一、导语本文将为您揭示mos管（金【jīn】属-氧化物-半导【dǎo】体场效应晶体管）的三【sān】个极：源极、漏极【jí】和栅极，以及它们【men】在电路图【tú】中的重要角色。我们将探【tàn】讨mos管的设计【jì】创新，如何通过优化这【zhè】三个极【jí】的配置，实【shí】现更高效、更可靠的电子设备【bèi】。二、mos管的三【sān】个极【jí】：源极、漏极和栅【shān】极源极...
振邦微科技 2024-11-19 电路相关 208 ℃ 2 评论 查看详细
在升降压【yā】转换【huàn】器【qì】设计中，MOS管作为关【guān】键元件，发挥着不【bú】可或缺的作【zuò】用。那么【me】，这一微【wēi】型设备是如何实现升降压转【zhuǎn】换的呢【ne】？又为何需要使用【yòng】MOS管【guǎn】呢？本文将一一为【wéi】你【nǐ】揭开这些谜团【tuán】。一、升降压IC简述升【shēng】降压转换器（升降压IC）是一种常用的电源管理芯片，其【qí】能【néng】实现【xiàn】输出电压的高效调节...
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MOS管【guǎn】的三【sān】个极【jí】分别是什【shí】么？G（栅极【jí】），D（漏极）s（源及【jí】），要求栅【shān】极和源及之间电压大【dà】于【yú】某一特【tè】定值，漏极和【hé】源及才能导通...
振邦微科技 2024-11-19 芯片常识 88 ℃ 3 评论 查看详细
d4148mos管参数D4148MOS管【guǎn】是一和薯种N沟道MOS场效应管，其参数如【rú】下：1.最大漏极-源极电【diàn】压（VDSmax）：30V2.最【zuì】大栅极【jí】-源【yuán】极电压（VAHmax）：20V3.最大栅极【jí】功率耗散【sàn】（PDmax）：250mW4.最大漏极电流（I...
振邦微科技 2024-11-19 芯片常识 169 ℃ 3 评论 查看详细
场效应管（MOS）三个【gè】脚怎么区分？N和P怎么【me】区【qū】分？场效应【yīng】管【guǎn】的栅极相当于晶体管的基极，源【yuán】极和漏【lòu】极【jí】分【fèn】别对应【yīng】于晶体【tǐ】管的发射极和集电极。将万用表【biǎo】置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向...
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MOS管是什么？MOS管一般【bān】又叫场效应管mos管，与二极管【guǎn】和三极管不衡肢同mos管，二极【jí】管只能通【tōng】过正向【xiàng】电流【liú】，反向截止，不能【néng】控【kòng】制，三极管通俗讲就是【shì】小电流【liú】放【fàng】大成【chéng】受控的大电流，MOS管是小【xiǎo】电压控制【zhì】电流的。MOS管的输入电阻极【jí】大，兆【zhào】欧级的，容易驱动，但是价格比【bǐ】三极【jí】管...
振邦微科技 2024-11-19 芯片常识 184 ℃ 3 评论 查看详细