工作原理:
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输【shū】出端漏极【jí】的电【diàn】流【liú】 。MOS管是压控【kòng】器件它通过加在栅极上的【de】电压控制【zhì】器件的特性 ,不会发生像三极【jí】管【guǎn】做开关时【shí】的【de】因基极电流引起的电荷存【cún】储效应,因【yīn】此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三【sān】极【jí】管快【kuài】。其主要原理如图:
作用:
由于MOS管主要是为【wéi】配件提供稳【wěn】定的电压,所以它【tā】一般使用在CPU 、AGP插槽和内存插槽附【fù】近。其中【zhōng】在【zài】CPU与【yǔ】AGP插【chā】槽附【fù】近各安排一组【zǔ】MOS管【guǎn】 ,而内存【cún】插槽则共用了一组MOS管【guǎn】,MOS管一般是以两【liǎng】个组成一组【zǔ】的形式出现主板上【shàng】的。
定义:
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管 。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半【bàn】导体(semiconductor)场【chǎng】效应晶体管【guǎn】。或者称是金属【shǔ】—绝缘体【tǐ】(insulator)—半导体。
目前【qián】主板或显【xiǎn】卡上【shàng】使用的MOS管并不太多【duō】 ,一般有10个左右【yòu】 。主要【yào】原因是大部分MOS管集【jí】成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定【dìng】的电压【yā】,所以一般【bān】用在【zài】CPU、AGP插【chā】槽【cáo】、内存插【chā】槽附近【jìn】。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管 ,而内存插槽共用一【yī】组MOS管 。一般来说,MOS管两【liǎng】个一组出【chū】现在主板上。工作原理双极晶体管【guǎn】将输【shū】入端的小电【diàn】流变化放【fàng】大【dà】,然后在【zài】输出端【duān】输【shū】出大的电流变【biàn】化。双极晶体管的增益定义为【wéi】输出【chū】电【diàn】流与输入电流之比(β) 。另一种晶体管叫FET ,把输入【rù】电压的【de】变化转化【huà】为输出电流的变【biàn】化。它们【men】是电【diàn】流控制装置和电压控【kòng】制装置。FET的增【zēng】益【yì】等【děng】于其跨导)gm,跨导定义为输出电流【liú】的【de】变【biàn】化【huà】与输入电压的变化之【zhī】比 。FET的名字也来源于【yú】它的输入【rù】栅【shān】极(称为gate),它通过在【zài】绝缘层【céng】(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上【shàng】没有电流流【liú】过这个绝【jué】缘体(只是电容的作【zuò】用) ,所以FET的栅极电【diàn】流很小(电【diàn】容的电流损耗)。最常见【jiàn】的FET在栅电极下使用一【yī】薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体【tǐ】管被称为金【jīn】属【shǔ】氧化物半导【dǎo】体(MOS)晶体管,或【huò】金属氧化物半导体场效应【yīng】晶体【tǐ】管(MOSFET) 。
MOS管【guǎn】一般又叫场【chǎng】效应管【guǎn】,与【yǔ】二极管和三【sān】极管不同,二极【jí】管只能通【tōng】过【guò】正向电流【liú】 ,反【fǎn】向截止,不能控制,三【sān】极管通俗讲就【jiù】是小电流放大成受控【kòng】的大电流 ,MOS管是小电压控制【zhì】电流的。
MOS管的输入电【diàn】阻极【jí】大,兆欧级的,容易驱动 ,但是【shì】价格比三极【jí】管【guǎn】要高,一般适用于需【xū】要小电压【yā】控【kòng】制大电流的情【qíng】况,电磁炉里一般就是用的20A或者25a的场效应管。
拓展资料:
MOS电容的特【tè】性能被用【yòng】来形成MOS管 。Gate ,电介质和backgate保持原【yuán】样【yàng】。在GATE的两边是【shì】两个额外的选择性掺【chān】杂的区域。其中一个【gè】称为source,另一个【gè】称为【wéi】drain 。假【jiǎ】设source 和backgate都接地,drain接正电压。
电【diàn】脑主板的MOS管是场效应【yīng】晶体管器件 ,两个或三个一组,或多相组合,用来与主板【bǎn】上电压控制分配 IC配合,进【jìn】行【háng】DC-DC直流电压变换 ,为CPU或内存,以【yǐ】及各【gè】板【bǎn】载IC芯【xīn】片,或接口插槽 ,提供所需工作【zuò】的稳定供电。
电脑【nǎo】主板的MOS管【guǎn】有很多,散布在【zài】CPU附近 。
在笔记本主板上用到的MOS可简单分作两大类:
信号切换【huàn】用MOS管: UG比US大3V---5V即可,实际上只要导【dǎo】通即可【kě】 ,不【bú】必须饱和【hé】导通。比【bǐ】如常见的:2N7002,2N7002E,2N7002K ,2N7002D,FDV301N。
