mos管n沟道【dào】与p沟道区【qū】别_p沟道和n沟道的mos管的【de】原理图【tú】片

mos场效应管p型和n型如何区分？

MOS场效应管分J型，增【zēng】强型 ，耗尽【jìn】型【xíng】。一般来说N沟道是【shì】导【dǎo】电沟道是N型半导体
，P沟道【dào】是P型半导体【tǐ】，然后【hòu】再区分栅极压降是要正开【kāi】启还是负开【kāi】启【qǐ】 。

mos场效应管在金属【shǔ】栅【shān】极与沟道之【zhī】间有一层二氧化【huà】硅绝缘层 ，因此具有【yǒu】极【jí】高的【de】输入电阻【zǔ】
。

结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管 。

场效应管

简介

场效应【yīng】晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场【chǎng】效应管
。主要有【yǒu】两种【zhǒng】类型（junction FET—JFET)和金属 -

氧化物半导体场效应管【guǎn】（metal-oxide semiconductor FET
，简称MOS-FET）。由【yóu】多数【shù】载流子参与导电【diàn】，也称为单极型晶体管 。它属于电压控制【zhì】型【xíng】半【bàn】导【dǎo】体器件。具【jù】有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小 、功耗低
、动态【tài】范围【wéi】大【dà】、易于【yú】集成 、没有【yǒu】二【èr】次击【jī】穿现象
、安全工作区域宽等【děng】优点 ，现【xiàn】已成为【wéi】双极【jí】型晶体管和功【gōng】率晶体【tǐ】管的强【qiáng】大竞【jìng】争者
。

特点

与双极型晶体管相【xiàng】比，场【chǎng】效应管【guǎn】具【jù】有如下特点。

场效应管是电压控【kòng】制器件
，它通【tōng】过VAH(栅【shān】源电压)来控制ID（漏极【jí】电流）；

场效应【yīng】管的控【kòng】制【zhì】输入端电流极小【xiǎo】，因此它的【de】输入电阻（107～1012Ω）很大【dà】 。

它是利用多数载流子导电 ，因此它的温度稳定性较好；

它组成的放【fàng】大【dà】电路的电压放大系数【shù】要小于【yú】三极管组成放大电【diàn】路【lù】的电压放大系数；

场效应管的抗辐射能力强；

由于它不存在杂乱运动的电子【zǐ】扩【kuò】散【sàn】引起的散粒【lì】噪声【shēng】
，所以【yǐ】噪声低
。

作用

场效应管可应【yīng】用于放大【dà】。由于场效应管放大器的输入阻抗【kàng】很【hěn】高，因此耦合【hé】电容可以容量较小【xiǎo】 ，不【bú】必使用电解电容器 。

场效应管很高【gāo】的输【shū】入阻【zǔ】抗【kàng】非常适合作【zuò】阻抗变换
。常用于多【duō】级放大器的输【shū】入级【jí】作阻抗变换。

场效应管可以用作可变电阻 。

场效应管可以方便地用作恒流源
。

场效应管可以用作电子开关。

场效应管n道沟和p道沟怎么区分？

mos管的电路符号

1）G、D 、S极怎么区分？

G极是比较好区分的mos管n沟道与p沟道区别
，大家一眼就能区分 。

不论是P沟道mos管还是【shì】N沟道，两【liǎng】根【gēn】线相【xiàng】交的就是S极【jí】
。

不论是P沟【gōu】道还是【shì】N沟道【dào】 ，单独引线的那边就是D极。

2）N、P沟道如何区分？

箭头指向G极的就是N沟道 。

箭头背向G极的就是P沟道。

3）寄生二极管方向

N沟道
，由S极指向D极
。

P沟道，由D极指向S极。

MOS管导通条件

N沟道mos管n沟道与p沟道区别：UgUs时【shí】导通 。（简【jiǎn】单认为）Ug=Us时截【jié】止
。

P沟道：UgUs时导通。（简单认为【wéi】）Ug=Us时截止 。

注意一【yī】点【diǎn】 ，MOS管做【zuò】开关器件的时候
，输入【rù】输【shū】出一【yī】定不能接反，接反的寄生二极【jí】管一直处于导通状态 ，MOS本身就失【shī】去开关的作【zuò】用了
。

更多请 ：

MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里？谢谢了

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

1
、MOSFET-P是P沟道【dào】，MOSFET-N是N沟道【dào】；

2、为了能正常工作
，NMOS管【guǎn】外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必【bì】须是正【zhèng】值【zhí】 ，实际电【diàn】流方向为流【liú】入漏【lòu】极。

而与NMOS不同
，PMOS管外加的Vds必须是负值，开【kāi】启电压【yā】VT也必须是负值 ，实际【jì】电流方向【xiàng】为流出【chū】漏【lòu】极 。

N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型
。

如图为增强型N沟道 、P沟道MOSFET。

P MOSFET除【chú】了代表衬底的B的【de】箭【jiàn】头方向外【wài】
，其他部分均【jun1】与NMOS相同 。

N沟【gōu】道增加【jiā】型MOSFET管沟道产生的条【tiáo】件为：VAH 大于等【děng】于 VT

可【kě】变电阻区与饱和区【qū】的界线为  VDS= VAH-VT
。

在可变电阻区【qū】内：VAH =VT， VDS  = VAH-VT。

在饱和区【qū】内：       VAH=VT ，   VDS  = VAH-VT 。

P沟【gōu】道增加【jiā】型MOSFET管【guǎn】沟道产生的条【tiáo】件为：VAH 小于等于 VT

可变【biàn】电阻区【qū】与饱和【hé】区的界线为  VDS= VAH-VT。

在可变电阻区【qū】内：VAH =VT
， VDS = VAH-VT
。

在饱和【hé】区内：       VAH=VT， VDS  = VAH-VT。

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