四脚mos管怎么测试好坏_mos管管脚判断

mos管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法四脚mos管怎么测试好坏：以N沟道MOS场效应管为例 。

一 、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电四脚mos管怎么测试好坏，将三个脚短路即可四脚mos管怎么测试好坏；

1
、首先找出场【chǎng】效应管【guǎn】的【de】D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有【yǒu】散热片的场效【xiào】应管 ，它们的散热片在【zài】内部是与【yǔ】管子【zǐ】的D极【jí】相连的，故【gù】四脚mos管怎么测试好坏我们可用【yòng】数【shù】字万用表【biǎo】的二【èr】极管档测【cè】量管子的各【gè】个引脚
，哪个【gè】引脚与散热片相【xiàng】连，哪个引脚就是【shì】D极
。

2 、找到D极后 ，将万用表调至二极管档；

3
、用黑表【biǎo】笔【bǐ】接【jiē】触管子的D极
，用红表笔分【fèn】别接【jiē】触管【guǎn】子的另外两【liǎng】个引脚。若【ruò】接【jiē】触到某个【gè】引【yǐn】脚时，万用表显示的读【dú】数【shù】为一个硅二极管的正向压降 ，那么该引脚即【jí】为S极（源极）
，剩【shèng】下的那个引脚即为G极（栅极） 。

二、MOS管好坏的测量：

1 、当把红表笔放在S极上【shàng】，黑表笔放在【zài】D极【jí】上 ，可【kě】以测出来这【zhè】个导通【tōng】压降【jiàng】
，一般在0.5V左右为【wéi】正常；

2
、G脚测量【liàng】，需要先对G极充下【xià】电 ，把红表笔放在G极【jí】
，黑表笔放在S极【jí】；

3、再次把红表档行纯【chún】笔放在【zài】S极上，黑表笔放在D极上 ，可【kě】以【yǐ】测出来这个放大压【yā】降，一【yī】般在【zài】0.3V左【zuǒ】右为正常【cháng】；

扩展资料

MOS管的主要参数

1 、开启电压VT

开【kāi】启电【diàn】压（又称阈值电【diàn】压）：使得【dé】源极S和【hé】漏极D之间开始形成导电沟道所需【xū】的栅【shān】极电【diàn】压；

标准【zhǔn】的N沟道【dào】MOS管
，VT约为【wéi】3～6V；通过工艺上的改进，可以【yǐ】使MOS管的VT值降到2～3V
。

2
、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超过1010Ω。

3.、漏源击穿电压BVDS

在VAH =0（增【zēng】强型）的【de】条件下 ，在增加【jiā】漏源【yuán】电【diàn】压过程中使【shǐ】ID开【kāi】始剧增【zēng】时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中
，其【qí】沟道长度较短，不断增加【jiā】VDS会使漏区的耗【hào】尽【jìn】层一直扩展到源区 ，使沟道长度为零
，即产生漏源间的穿通，穿【chuān】通后 ，源区中【zhōng】的【de】多数载流子【zǐ】
，将直【zhí】接受【shòu】耗尽【jìn】层电场【chǎng】的吸引，到达漏【lòu】区【qū】 ，产【chǎn】生大的【de】ID 。

4 、栅源击穿电压BVAH

在增加【jiā】栅【shān】源电【diàn】压【yā】过程中
，使栅极电流IG由零开始剧【jù】增时的VAH ，称【chēng】为栅源击穿电压BVAH 
。

5
、低频跨导gm

在VDS为【wéi】某一固定数值的条件下【xià】 ，漏极电流【liú】的微变量【liàng】和引起这个变【biàn】化【huà】的栅源电压微变量【liàng】之比称为跨导【dǎo】；

gm反映四脚mos管怎么测试好坏了栅源电行咐压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电阻RON说【shuō】明带姿了VDS对ID的影响
，是漏极【jí】特性某【mǒu】一点【diǎn】切线【xiàn】的【de】斜率的倒数

在饱和区，ID几【jǐ】乎不随VDS改变【biàn】 ，RON的数值很【hěn】大
，一般在几十千欧到几【jǐ】百【bǎi】千欧之【zhī】间

由于在数字【zì】电路中，MOS管导通时【shí】经常工作【zuò】在【zài】VDS=0的【de】状态下 ，所以这时的导通电阻【zǔ】RON可用原点的【de】RON来近似

