mos管三个引脚图顺序_mos管三个引脚作用

mos管的引脚【jiǎo】 ，G
、S、D分别代表什么？

G：gate 栅极mos管三个引脚图顺序；S：source 源极mos管三个引脚图顺序；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在Dmos管三个引脚图顺序
，输出S，P沟道的【de】电源一【yī】般接在【zài】S ，输【shū】出D 。增【zēng】强耗【hào】尽接法基本一样
。

晶体管【guǎn】有N型channel所【suǒ】有它称【chēng】为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在
，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型哗态source和drain组成的PMOS管 。

扩展资料

MOS管有很多种类，也有很【hěn】多作【zuò】用。做【zuò】电源或者【zhě】驱动的使用 ，当然就是用它的开关作用
。

无【wú】论N型或者P型【xíng】判桐MOS管
，其工作原理本质是一【yī】样的【de】。MOS管是由加【jiā】在【zài】输入端栅极的电乱冲源压来控制输出端漏极的电【diàn】流 。MOS管是【shì】压控器件它通过加【jiā】在【zài】栅极上的电压控制器件的特性，不会【huì】发【fā】生像三极管【guǎn】做开关【guān】时的因基极电【diàn】流引起的【de】电荷存储效应【yīng】 ，因此在开关应用中
，MOS管的开关【guān】速度应该比三极管快
。

参考资料来源：百度百科—MOS管

谁能帮我看看电路图上场效应管的三个引脚分别是什么？很简单的问题 。

场效应管与普通三极【jí】管功能一【yī】样【yàng】，三个电极对应【yīng】为：发【fā】射机【jī】---源【yuán】极S ，基极【jí】--栅极G
，集电【diàn】极--漏【lòu】极D
。IRF640管【guǎn】脚排【pái】列为（管脚朝下 、面对型【xíng】号）左起1脚为【wéi】G，2脚为D ，3脚为肆液前S。

从门极向漏极扩【kuò】展的过【guò】度层将沟道的一部分构成堵塞型
，ID饱和 。将这种【zhǒng】状态称为夹断【duàn】
。这意【yì】味着【zhe】过渡层【céng】将【jiāng】沟道的一部分阻【zǔ】挡，并不是【shì】电流被切断。

扩展资料：

作用：

场效应管可应【yīng】用于放【fàng】大 。由于场效应【yīng】管放大【dà】器的【de】输【shū】入阻抗很高 ，因此耦合电容可以【yǐ】容量【liàng】较【jiào】小，不必使用电解电容裂清器
。场效应管很高的输入阻抗非常适合作【zuò】阻抗【kàng】变【biàn】换【huàn】。常用于【yú】多【duō】级放大器的输入级作阻抗变换【huàn】 。场效应【yīng】管【guǎn】可埋【mái】败以用作可变电阻。

MOS管在开关电路中的使用

MOS管也就是常说的场效应管（FET）mos管三个引脚图顺序
，有【yǒu】结型场【chǎng】效应【yīng】管、绝缘栅型场效应管（又【yòu】分为【wéi】增强型和耗尽【jìn】型【xíng】场扰指差效应管【guǎn】）
。

也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里mos管三个引脚图顺序我们就按照P沟道和N沟道分类。

对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下 。

场效应管【guǎn】的作用主要有信号的转【zhuǎn】换【huàn】
、控制电路的通【tōng】断 ，这里我们【men】讲【jiǎng】解的【de】是MOS管作为【wéi】开关管的使用
。

对于MOS管的选型缓皮
，注意4个参数mos管三个引脚图顺序：漏源【yuán】电压（D、S两端承受的电压【yā】） 、工作【zuò】电流（经过【guò】MOS管的【de】电路【lù】）
、开【kāi】启电压（让MOS管导通的G、S电压） 、工作频率（最大的【de】开关频率）。

