǎn】子的各个引脚 ，哪个引【yǐn】脚与散【sàn】热片相连
，哪个【gè】引脚就是D极。

2、找到D极后，将万用表调至二极管档；

3 、用黑表笔接触【chù】管子【zǐ】的【de】D极 ，用红表笔分别接触管【guǎn】子的另外两个【gè】引【yǐn】脚【jiǎo】
。若接触到【dào】某【mǒu】个引脚时
，万用表显示的读数为一个硅二【èr】极管的【de】正向压降，那么该引脚即为S极（源极） ，剩下的那个引脚【jiǎo】即【jí】为G极（栅【shān】极）。

二、MOS管好坏的测量：

1
、当把【bǎ】红表笔放在S极上
，黑表笔【bǐ】放在【zài】D极上，可以测出来这个导【dǎo】通压【yā】降【jiàng】 ，一般【bān】在【zài】0.5V左右【yòu】为正常；

2、G脚测【cè】量，需要先【xiān】对【duì】G极【jí】充【chōng】下电
，把红表笔放在G极，黑表笔【bǐ】放在S极；

3 、再【zài】次把红【hóng】表【biǎo】档行纯笔放在【zài】S极上 ，黑表笔放在D极上
，可以测【cè】出来这个【gè】放【fàng】大压【yā】降，一般在0.3V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1
、开启电压VT

开启电压（又【yòu】称阈值电【diàn】压）：使得源极S和漏极D之间开始形【xíng】成导电【diàn】沟【gōu】道【dào】所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管 ，VT约为【wéi】3～6V；通过工艺上的改【gǎi】进
，可以使【shǐ】MOS管的VT值降到2～3V 。

2、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超过1010Ω
。

3. 、漏源击穿电压BVDS

在VAH =0（增强型【xíng】）的条件下，在增加漏源电压过程【chéng】中使ID开始【shǐ】剧增时的【de】VDS称【chēng】为漏源【yuán】击穿电【diàn】压【yā】BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中【zhōng】 ，其沟道长度【dù】较短【duǎn】
，不断【duàn】增加【jiā】VDS会使漏区【qū】的【de】耗尽层一直扩展到源区，使【shǐ】沟道长度为零 ，即产生漏【lòu】源间的穿通
，穿通后，源区【qū】中的【de】多【duō】数载流子【zǐ】 ，将直【zhí】接受耗尽层电【diàn】场的吸引，到达【dá】漏区
，产生【shēng】大的ID。

4
、栅源击穿电压BVAH

在增【zēng】加栅源电【diàn】压过程中【zhōng】，使栅极电流【liú】IG由【yóu】零开始【shǐ】剧增时的VAH ，称为栅源击穿电压【yā】BVAH  。

5、低频跨导gm

在VDS为【wéi】某【mǒu】一固定数【shù】值的条件下
，漏极【jí】电流的微变量和引起这个【gè】变【biàn】化的栅源【yuán】电压微变量之比【bǐ】称为【wéi】跨导；

gm反映了栅源电行咐压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6 、导通电阻RON

导通电阻RON说明带姿【zī】了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一【yī】点切线【xiàn】的斜率【lǜ】的倒【dǎo】数【shù】

在饱和区【qū】
，ID几乎不随VDS改【gǎi】变，RON的数【shù】值【zhí】很大 ，一【yī】般【bān】在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中
，MOS管导通时经常工作在VDS=0的【de】状态下，所以【yǐ】这时的【de】导【dǎo】通电阻RON可用原点的【de】RON来近似

·对一般的MOS管而言 ，RON的数值在几百欧以内

7
、极间电容

三个电极之【zhī】间都存【cún】在着极间电容：栅源电容CAH 、栅漏电容【róng】CGD和漏源电【diàn】容CDS

CAH 和CGD约为1～3pF
，CDS约在【zài】0.1～1pF之间

8 、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动【dòng】的不规则性所【suǒ】引起【qǐ】的
。·由于它的存在，就使一个放【fàng】大器【qì】即便【biàn】在没有信【xìn】号输人【rén】时 ，在【zài】输出端【duān】也出现不规则的【de】电压或电【diàn】流变化

噪声性能【néng】的大【dà】小通常用噪声系数NF来表【biǎo】示，它的单位【wèi】为分贝（dB）。这个数值【zhí】越【yuè】小
，代表管【guǎn】子【zǐ】所【suǒ】产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应【yīng】管的噪声系数约【yuē】为几个【gè】分贝，它比双极性三极管的【de】要小