·对一般的MOS管而言
，RON的数值在几百欧以内

7 、极间电容

三个【gè】电【diàn】极之间都【dōu】存在着极间电容：栅【shān】源电容CAH 、栅漏电容【róng】CGD和漏源电容CDS

CAH 和CGD约【yuē】为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间

8
、低频噪声系数NF

噪声是由管【guǎn】子【zǐ】内部载流子【zǐ】运动的不规则性所引起的。·由于它【tā】的【de】存在 ，就使一个放大【dà】器即便【biàn】在没有信号输人时
，在输出端也【yě】出现不规【guī】则【zé】的电压【yā】或【huò】电流【liú】变化

噪声性【xìng】能的【de】大小通【tōng】常用噪声系数【shù】NF来表示，它的单位为分贝（dB） 。这【zhè】个【gè】数值越小 ，代表管子所产【chǎn】生的噪声【shēng】越小【xiǎo】

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效【xiào】应管的【de】噪声系数约为几个【gè】分贝【bèi】
，它【tā】比双极性三极管的【de】要小

电动车控制器MOS管如何检测好坏

首先,断开控制器【qì】与电源连接，把控制【zhì】器粗黑线与【yǔ】粗红线碰【pèng】接短路 ，这样【yàng】做的目的是放完【wán】内部电容【róng】余电
。

然后，把三【sān】根粗【cū】黄线对粗黑碰线短接
，目的【de】同上。一定要放【fàng】电后再进行测量 。这三根粗黄线实【shí】际上【shàng】是三根【gēn】相线
。

做完以上准备【bèi】工作后，按以下【xià】三个步【bù】骤操作 ，即可判断控【kòng】制器好【hǎo】坏。

第一步：将万用表置于二极【jí】管档测量
，用红表【biǎo】笔接【jiē】控制【zhì】器负极，黑表笔【bǐ】依次测量控制器主线【xiàn】中的黄、绿【lǜ】 、蓝线 ，读【dú】数约【yuē】在500左右【yòu】（数字【zì】万用表【biǎo】）
，三【sān】次读数应基本一致 。

第二步：用万用表【biǎo】黑表【biǎo】笔接控【kòng】制器【qì】正极，红【hóng】表笔【bǐ】依次接控制器主线黄
、绿、蓝线 ，读数约在500左【zuǒ】右
，三次读【dú】数应基【jī】本一致【zhì】

第三步【bù】：如果第一 、二步【bù】的测量正常【cháng】，则表示无刷控制器基本正常 ，把控【kòng】制器与车体线路正常【cháng】连【lián】接此空【kōng】散
，接通电源，拔掉【diào】制动【dòng】线 ，用【yòng】万【wàn】用【yòng】表电压档测量转把【bǎ】5V电压森氏是否【fǒu】正常。

若以上测试正【zhèng】常，表示控制器基本正常
，否则可判【pàn】定控【kòng】制器损【sǔn】坏
。

扩展资料

电动车控制器的作用

1
、驱动电机旋转。

2、在转把的控制【zhì】下改变电机驱动【dòng】电【diàn】流【liú】，从而实【shí】现电机速度的调整 。

3 、在【zài】闸把（刹把【bǎ】）的控制下切断输出【chū】电流 ，实现刹车控制
。

4
、对蓄电池电压进行检测
，在蓄【xù】电池【chí】存储【chǔ】的电压接近“放电终止电压 ”时，通过控【kòng】制器面板（或仪表【biǎo】显示盘）来【lái】显示电【diàn】量不【bú】足；提醒骑行者调整【zhěng】自己的行程 ，当达到【dào】终止电压时
，通过取样电亏没【méi】阻将该【gāi】信号【hào】送【sòng】到比较【jiào】器，由电路输出保护信号【hào】 ，致使、保护电路按预【yù】先设定的【de】程【chéng】序发【fā】出指令
，切【qiē】断电流以保【bǎo】护充电器和【hé】蓄电【diàn】池。

5 、过流保【bǎo】护，电【diàn】流过大时过流保护电路动作 ，使电【diàn】机停转
，避【bì】免【miǎn】过流给电机和控制器带来危害 。另外，部【bù】分控【kòng】制器还具有防飞【fēi】车【chē】保护
、巡行限【xiàn】速等【děng】功能
。

怎么用万用表测量MOS管的好坏?

