1、2N60是mos管(MOSFET)场效应管基本作用和三极管是一样2N60的。
2 、三极管2N60,全称应为半导体三极管2N60 ,也称双极【jí】型晶体管、晶体三极管,是一种【zhǒng】控制电流2N60的半导体器件·其作用是把微弱信【xìn】号放大成幅度值较【jiào】大【dà】的电信号, 也用【yòng】作无触点开关【guān】。晶体三极管 ,是半导体【tǐ】基本元器件之【zhī】一,具【jù】有电【diàn】流放大作用,是【shì】电子【zǐ】电【diàn】路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制【zhì】作两个相距很【hěn】近【jìn】的PN结【jié】 ,两个PN结把【bǎ】整块半【bàn】导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式【shì】有PNP和【hé】NPN两【liǎng】种【zhǒng】 。
2n60c可以用K26452N60 ,K7192N60,K794或fqp4n60c2N60,fqp5n60c等代用。
2n60c三极管是VMOS场效应管2N60 ,其漏极电流【liú】是【shì】2A,耐压值是600V。需要【yào】替代2N60的【de】时【shí】候【hòu】考虑到各方面的性能、参数【shù】 、外形尺寸等,只要考虑耐【nài】压、电流【liú】、功率一般是可以进行代【dài】换的(行输出管外观尺寸几乎相同) ,而且功【gōng】率往往大一些更好 。对于MOS管代换虽然也是这【zhè】一原【yuán】则,最好【hǎo】是原【yuán】型【xíng】号【hào】的最好,特【tè】别是不要追求功率要大一【yī】些【xiē】 ,因为功率【lǜ】大,输入【rù】电容就大,换了后和激励电路就【jiù】不匹配了 ,激【jī】励灌流电路的【de】充电限流电阻的阻值的大小和MOS管的输入电【diàn】容是有关【guān】系的。
13007是三极管,电流控制型
驱动电路原理不一样 ,管子工作点也不一样
如果是开关电源上用的开关管的话
业余条件下代用问题不大,但是基极驱动电阻要【yào】加大一点【diǎn】,不然驱动IC损【sǔn】耗会增大 ,长时间工作会烧坏IC,用场效应管的时候驱动电阻【zǔ】用11-19欧左【zuǒ】右,如果换成三极管的【de】话 ,这个【gè】电【diàn】阻要加大到200欧左【zuǒ】右【yòu】吧【ba】
是VMOS场效应管2N60,其漏极电流是2A2N60,耐压值是600V。
晶体三极管(以【yǐ】下简称三【sān】极管)按材料分有【yǒu】两种:锗管【guǎn】和硅管 。而【ér】每【měi】一种又有NPN和PNP两种结构形式 ,但使用【yòng】最多2N60的是硅NPN和锗PNP两种三极管。
其中【zhōng】,N(Negative)是负极的【de】意思【sī】,N型【xíng】半导【dǎo】体在【zài】高纯度硅中加入磷取代一【yī】些硅【guī】原子 ,在电压刺激下产生自由电子导电,而【ér】P(Positive)是正极的意【yì】思,是加入硼取代硅,产【chǎn】生大量空穴【xué】利【lì】于导电【diàn】。
扩展资料:
新研究发现 ,在晶体管电子流出端的衬底【dǐ】外,沉积一层对应材料【liào】,能形成一【yī】个【gè】半导【dǎo】体致冷P-N结构【gòu】 ,因【yīn】为N材【cái】料的电子能级【jí】低,P材料的电【diàn】子能级高,当电【diàn】子流过【guò】时 ,需【xū】要从衬底吸入热量,这就为晶体管核心散热【rè】提供一【yī】个很好的途径 。
因为带走的热量【liàng】会与电流的【de】大小成正【zhèng】比例【lì】,业内也称形象地把这【zhè】个称为“电【diàn】子血液 ”散热技【jì】术。根据添加新材【cái】料的极性位置不同 ,新【xīn】的致【zhì】冷三极管分别叫做N-PNP或NPN-P。
参考资料来源:百度百科-三极管
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