15N10-G_15n10g参数

me15n10-g在升压电路中起什么做用？

ME15N10-G系列是一种CMOS升压开关稳压器15N10-G，它【tā】主要包括【kuò】一参考电【diàn】压源 ，振荡电路【lù】
，一个误差放大器，一个相位【wèi】补9偿【cháng】电【diàn】路 ，15N10-G的AH M/ PFM切【qiē】换控【kòng】制电路。随着内置低导【dǎo】通【tōng】电阻N沟道功率【lǜ】MOS
，产品是【shì】适用于应用程【chéng】序需要【yào】高效率和高输出电【diàn】流 。 “ME15N10-G系列交换机15N10-G的PFM控制电路15N10-G的占空比为【wéi】15％，到【dào】下的AH M/ PFM切换控制电路轻【qīng】负载 ，防止效【xiào】率【lǜ】下【xià】降IC工作电流
。

特点：

低【dī】电压操作:启动是【shì】保证从0.9 V(IOUT = 1 mA)

负载比:内置【zhì】开关控制电路【lù】AH M /PFM 15 - 78%。

振荡器频率:1.0 MHz

输出电压范围:1.5 V ~ 6.5 V

输出电压精度:±2%

软启动功能:2 mS 。

应用:

MP3播放器 、数码音频播放器

数码相机
、GPS、无线收发器

便携式设备

基于AH6923 开关升【shēng】压稳【wěn】压电源的【de】原理框图如【rú】图【tú】1所示，直流电源输出24V的电压分别送给基于AH6923 设计的两个开关升压电源模块
，两个开关升压电【diàn】源分别【bié】将送来【lái】的24V的直流【liú】电压【yā】升至36V的输出【chū】电压共同对【duì】同一载供电【diàn】
。为15N10-G了提高电源的性能【néng】，特别是保证电【diàn】源有【yǒu】较大【dà】的输出功率采【cǎi】用两个升压模块并联对【duì】负【fù】载供电【diàn】。两个【gè】电源模块对负载供【gòng】电的电流比例设定为1：1 ，供【gòng】电电流的比例可通过分别对【duì】升压【yā】模【mó】块的输出电压微调实现 。

　AH6923 可调升降压电路详解

图1基于AH6970 升压开关稳压电源原理框图

3 、芯片X6L009介绍

芯片AH6970 的内部结构图如图2所示。芯【xīn】片xL6009的引脚【jiǎo】图【tú】如图【tú】3所示
。其中1脚【jiǎo】是接地端【duān】;2脚【jiǎo】是【shì】使能端（高电平输出电压
，低电平不能输出【chū】电压）;3脚是开【kāi】关【guān】信号【hào】输出端;4脚是【shì】输入端;5脚是反馈端。

AH6923 可调升降压电路详解

图2AH6970 的内部结构

AH6923 可调升降压电路详解

图3xL6009的引脚图

芯【xīn】片x16009调节器是【shì】一宽【kuān】输入【rù】范围，电【diàn】流模式 ，能够产生正【zhèng】或负输出电压的直【zhí】流/直流转换器 。它可以【yǐ】被配置为一升压反【fǎn】激式SEPIC或【huò】反相【xiàng】转换器
。

芯片x16009由功率【lǜ】N沟道MosFET管和固定频率振荡器【qì】构成
，电流模式结构在宽范围输入和输【shū】出电压【yā】下稳【wěn】定【dìng】工【gōng】作。芯片x16009调节器的特【tè】性：

（1）输入电压范围v5至32v;

（2）利用一只反馈引脚可将输出电压设置为正也可设置为负;

（3）电流模式控制提供了优良的瞬态响应;

（4）1.2v5参考电压可调模式;

（5）固定400kHz的开关频率;

（6）最大4A开关电流;

（7）sw引脚实现过电压保护;

（8）效率高达到94度 。

4
、开关升压电源电路工作原理

基【jī】于芯片AH6970 构成的开关升压电源电路如图4所示
。将输入直流电压（VI）给【gěi】芯片的【de】4脚和2脚，此【cǐ】时2脚处于高【gāo】电平 ，使3脚可以输出
，同时通过5脚的反馈【kuì】电【diàn】压实【shí】现对输出电压【yā】大小【xiǎo】的调【diào】节。其中在IC1模块中输出电压U0=1.25*（1十Rl/时，在【zài】IC2的模块中输【shū】出电压V0=1.25*（1十R3/R4） 。其中Rl和R3都【dōu】为【wéi】50K的可调电位【wèi】器 ，通过【guò】调节Rl和R3
，一方面控制输出电压【yā】，使电压【yā】输出恒定36伏特左右 ，另一方面还【hái】可实【shí】现两个升压模块对【duì】负载供电电流的【de】比例为1：1
。

