mos管_mos管电路符号

mos管是什么？

MOS管一般又叫场效应管mos管
，与二极管和三极管不衡肢同mos管，二极【jí】管【guǎn】只【zhī】能通过正向电流 ，反向截止
，不【bú】能控制，三极管通俗讲就【jiù】是【shì】小【xiǎo】电流放【fàng】大成受控的大电流 ，MOS管是小电【diàn】压控【kòng】制电流【liú】的。

MOS管的输入电阻极大
，兆欧级的【de】，容易驱动 ，但【dàn】是【shì】价格比三极管要高
，一【yī】般适用于需【xū】要【yào】小【xiǎo】电压控制咐差世大电流的【de】情【qíng】况，电【diàn】磁炉里一般就是用的20A或者25a的场庆扰效应管 。

拓展资料mos管：

MOS电容的特性能【néng】被用来形成【chéng】MOS管【guǎn】
。Gate ，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的【de】选择性掺杂【zá】的区域 。其中一个【gè】称为source
，另一个【gè】称为drain
。假设source 和backgate都接【jiē】地，drain接正电压。

MOS管的工作原理

目【mù】前主板或显卡上使用的MOS管并不【bú】太多【duō】 ，一般有10个左右 。主要原【yuán】因是大【dà】部分【fèn】MOS管集成在IC芯片中【zhōng】
。因为MOS管主要为配件提供稳定【dìng】的【de】电压，所以【yǐ】一般【bān】用在CPU
、AGP插槽、内存插槽附近。仔清其中
，CPU和AGP插【chā】槽【cáo】附近布【bù】置了一组【zǔ】MOS管，而内存插槽共用一组MOS管 。一般来说 ，MOS管两个一组出现在主【zhǔ】板上
。工【gōng】作原理双极晶体【tǐ】管将输入端的【de】小电流变化【huà】放大【dà】
，然后在输【shū】出端输出大【dà】的【de】电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流【liú】之比(β) 。另一种晶体管叫FET，把【bǎ】输入电压的变化转化【huà】为【wéi】输出电流【liú】的变化。它们是电流控制装【zhuāng】置和电压控制装置
。FET的增益【yì】等于【yú】其【qí】跨【kuà】导)gm ，跨导【dǎo】定义为【wéi】输【shū】出【chū】电流的【de】变化【huà】与输入电压的变【biàn】化之比。FET的名字也来【lái】源【yuán】于它【tā】的输【shū】入栅极(称为gate)
，它通过在绝缘层(氧【yǎng】化物SIO2)上投射电场来【lái】影响流【liú】经晶体管的电流 。实际上没【méi】有电念裤【kù】前流流过这个绝缘体(只【zhī】是【shì】电容的作用)，所以FET的栅极【jí】电流【liú】很【hěn】小【xiǎo】(电容【róng】的电流损耗【hào】)
。最常见的FET在栅【shān】电极纯戚下使用一薄【báo】层二氧【yǎng】化硅作为【wéi】绝【jué】缘【yuán】体【tǐ】。这种晶体管被称为金属氧化物半导【dǎo】体(MOS)晶体管 ，或金属氧【yǎng】化物半导体场效【xiào】应晶体管(MOSFET) 。

求详解:MOS管
，三极管【guǎn】，功率【lǜ】管 ，开【kāi】关【guān】管【guǎn】之间的联系【xì】与区别

开【kāi】关【guān】管是【shì】MOS管和三极管的一种【zhǒng】用途，即用于控制电路导通【tōng】和关断
。

区别【bié】在【zài】于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用【yòng】电流控制开【kāi】关状态【tài】。MOS管和三极管也可以【yǐ】不【bú】用做【zuò】开关管
，比如【rú】三极【jí】管经常工作于【yú】放大区【qū】用作电【diàn】流放大器件，这是就不能算开关管 。

功率管是相对于信号管而【ér】言的【de】
。如【rú】果器件是用于控制功【gōng】率转【zhuǎn】换【huàn】的那么【me】就是功率管【guǎn】了 ，如果只是用于传递信号的【de】那就是信号【hào】管了。

功率管和信【xìn】号【hào】管没有严格的界【jiè】限 。同【tóng】一只MOS管既能当信号管
，也能当【dāng】功率管【guǎn】，但是【shì】一般功率管的功率【lǜ】转换【huàn】能【néng】力大于信号管【guǎn】
。

扩展资料：

mos管是金属 、氧化物【wù】
、半导体、场效应【yīng】晶【jīng】体管升笑锋 ，或者称是金【jīn】属—绝缘体 、半导【dǎo】体。MOS管的source和drain是可以对【duì】调【diào】的【de】
，他【tā】升【shēng】带们都是在【zài】P型backgate中形成的N型区 。在多【duō】数情况【kuàng】下，这个两个区是一【yī】样的 ，即使两端对【duì】调也【yě】不会影响器【qì】件的性能。这样的器件被认为是【shì】对称的
。