以N沟道MOS场效应管5N60C为例四脚mos管怎么测试好坏 ，来详细介绍一下具体四脚mos管怎么测试好坏的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏四脚mos管怎么测试好坏的测量方法

2.用【yòng】数字万用表二【èr】极管档【dàng】正向测量5N60C的D-S两极【jí】 。

测量5N60C好坏时，首先将万用【yòng】表量【liàng】程开关调至【zhì】二极管档
，将5N60C的【de】G极悬空，用红黑表笔分别【bié】接【jiē】触5N60C的D-S两【liǎng】极 ，若是【shì】好的【de】管子
，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）
。

3.用数【shù】字万【wàn】用表二极管【guǎn】档反向测量5N60C的D-S两极。

然后调换红黑表笔 ，再去测【cè】量D-S两【liǎng】极【jí】
，则万【wàn】用【yòng】表【biǎo】显【xiǎn】示的读数为一个硅二极管的正向压降【jiàng】（见上图） 。

若MOS场效应管【guǎn】内部D-S两极之间的【de】寄生二极【jí】管击穿损坏【huài】，用二极管档测量时 ，万用表显【xiǎn】示【shì】的读数接近于零【líng】
。

4.用万用表的二极管【guǎn】档给5N60C栅源【yuán】两极（G-S两极）之间的【de】电容充电。对于N沟道MOS场【chǎng】效【xiào】应管充电时【shí】
，红表笔应接管子的【de】G极，黑表笔接管子【zǐ】的S极 。

在【zài】测量【liàng】完5N60C的D-S两【liǎng】极【jí】 ，并且确实是好的之后
，然后用二极管档给MOS场效【xiào】应管的栅源两【liǎng】极之间的【de】电源春容充电。

由于MOS场【chǎng】效应管【guǎn】的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ） ，数字【zì】万【wàn】用表二极管档的开路测量电【diàn】压【yā】约【yuē】为2.8～3V，故用二极管档的测【cè】量电【diàn】压给MOS场效应【yīng】管的栅源两极之间的电【diàn】容充【chōng】电【diàn】后
，可以使【shǐ】MOS场效应管【guǎn】D-S两极之间的电阻变得很【hěn】小，故用这个方【fāng】法可以测量场效应管G-S两极【jí】之间是否【fǒu】损坏
。

5.5N60C的G-S两极间的电【diàn】容【róng】充【chōng】电【diàn】后 ，用电【diàn】阻档实测D-S两【liǎng】极之间的正向电阻为155.4Ω。

6.用万用【yòng】表电【diàn】阻【zǔ】档【dàng】实测5N60C的D-S两极之间的反【fǎn】向电阻为67.2Ω 。

上面为一【yī】个【gè】好的N沟道MOS场效应管的测量数据
。对于【yú】P沟【gōu】道MOS场效应管的测量方法与上述测量一【yī】样
，只是万用表【biǎo】表【biǎo】笔需【xū】要调换一下极性【xìng】。

扩展资料：

mos管【guǎn】是金属(metal)—氧化物(oxide)—半【bàn】导体【tǐ】(semiconductor)场效应晶【jīng】体【tǐ】管，或者称是金属—绝【jué】缘体(insulator)—半导体【tǐ】 。MOS管的source和【hé】drain是可以对调的 ，他们都是在P型backgate中形【xíng】成的N型【xíng】区
。在多数【shù】情况下
，这个两个区是【shì】一样的，即使【shǐ】两端对调也不会影响器件的【de】性能。这【zhè】样的【de】器件被认为【wéi】是对【duì】称的 。

场【chǎng】效应管（FET） ，把输【shū】入电压的变化转【zhuǎn】化为输出电流的变化
。FET的增益等于它的transconductance
，定义为输出电流的变【biàn】化和输入【rù】电【diàn】压变化之比。市面【miàn】上常有的一般为【wéi】N沟道和【hé】P沟道，详【xiáng】情参考右【yòu】侧图片（N沟道耗尽型MOS管【guǎn】） 。而P沟道【dào】常【cháng】见的为低压mos管【guǎn】
。