ASEMI的MOS管10N65如何测量好坏

编辑-Z

为什么要检测mos管的好坏mos管好坏测量视频？

为了保护【hù】板【bǎn】上的其【qí】他【tā】元件 ，在将MOS管10N65连接到【dào】电路之前对其进行【háng】测试至关重要 。mos管10N65主要有漏极【jí】
、源极和【hé】栅极三个引【yǐn】脚
。

当使【shǐ】用有故障的MOS管时
，会【huì】发生漏【lòu】极到栅极的短【duǎn】路【lù】，对电路不利。这种短路的【de】结春轮【lún】果可能是漏极电压反馈 ，这【zhè】也【yě】会【huì】影响栅极【jí】端【duān】子 。电压到【dào】达该端后
，通过【guò】栅极电阻进一步【bù】传输到驱动电路，这种传【chuán】输可能对驱动电路造成【chéng】进【jìn】一步【bù】的【de】损坏
。因此 ，在使用【yòng】前检测mos管10N65的质量可以避免【miǎn】损坏整个电路。那么ASEMI的MOS管10N65如【rú】何测量好坏【huài】呢【ne】？

测量mos管10N65好坏时要注意的几点

在【zài】测【cè】试mos管时
，您需要采【cǎi】取一些预防【fáng】措施 。主要是mos管好坏测量视频：

1、必须保证【zhèng】输【shū】入【rù】电源大于等于MOS管10N65的阈值伍肆电压。

2 、MOS管【guǎn】的【de】漏极电压和栅极电压不【bú】能【néng】超过击穿电压
。

3、应选择合适的限流电阻给LED供电。

4
、连接【jiē】时应始终使用栅源电阻 。这将有助于避【bì】免栅极处的噪声，也【yě】有助于释放器【qì】件的【de】寄【jì】生电【diàn】容【róng】
。

5、在mos管【guǎn】的栅极处【chù】应始终使用低量【liàng】程电阻。

6 、最后 ，通过【guò】测试电路技术【shù】进行测【cè】试时
，一定【dìng】要使用【yòng】低端【duān】开关电路【lù】 。否则，mos管将无法工作
。

用万用表测量mos管10N65的好坏——电阻测试

当MOS管的栅端没有触发脉冲时腔【qiāng】森【sēn】轿 ，它【tā】的漏源电阻很高。电阻测试【shì】就是利【lì】用【yòng】这个【gè】属【shǔ】性来测试mos管10N65是否有故障 。测试也很简单【dān】，只需要【yào】一个欧姆表或【huò】万用表即【jí】可执行
。

做一个【gè】电阻检查【chá】
，无【wú】论数字【zì】万用表探头的极性如何，一【yī】个好的mos管应该在漏【lòu】极和源极之间有很【hěn】高的电阻【zǔ】。

以下是进行电阻测试的一些基本步骤：

1
、无论欧姆表【biǎo】探【tàn】头的【de】连接如何 ，功能【néng】良好的【de】mos管10N65都应指示【shì】高漏源电阻 。

2、也可以用万用表检查漏【lòu】源【yuán】电阻
。将万【wàn】用表置于电阻模式开始测【cè】试【shì】
，万【wàn】用表电阻读数应高到【dào】以兆欧为单位【wèi】。

3 、将万用表的读数与mos管【guǎn】10N65的数据表【biǎo】进行比较 。如果【guǒ】您发现电阻读数小于【yú】数据表上的值或【huò】为【wéi】零，则存【cún】在故障。仪表【biǎo】或欧【ōu】姆表应显示数据【jù】表上的电阻
。

如何用万用表检测MOS管是好是坏？

以N沟道MOS场效应管5N60C为例mos管好坏测量视频 ，来详细介绍一下具体mos管好坏测量视频的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字万用表二极【jí】管档正【zhèng】向测量【liàng】5N60C的D-S两【liǎng】极 。

测量【liàng】5N60C好坏时
，首先将万用表量【liàng】程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空 ，用红【hóng】黑表笔分【fèn】别接触5N60C的D-S两【liǎng】极
，若【ruò】是好的管【guǎn】子，万用表显示为【wéi】“OL” ，即溢出（见上图）
。

3.用数字万用表二极管档反向测量【liàng】5N60C的D-S两极。

然后调【diào】换【huàn】红黑表笔
，再去测【cè】量D-S两【liǎng】极，则万用表显示的读数为一个硅二极管【guǎn】的正向【xiàng】压降（见上图【tú】） 。

若MOS场效应管【guǎn】内部D-S两极之间的寄生【shēng】二极管【guǎn】击穿损坏 ，用二【èr】极管档测量【liàng】时，万用表显示的读数【shù】接近于零【líng】
。