电压通断【duàn】用MOS管: UG比US应【yīng】大于【yú】10V以上,而且【qiě】开通时必须工作在饱和导通状态【tài】 。常见的有:1448 ,1428A,7406,7702,1660 ,6428L,6718L,4496 ,4712,6402A,3404 ,3456,1660,2662URH ,R0392DPA,03B9DP。
扩展资料
笔记本主板【bǎn】上【shàng】,MOS管有一个很重要的作用:开关作用 ,MOS开关实【shí】现的是【shì】信号切换【huàn】(高低电平切【qiē】换)。再来看个MOS开关实现电压通【tōng】断的例子吧,MOS开关实现电【diàn】压通【tōng】断的例子:由+1.5V_SUS产生+1.5V电路。
MOS管【guǎn】实现的功能【néng】就是:隔离【lí】作用 。所以,所谓的MOS管的隔离作用,其实质也就是实现电【diàn】路的【de】单向【xiàng】导通 ,它就相当于一【yī】个【gè】二级【jí】管。
笔记【jì】本主板上的隔离,其实质【zhì】是将适配器【qì】电压(+19V)和电池电压(+12V左右)分隔开来【lái】。不让它【tā】们直接相通 。但又【yòu】能在拔除任意一种电源时,保证电脑都有【yǒu】持【chí】续【xù】的供【gòng】电 ,实现电源【yuán】无缝切【qiē】换。
但在电路中常用隔离【lí】MOS,是因【yīn】为:使用二级管,导通时会有压降 ,会损失一些电【diàn】压。而使用MOS管做隔离,在【zài】正向导通时,在控制极【jí】加合适的电【diàn】压【yā】 ,可以【yǐ】让【ràng】MOS管【guǎn】饱和导通,这样通过【guò】电流时几乎【hū】不【bú】产生压降 。
开【kāi】关管是MOS管和三极管的【de】一【yī】种用【yòng】途,即用于控制电路导通和【hé】关断。
区别在【zài】于MOS管使【shǐ】用【yòng】电压控【kòng】制开【kāi】关状【zhuàng】态【tài】而三极管是用电流控制开关状【zhuàng】态。MOS管和【hé】三【sān】极管也可以不用做【zuò】开关管,比如三极管经【jīng】常工作于放大区用作电流放大器【qì】件 ,这是就不能算开【kāi】关管 。
功【gōng】率管是相对【duì】于信号管而言的。如果器件【jiàn】是用于控【kòng】制功率转换的那么就是【shì】功【gōng】率管了,如【rú】果只是用于传递信【xìn】号的那就是信【xìn】号管【guǎn】了【le】。
功【gōng】率管和信号【hào】管没有严格【gé】的界限 。同【tóng】一【yī】只MOS管既能【néng】当信号管【guǎn】,也能当功率管 ,但是一般功率管的功率【lǜ】转换能力【lì】大于【yú】信号管。
扩展资料:
mos管是金属、氧【yǎng】化物 、半导体、场效应晶体【tǐ】管,或者【zhě】称是金【jīn】属—绝缘体、半导体。MOS管的【de】source和drain是【shì】可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的【de】N型区。在多数情【qíng】况下 ,这个【gè】两【liǎng】个区是一样的,即【jí】使两【liǎng】端【duān】对调也不会影【yǐng】响【xiǎng】器【qì】件的性能 。这样的器件被认为是对【duì】称的。
三极管,全称应为【wéi】半【bàn】导体三极管 ,也【yě】称双极型晶【jīng】体管 、晶体【tǐ】三极【jí】管,是一种控制电【diàn】流的半导体器件。其作用是【shì】把微弱信【xìn】号放大成【chéng】幅度值【zhí】较大的电信号,也用作无【wú】触点开关 。
功率管是在放大电路中担任末级输出的管子。
开关三极【jí】管的外形与普通【tōng】三【sān】极管外形相同,它工【gōng】作【zuò】于截止区和饱和区【qū】 ,相当于电路【lù】的切断【duàn】和导通【tōng】。由于它【tā】具有完成【chéng】断路和接【jiē】通【tōng】的作用,被广泛应用于各种开关电路中 。
参考资料:百度【dù】百科-mos管 百【bǎi】度百科【kē】-三极管 百度百科-功率管【guǎn】 百度百科-开关管
一、主体不同
1、MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管mos管是什么器件,简称金氧半场效晶体管。
2 、三极管:半导体三极管mos管是什么器件 ,也称双极型晶体管、晶体三极管mos管是什么器件,是一种控制电流的半导体器件。
二、作用不同
1 、MOS管:管分为PMOS管和NMOS管mos管是什么器件,属于绝缘栅场效应管 。
2、三极【jí】管:是把【bǎ】微弱信号放大成幅度值较【jiào】大的【de】电信号 ,也用作无触点【diǎn】开关。
三、特点不同
1 、MOS管:MOS管【guǎn】的source(源极)和【hé】drain(耗尽【jìn】层【céng】)是可以对调【diào】的,都是在P型backgate中形成的N型区【qū】。
2、三极【jí】管:是在一块半导体【tǐ】基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块【kuài】半导体分成【chéng】三部【bù】分 ,中间部分是【shì】基【jī】区,两侧部分【fèn】是发射区和【hé】集电区,排列方式有PNP和NPN两【liǎng】种【zhǒng】 。
参考资料来源:百度百科-MOS
参考资料来源:百度百科-三极管
关于mos管是什么器件和mos管又叫什么的介绍【shào】到此【cǐ】就结束了 ,不知道【dào】你从中找到【dào】你需要【yào】的信息【xī】了【le】吗 ?如果你还【hái】想了解更多这方面的信【xìn】息,记【jì】得收【shōu】藏关注本站。
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