mos管的G与【yǔ】D S用万用表【biǎo】打通断是正反接都不通,这样【yàng】可以判断出【chū】G;D与【yǔ】S之【zhī】间有一个PN结 ,市场上多【duō】得【dé】是N沟道,所以测出有正向【xiàng】二极管特【tè】性的那【nà】两【liǎng】只脚中,正【zhèng】表笔接的是S极;为进一步【bù】测试【shì】,可用万用表【biǎo】的红笔接【jiē】G ,黑【hēi】笔接S,然【rán】后【hòu】将【jiāng】红笔接到D上【shàng】,此时万用表应该【gāi】显示接近短【duǎn】路。说【shuō】明此时DS已经导通 。P沟道的反之 ,记住万【wàn】通表为数字万用表!如果是【shì】大功率的【de】管子,通常【cháng】排列【liè】是GDS。
一般【bān】正面对你,(散热片为背面)左起为GDS。拿【ná】万【wàn】用表量的话【huà】 ,S到【dào】D为正【zhèng】向二极管,拿【ná】电阻【zǔ】档量约为500K,二极管档量为0.4V。另外【wài】用电【diàn】阻档量AH后【hòu】 ,(红表笔【bǐ】接G,黑【hēi】表笔接S)DS会通 。即接两边两脚后,中间脚和另一脚会通
G:gate
栅极;S:source
源极;D:drain
漏【lòu】极。N沟道的电源一般接在【zài】D,输出S,P沟道的【de】电源一般接在【zài】S ,输出D。增强耗【hào】尽接法基本一样 。
晶体管有N型channel所有它称为N-channel
MOS管,或NMOS。P-channel
MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的【de】N型BACKGATE和【hé】P型【xíng】source和drain组成的【de】PMOS管。
扩展资料
mos管是【shì】金属(metal)—氧化物【wù】(oxide)—半导【dǎo】体(semiconductor)场效应晶【jīng】体管 ,或者称是金属—绝【jué】缘体(insulator)—半导体 。
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是【shì】在【zài】P型backgate中【zhōng】形成【chéng】的N型区【qū】。在多数情况下,这个两个区是一【yī】样的【de】 ,即使两【liǎng】端对调【diào】也不【bú】会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的 。
参考资料mos管_搜狗百科
各种【zhǒng】MOS管 ,都是具有栅【shān】极(Gate,简称G) 、漏极(Drain,简称D)、源极(Source ,简称S)三个电极。其主要【yào】的工作【zuò】原【yuán】理,就是通过在【zài】栅源之间电压的改变【biàn】,控制漏源之间的电流变化;这与三【sān】极管【guǎn】,用【yòng】基极电【diàn】流控【kòng】制【zhì】集电极电流(Ic)是不同的。优点在于【yú】 ,提供电压【yā】控制比电流【liú】控制更容易【yì】实现 。由于【yú】MOS管都【dōu】具有三个电【diàn】极,因【yīn】此,它们的顺序自然可【kě】以任意排列 ,但【dàn】使用时,一定要注【zhù】意【yì】栅极G不要搞错了,接了错误的电【diàn】压【yā】 ,容易【yì】到导致栅下氧化层【céng】被击穿,导致器件损【sǔn】坏。
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