4.用【yòng】万用表的二极管档给【gěi】5N60C栅【shān】源两极【jí】（G-S两极【jí】）之间的电容充【chōng】电。对于N沟道【dào】MOS场效应管充电时
，红表笔应接管子的G极【jí】，黑表笔接管子的S极【jí】 。

在测量完5N60C的D-S两极 ，并且确实是好的之后
，然后用二极【jí】管【guǎn】档给MOS场效【xiào】应管【guǎn】的栅【shān】源【yuán】两极【jí】之间的电容充电【diàn】
。

由于MOS场效应【yīng】管的简裂前输入【rù】电【diàn】阻在GΩ级（GΩ读【dú】作吉欧，1GΩ＝1000MΩ） ，数字万用表二极管档的【de】开路测量电压约为【wéi】2.8～3V
，故【gù】用二极【jí】管档【dàng】的测量电压【yā】给MOS场效应管的【de】栅源两极之间的电容充电后，可以使MOS场【chǎng】效应管D-S两【liǎng】极之间的电阻变【biàn】得很小 ，故用【yòng】这个【gè】方法可以测【cè】量场效应【yīng】管G-S两【liǎng】极之间是否损坏。

5.5N60C的G-S两极间的电容充电后【hòu】
，用电阻档实测D-S两极【jí】之间的【de】正向【xiàng】电【diàn】阻为155.4Ω 。

6.用万用表【biǎo】电阻档实测5N60C的D-S两极之【zhī】间的反向【xiàng】电阻为67.2Ω
。

上面为一【yī】个【gè】好的【de】N沟道MOS场【chǎng】效应管【guǎn】的测量数据。对于P沟道MOS场效应管的测【cè】量【liàng】方法与上述测量【liàng】一样【yàng】，只是万【wàn】用表表笔需要调换一下极性【xìng】 。

扩展资料：

mos管是【shì】金【jīn】属(metal)—氧【yǎng】化物【wù】(oxide)—半【bàn】导体(semiconductor)场效【xiào】应晶体管 ，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导【dǎo】体。MOS管的【de】source和drain是可以对调的
，mos管好坏测量视频他们都是在P型【xíng】backgate中【zhōng】形成的N型【xíng】区
。在多数情况下【xià】，这个【gè】两个区是【shì】一样【yàng】的 ，即使两端对调【diào】也不【bú】会影响器件的性能。这样【yàng】的器件被【bèi】认为是对称的 。

场效应管【guǎn】（FET），把输【shū】入【rù】电压的【de】变化转【zhuǎn】化为输出电流的【de】变化
。FET的增益等于它的transconductance
， 定【dìng】义为输出电【diàn】流【liú】的变化【huà】和输入电压【yā】变化之比。市面上常【cháng】有拦【lán】清的一般为N沟道和P沟道，详情参考右【yòu】侧图片【piàn】（N沟道耗尽型MOS管） 。而【ér】P沟道常见的为低【dī】压mos管
。

场效应管通过投影一个【gè】电场在一【yī】个绝缘【yuán】层上来影响流过晶体管的电【diàn】流。事实上【shàng】没有【yǒu】电流流过这个绝【jué】缘体 ，所以FET管的GATE电流非常【cháng】小【xiǎo】 。

最【zuì】普通的FET用一薄层二氧【yǎng】化硅来作为GATE极下的绝缘【yuán】体
。这种晶体管称【chēng】为金属氧化物【wù】半导体【tǐ】(MOS)晶体【tǐ】管
，或,金属氧化物半导体场【chǎng】效应管（MOSFET）。因为【wéi】MOS管更小更省电，所以他们已经【jīng】在【zài】很多应【yīng】用场合【hé】取代【dài】mos管好坏测量视频了双极源春型晶体管 。

请问使用万用表如何检测MOS管好坏

万用表检亩蠢困测MOS管好坏的简便方法

1.用黑表笔接在【zài】D极上 ，红表笔接在S极【jí】上
，一般有【yǒu】一个500-600的阻值

2.在黑【hēi】表笔【bǐ】不动的前提下，用红表笔【bǐ】点一下G极 ，然【rán】后再【zài】用红表笔测【cè】S极【jí】
，就会出现导通

3.红表笔【bǐ】接D极，黑档【dàng】槐表笔点一下G极【jí】后再【zài】接S极 ，测得【dé】的阻值和1测的【de】是一样的则迅念说明MOS管工作正常

关于mos管好坏测量视频和mos管的【de】测量【liàng】好坏的介绍到此就结束了
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