下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：

有三个引脚 ，分别【bié】为G（栅极【jí】）
、S（源【yuán】极）、D（漏【lòu】极） 。

在开【kāi】关电路中
，D和S相当于需要接通的电路两【liǎng】端，G为【wéi】开【kāi】关控制
。

这里分享一个自己的分辨P沟道和N沟道的方法 ，我们就【jiù】看【kàn】中间的【de】箭头
，把G（栅【shān】极【jí】）连接的部分当做沟道【dào】，大家都【dōu】知【zhī】道PN结 ，而不是NP结【jié】
，那么就是【shì】P指向【xiàng】N的，所以脑【nǎo】海里想到这样的情景【jǐng】 P--N ，所以【yǐ】箭头都是P--N的【de】，那么中间的箭【jiàn】头指向的【de】就是N
，如果指向沟道那就是N沟道，如果【guǒ】指向的是【shì】S（没【méi】有指向沟道） ，那就是P沟道。

这个方法也适用于三极【jí】管的判别【bié】（NPN 、PNP） 。

在上图【tú】中我们可以看到【dào】右边【biān】都有一个寄【jì】生二极管
，起【qǐ】到保护的作用
。

那【nà】么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电【diàn】路【lù】连接中，D和【hé】S应该如何连接【jiē】。使用有寄生二【èr】极【jí】管的【de】N沟道【dào】MOS管的情【qíng】况下 ，D的电压要高于S的【de】电【diàn】压
，否则MOS管无法【fǎ】正【zhèng】常工作【zuò】（二极【jí】管【guǎn】导通） 。

使用有寄生【shēng】二极管的P沟道MOS管【guǎn】，S的电压要高于【yú】D的电压 ，原【yuán】因同上
。

下面是MOS管【guǎn】的导通条件
，只要【yào】记住电压方向【xiàng】与【yǔ】中【zhōng】间【jiān】箭头方向相反即为导通【tōng】（当然这个相反电压需【xū】要达到MOS管【guǎn】的开启电压）。

比如导【dǎo】通电压为3V的N沟道【dào】MOS管，只要【yào】G的【de】电压比S的电压高【gāo】3V即【jí】可导通【tōng】（D的电【diàn】压也要比S的高） 。

同理 ，导通电压为3V的P沟道MOS管
，只要G的电压【yā】比S的电压低3V即可导通（S的电【diàn】压【yā】比【bǐ】D的高）。

在电路中的典型逗桐应用【yòng】如下图所【suǒ】示，分别为【wéi】N沟【gōu】道与P沟道【dào】的【de】MOS管驱【qū】动电路：

我【wǒ】们可以【yǐ】看到 ，N沟道的【de】MOS管的电路中，BEEP引脚【jiǎo】为高【gāo】电平【píng】即可导【dǎo】通
，蜂鸣【míng】器发出声音，低电平关闭蜂鸣器【qì】；

P沟道【dào】的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断 ，GPS_AH R引【yǐn】脚为低电平【píng】时【shí】导通【tōng】
，GPS模块正常供【gòng】电，高【gāo】电平时GPS模块断【duàn】电【diàn】
。

重点
、重点、重点 ，以【yǐ】上两个【gè】应【yīng】用电路中
，N沟道和P沟【gōu】道MOS管不能【néng】互相【xiàng】替代，如下两个应用电路不能【néng】正常工【gōng】作【zuò】：

对于上面两个电路如何修改能正常工作？

MOSFET场效应管的三个接线柱怎么接啊？

对【duì】于【yú】MOSFET型场【chǎng】效应管【guǎn】来说 ，他有三【sān】个电【diàn】极团伏闷
，即栅极G（控制） 、漏极D和【hé】源极S（被控制），对于【yú】N沟道的（就是箭头指向栅极的内个）D
、G接高电平（+） ，S接低电【diàn】平【píng】（-）
，D、S导通【tōng】（VAH 要大于夹断电压【yā】塌弯，约为1V左右 ，根据管子不同夹【jiá】断电【diàn】厅备压也不同【tóng】），电流方向为D--S 一般【bān】G的电压【yā】（相对于【yú】S）不能大于【yú】30V
，否则会击穿！（一般为【wéi】10V左【zuǒ】右）同时DS两端【duān】的耐压，和【hé】所能承受的电流也【yě】一个考虑到（例如2N60B IDS=2A VDS=600V）最后还有跨导（gm）

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