三极【jí】管
，全称应为半导体【tǐ】三极管，也称双极型晶体管
、晶体三极【jí】管 ，是一【yī】种控制电流的半导【dǎo】体器件。其作用是【shì】把微弱【ruò】信号【hào】放【fàng】大成【chéng】幅度值较大【dà】的电信号
，也用作无【wú】触点开关 。

功率管是在放大电路中担任末级输出的管子
。

开关三【sān】极管的【de】外形【xíng】与【yǔ】普【pǔ】通三【sān】极管外形相【xiàng】同，它工作于截止【zhǐ】区和【hé】饱和区 ，相当吵晌于电路的切断和导通。由于它具有完成【chéng】断路和接通的作用，被广泛应【yīng】用于各【gè】种【zhǒng】开关电【diàn】路中 。

参考资料：百【bǎi】度百科【kē】-mos管    百度百科-三极管   百【bǎi】度【dù】百科-功【gōng】率管  百度百科-开关管

mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用【yòng】VAH 来控制“扮凳感应【yīng】电荷
”的【de】多少 ，以改变由这【zhè】些“感应电【diàn】荷”形成【chéng】的导电【diàn】沟道【dào】的状况
，然后达到控制漏【lòu】极电流的目的【de】
。在制造管子时，通过工艺【yì】使绝缘层中出现大【dà】量正离【lí】子 ，故在交界【jiè】面的另一侧能感【gǎn】应【yīng】出较多的负电荷【hé】
，这些负电【diàn】荷【hé】把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道 ，即使在VAH =0时也有较大的漏极【jí】电【diàn】流【liú】ID。当栅极【jí】电压改变时
，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的【de】宽窄也随之【zhī】而【ér】变 ，因【yīn】而【ér】漏极【jí】电流ID随着栅极电压的变化而变化 。

作用：

1、可应用【yòng】于放大【dà】电路【lù】
。由【yóu】于MOS管【guǎn】放【fàng】大器的输入阻抗很高【gāo】
，因此耦合电容可以容量较【jiào】小【xiǎo】，不必使用电解电容器。

2 、很【hěn】高的【de】输【shū】入阻抗非常适合作阻【zǔ】抗变换 。常【cháng】用于多级放大器的输入级作阻抗变【biàn】换
。

3
、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源 。

5 、可以用作电子开关。

简介：

mos管 ，即在集成电路中绝缘性【xìng】场效应管
。是金属【shǔ】(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管【guǎn】。或者【zhě】称是金【jīn】属—绝缘体(insulator)—半导【dǎo】体 。MOS管【guǎn】的source和【hé】drain是【shì】可以对【duì】调【diào】的，都是在P型【xíng】backgate中形成的N型区
。在多数情况下
，这个两个区是【shì】一样的，即使两端【duān】对【duì】调也【yě】不会【huì】影响器件的性【xìng】能。这样的【de】器件被认【rèn】为是对称的【de】 。

结誉滑构特点：

MOS管的内【nèi】部结构【gòu】如下图所【suǒ】示;其【qí】导【dǎo】通时只有一种极性的载流子(多庆缺腊子)参与导电 ，是单极型晶【jīng】体【tǐ】管
。导电机理与小功率MOS管相同
，但结构上有较大区别【bié】，小功【gōng】率【lǜ】MOS管【guǎn】是【shì】横向导【dǎo】电【diàn】器件 ，功率MOSFET大都采用垂直导电结构
，又称为VMOSFET，大【dà】大【dà】提高了MOSFET器件【jiàn】的【de】耐压和耐【nài】电流能【néng】力。

n沟道mos管                 

p沟道mos管

其主要特点是在金属栅【shān】极【jí】与【yǔ】沟道之间有一【yī】层二氧化硅绝缘层 ，因此具有很高的输【shū】入电阻
，该【gāi】管【guǎn】导通时在两个【gè】高浓度【dù】n扩【kuò】散【sàn】区间形【xíng】成n型导电沟道 。n沟道增强型MOS管必须在【zài】栅极【jí】上施加正向偏压【yā】，且只有栅【shān】源电压【yā】大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管
。n沟道【dào】耗尽型MOS管是指【zhǐ】在不加栅压(栅【shān】源电压为【wéi】零)时 ，就有导电沟道产【chǎn】生【shēng】的n沟道【dào】MOS管。

mos管【guǎn】的【de】介绍就聊到这里【lǐ】吧
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