场效【xiào】应管通过投影一个电场在一【yī】个绝【jué】缘层上来影响流过晶体管的电流【liú】。事实上没有【yǒu】电流【liú】流【liú】过【guò】这个绝缘体 ，所以FET管的【de】简裂前GATE电【diàn】流非常拦清小 。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作【zuò】为GATE极下的绝缘体。这种【zhǒng】晶体管称为【wéi】金属氧化物半导体(MOS)晶体【tǐ】管
，或,金【jīn】属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
。因【yīn】为MOS管更小更省电，所以他们已经【jīng】在【zài】很多应用场合【hé】取【qǔ】代【dài】了双极型晶体管。

MOS管怎么【me】检测踏实好坏
，怎么判断真假，求高手指【zhǐ】点

用一般指针【zhēn】表R*10K挡不但能测出好坏【huài】还能测出【chū】大致性能【néng】但【dàn】要【yào】注意以下几点

1 ，胡源有些MOS管在D、S 
， G 、S二极间【jiān】接有反向【xiàng】二极管必【bì】需加【jiā】以区别如二【èr】极正反【fǎn】向均通则必坏无疑【yí】 。故能以【yǐ】该法找出S极

2，如表笔接DS二早做判极并【bìng】极性对应以手指接触黑【hēi】表棒及G极可【kě】见管子导【dǎo】通当手指离开还可维侍【shì】导通数【shù】秒(以上抗【kàng】指N增【zēng】强【qiáng】型)
。

3 ，如以【yǐ】元珠笔等塑料摩【mó】擦头发使之【zhī】带电靠近【jìn】G极也有如此反应【yīng】陆改、但【dàn】切勿接触【chù】有击穿G极之可能。

MOS管如何检测其是否烧坏了？谢谢回答

测试MOS好坏【huài】只【zhī】能用指【zhǐ】针式万用表才方便【biàn】点
，测试【shì】时选择【zé】欧姆R×10K档，这时电【diàn】压可达【dá】10.5V ，毁团红笔是负电位
，黑笔是正【zhèng】电位 。

测试步骤：

MOS管的检测主要【yào】是判断【duàn】MOS管漏电
、短路、断路【lù】 、放大
。其步骤如【rú】下：码余念

1
、把红笔接到MOS的源【yuán】极S上，黑笔接【jiē】到MOS管的漏极上【shàng】 ，好【hǎo】的表针【zhēn】指示应该是【shì】无穷大。如果有阻值没被测MOS管【guǎn】有漏电现象【xiàng】 。

2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极【jí】上
，然【rán】后把【bǎ】红笔接到MOS的源极【jí】S上【shàng】，黑【hēi】笔接到MOS管的漏极上迟困 ，这时表针指示的值一般是【shì】0，这时【shí】是下电荷【hé】通【tōng】过这【zhè】个电阻【zǔ】对MOS管的栅极【jí】充电
，产生【shēng】栅极电场【chǎng】，由于电场产生导致导电沟道致使漏【lòu】极【jí】和源极【jí】导【dǎo】通 ，故【gù】万用表指针偏转
，偏转【zhuǎn】的角度大，放电性越好
。

3 、把连接栅极【jí】和源【yuán】极【jí】的电阻移开【kāi】 ，万【wàn】用表红黑笔不变
，如果【guǒ】移开电阻后表针慢慢【màn】逐步退回【huí】到高阻或无穷大，则MOS管【guǎn】漏电 ，不变则完【wán】好。

4
、然后一根【gēn】导线【xiàn】把MOS管的栅极和【hé】源极连接起来【lái】
，如果【guǒ】指【zhǐ】针立即返回无穷【qióng】大【dà】，则MOS完好 。

电路中MOS管的好坏该如何判断？

一.红左 ，黑中【zhōng】、右无穷大【dà】黑左
，红中 、右无穷大红中，黑右无穷大；黑中红右显【xiǎn】示530（左右）
。其实场效应管三【sān】极管很好判断：有字面朝上从左到右依次为：G
、D、S ，有些管相反：S 、D
、G。我修【xiū】显【xiǎn】示器、主【zhǔ】板 、电源都是从【cóng】上面的【de】方法测绝对没【méi】问【wèn】题 。你不【bú】信随便【biàn】拆块板看一看，场【chǎng】效应【yīng】管在电路图板【bǎn】的布局及应VMOS大功率【lǜ】场效应【yīng】晶体管的检【jiǎn】测。