AH6923 可调升降压电路详解

图4AH6970 开关升压并联供电系统

5、电路性能测试

5.1 、测试开关升压电源所需仪器（如表1所示）

表1开关升压电源测试所用仪器

AH6970 开关升压并联供电系统

5.2、开关升压电源空载输出电压的测试

开【kāi】关升压【yā】电源【yuán】空载时输出【chū】电压测试情况如【rú】表2所示【shì】。从表1可以看出：开关【guān】升压电源输出电压为36伏特，输入电压范【fàn】围【wéi】较大
，输入电压从3伏特开【kāi】始电源就能输出【chū】稳定的36伏特的【de】电压 。

AH6970 开关升压并联供电系统

5.3
、开关升压电源负载调整率测试

从表3可知：开关升压电源负载调整率为0.28%，输出电【diàn】流I0从0.2A到2A的【de】变化过【guò】程中 ，输出电【diàn】压【yā】值几乎恒定【dìng】不变
，稳压特性非常好【hǎo】，带负载的能【néng】力很强
。

表3开关升压电源负载调整率测试情况

AH6970 开关升压并联供电系统

6、结论

该【gāi】开【kāi】关升压电源对输入【rù】电压的调整能力强【qiáng】 ，输出功率较【jiào】大
，带负载能力【lì】强，效率较【jiào】高 ，输出【chū】电压【yā】可调。该电源性能【néng】优良【liáng】
，有一定的实【shí】用价【jià】值 。

me15n10-g在显示器上的作用?

作用最主要15N10-G的就是15N10-G你让你的显示器有一个更稳定的一个运行状态来的15N10-G了。

ME15N10-G三极管用什么替代

场效应管
。

场效应管是电【diàn】压【yā】控制【zhì】元件，而晶体管是电【diàn】流控制元件。

在只允【yǔn】许从信号源取【qǔ】较少电流【liú】的情况下【xià】 ，应【yīng】选用场效应管；而在信号电压较低
，又允许从信【xìn】号源取【qǔ】较多电流【liú】的条件下，应选用晶体管【guǎn】 。

场效应管是利用多数载【zǎi】流子导【dǎo】电 ，所以称之为单极型器【qì】件【jiàn】，而晶【jīng】体管是既有多数载流子
，也【yě】利用少【shǎo】数载流子导电，被【bèi】称【chēng】之【zhī】为双极型器件
。

有些场效应【yīng】管的【de】源【yuán】极和【hé】漏极【jí】可以互换使用 ，栅【shān】压也可【kě】正可负
，灵活性比三极【jí】管好。

场效应【yīng】管【guǎn】能在很小电流【liú】和【hé】很低电压【yā】的条件下工作，而且它的制造工艺可以【yǐ】很【hěn】方便地把很多【duō】场效应管集【jí】成在一块硅片上 ，因此场效应【yīng】管在大【dà】规模集成电路中【zhōng】得到了【le】广泛的【de】应用 。

扩展资料：

主要参数：

1 、直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅
、源极之间的【de】电压等【děng】于零
，而【ér】漏、源极之间的【de】电【diàn】压大于夹断电压时，对应【yīng】的漏极电流
。

夹【jiá】断电压【yā】UP它可定义为【wéi】：当UDS一【yī】定时【shí】 ，使ID减小到【dào】一个微【wēi】小的电流时所需的UAH。

开启电压UT它可【kě】定义为：当UDS一【yī】定【dìng】时
，使ID到达某一个数值时所需的【de】UAH 。

2 、交流参数

交流参数可【kě】分为输出电阻和低频互【hù】导2个参数【shù】，输出电【diàn】阻一般在几十千【qiān】欧【ōu】到几百千欧之间 ，而低【dī】频互导一般【bān】在十【shí】分之几至几毫【háo】西的【de】范围【wéi】内
，特殊的可达100mS，甚至更【gèng】高
。

低频跨导gm它是描述栅
、源电压对漏【lòu】极电【diàn】流的控制作用【yòng】。

极【jí】间电【diàn】容场效应管【guǎn】三个电【diàn】极之间【jiān】的电容 ，它的值越小表示管子的【de】性能越好【hǎo】 。

参考资料来源：百度百科-场效应管

me15n_10是什么管
，

场效【xiào】应管：型号：ME15N10 种类：结型(JFET)

沟【gōu】道类型：N沟道 导【dǎo】电方【fāng】式：耗尽型 用途：DUAL/配【pèi】对管

封装外【wài】形：CER-DIP/陶瓷直插 材【cái】料：N-FET硅N沟道

ME15N10-G,原装Matsuki松木mos管

单N沟道，15a ，100V
， RDS(ON)≦100mΩ

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