二．1判别各电极与管型【xíng】
。用【yòng】万用【yòng】表R×100档
，测量场效应晶体管【guǎn】任【rèn】意两引脚之间的正【zhèng】、反【fǎn】向电阻值【zhí】。其中一【yī】次测量【liàng】中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔【bǐ】所接的引脚为【wéi】源极S和【hé】漏极D ，而另一【yī】引【yǐn】脚为【wéi】栅极G 。再用万【wàn】用表R×10k档测量两【liǎng】引脚【jiǎo】（掘薯扒漏极D与源极S）之间的正
、反向电阻值
。正常时
，正向【xiàng】电阻值【zhí】为【wéi】2kΩ左【zuǒ】右，反向电阻值大于500kΩ。在测量反向电【diàn】阻【zǔ】值时 ，红表笔所【suǒ】接引脚不动【dòng】
，黑表笔【bǐ】脱离所接引脚后，先与栅极【jí】G触碰一下 ，然后【hòu】再去【qù】接原引脚
，观察万用表读数的变化【huà】情【qíng】况 。若万【wàn】用表读数由原来较大阻值变为0，则【zé】此红表笔所接的即是源【yuán】极S ，黑表笔所接为【wéi】漏极【jí】D
。用黑表笔触发栅【shān】极G有效
，说明该管为N沟【gōu】道场效应管。若万用【yòng】表【biǎo】读【dú】数仍为较大值，则【zé】黑表笔接回原引脚不变 ，改用【yòng】红表笔去触碰栅极【jí】G后再【zài】接回原引脚【jiǎo】，若此时万【wàn】用表读数由原来阻值较大变为【wéi】0
，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接【jiē】的【de】是漏【lòu】极【jí】D 。用表【biǎo】红笔触【chù】发栅【shān】极【jí】G有效 ，说明该【gāi】管【guǎn】为P沟道场效应晶体管
。

2．判别【bié】其好坏。用万【wàn】用表R×1k档或R×10k档
，测量场效应管任意两脚【jiǎo】之间的正、反向电阻【zǔ】值【zhí】 。正【zhèng】常时，除漏极与源极的正向电阻【zǔ】值较小外 ，其【qí】余各【gè】引【yǐn】脚之间（G与【yǔ】D 、G与S）的正
、反【fǎn】向电阻值【zhí】均应为无穷大
。若测得某判昌两【liǎng】极之间【jiān】的电阻【zǔ】值接近【jìn】0Ω
，则说明该【gāi】管已击【jī】穿损【sǔn】坏。另外，还【hái】可以【yǐ】用触发栅极（P沟道场效应手逗晶体管用红表笔触发 ，N沟道场效应管用黑表笔【bǐ】触【chù】发）的【de】方法来判断场应管是否损坏 。若【ruò】触发有效（触发【fā】栅极G后
，D、S极之间的正 、反向【xiàng】电阻均【jun1】变为0），则【zé】可【kě】确定【dìng】该管【guǎn】性【xìng】能良好。用【yòng】吧三,1用10K档,内有15伏电池【chí】.可提供导通电压.2因为【wéi】栅极等效于电容,与任何脚不通【tōng】,不论N管或P管都很【hěn】容易找【zhǎo】出【chū】栅极来【lái】,否【fǒu】则是坏【huài】管.3利用表笔对栅源间正向或反向充【chōng】电【diàn】,可使漏【lòu】源通【tōng】或断,且由于【yú】栅极上电荷【hé】能保持,上述两步可分先【xiān】后【hòu】,不必同【tóng】步,方便.但要放电【diàn】时需短路管脚或反充.4大都源漏间有反并【bìng】二极管,应注意,及帮助【zhù】判断.5大都封庄【zhuāng】为字面对自已时,左栅中漏右【yòu】源
。

根据客户要求的不同 ，我司有针对四脚mos管怎么测试好坏产品【pǐn】多种技【jì】术处理方案
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