mos场效应管参数_mos管场效应管

d4148mos管参数

D4148MOS管是一和薯种N沟道MOS场效应管
，其参数如下：

1. 最大漏极-源极电压（VDS max）：30V

2. 最大栅极-源极电压（VAH max）：20V

3. 最大栅极功率耗散（PD max）：250mW

4. 最大漏极电流（ID max）：300mA

5. 典型的栅极截止电压（Vth）：-0.8V

6. 典型的漏极电阻（Rds on）：7.5Ω

7. 栅春棚纯极电容（Cg）：33pF

8. 输出电容（Coss）：18pF

这【zhè】些参【cān】数仅扒咐供参考【kǎo】，实际应用【yòng】时【shí】应根【gēn】据具体的电【diàn】路设计和使用条件进行【háng】合理的选择和调整。

场效应管5n60c技术参数

5N60C是N沟【gōu】道MOS场培【péi】芦效应管 ，漏【lòu】极电流为4、5a
，脉冲电流允许18A，D-S耐【nài】压【yā】600V 。功耗:33W ，工【gōng】作温度范围:-55°C to +150°C
，封【fēng】装【zhuāng】类型:TO-220F，功率【lǜ】 ，Pd:33W
，闭激封装类【lèi】配态带【dài】型:TO-220F，常用于开关电源中作开关管
。

MOS管和DCDC升压转换器的主要参数是···？

MOS管嘛也是

场效应管

的一种 ，分结【jié】型和绝缘栅型【xíng】
，结型和绝【jué】缘栅【shān】型【xíng】又各分为NMOS和PMOS，然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理【lǐ】相同【tóng】 ，只是

电源

极性

相反 。

主要参数记住

以下

几点:Idss

:饱和漏源

电流

，是指结型或耗尽型

绝缘栅场效应管

中搭誉穗,

栅极

电压

UAH =0时的漏源电流Up

:夹断电压
，是指结型或耗【hào】尽【jìn】型绝缘栅场效应管中【zhōng】,使漏源【yuán】间【jiān】刚【gāng】截止时【shí】的栅极电压.

Ut

:开启电压，知卜是指增强型绝缘栅

场效

管中,使漏源间刚

导通

时的栅极电压

gM

:跨导 ，

此乃衡量场效应管放大能力的重要

参虚贺数

.

BVDS

:漏源

击穿电压


，是指栅【shān】源电压UAH 一【yī】定时,场【chǎng】效【xiào】应管正常工【gōng】作【zuò】所能承受的最大漏源电压

PDSM:最大

耗散功率

，也是一项

极限参数

,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率IDSM

:

最大漏【lòu】源电流 ，是一【yī】项【xiàng】极限参【cān】数,是【shì】指场效【xiào】应管正【zhèng】常工作时,漏源间所允许通过的最大电流

DC/DC转换器是一种

开关型稳压电源


，一般分为四种:

(1)

极性反转式:其特点是

输出电压

的极性正好与

输入电压

相反
。特【tè】点是Vo=-VI，二【èr】者的绝对值相同。除此之外【wài】 ，还有输出固定【dìng】负压【yā】 、可调负压两种【zhǒng】 。

(2)

升压式:其特征是VOVI,

变换器

具有提升电源电压的作用
。

(3)

降压式:利用变换器来降低电源电压
，使VOVI

。

(4)

低压差

集成稳压器

 。这【zhè】类集成稳【wěn】压器的【de】输入-输出压【yā】差低于0.5~0.6V，甚至在【zài】0.1V左右的压差【chà】下已能【néng】正常工【gōng】作 ，能显示提高

稳压电源

的效率
。

MOS管70SL500A参数

1 极限参数:　

ID :最大漏【lòu】源【yuán】电流.是【shì】指场效应管正常【cháng】工作时
，漏源【yuán】间所【suǒ】允【yǔn】许【xǔ】通过的最大电【diàn】流.场效应管的工作电流不【bú】应超过 ID .此参数会随【suí】结温度的上升而有所减额.　

IDM :最【zuì】大【dà】脉冲漏源【yuán】电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲【chōng】时【shí】间也凳【dèng】镇有【yǒu】关系 ，此参数会【huì】随结温度的上升而有所减额.　

PD :最大【dà】耗【hào】散【sàn】功率.是指场效应管性能不变【biàn】坏时所允许的最【zuì】大漏源耗散功率【lǜ】.使用【yòng】时，场效应管实际功耗【hào】应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数【shù】一般会随结温【wēn】度【dù】的上升而【ér】有所减额.（此参【cān】数靠【kào】不住）

VAH :最大栅源电压.
，一【yī】般【bān】为：-20V~+20V

Tj :最大工作【zuò】结【jié】温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ，器【qì】件设计【jì】的【de】工作条件下【xià】须【xū】确应避免超过这个温度 ，并留有【yǒu】一【yī】定裕量. （此参数靠不住）

TSTG :存储温度范围.　

2 静态参数　

V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VAH 为 0 时【shí】
，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电【diàn】压.这是【shì】一项【xiàng】极【jí】限参【cān】数，加在场效应管上的工【gōng】作电压必须小【xiǎo】于 V(BR)DSS . 它枣锋粗具有正温度【dù】特性.故【gù】应【yīng】以此参数在【zài】低温条件下的值【zhí】作为【wéi】安全【quán】考虑【lǜ】. 加负【fù】压更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿【chuān】电压【yā】的温【wēn】度系数 ，一【yī】般为 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在【zài】特定的 VAH (一般为【wéi】 10V )
、结温及漏极电基【jī】槐流【liú】的条【tiáo】件下
， MOSFET

导通【tōng】时漏源间的【de】最大阻抗【kàng】.它是【shì】一个非常重要的【de】参数，决【jué】定了【le】 MOSFET 导通时的消耗功率【lǜ】.此参【cān】数【shù】一般【bān】会随结温度的上升而有所增大（正温度特【tè】性）.

故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算.　

VAH (th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压 VAH 超过【guò】 VAH (th) 时 ，漏区和源区【qū】的表面反型层形【xíng】成了连接的沟道.应用中
，常【cháng】将漏【lòu】极短接条【tiáo】件下【xià】 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为【wéi】开启【qǐ】电【diàn】压.此参【cān】数【shù】一般会随结温度的上升而有所降低.　

IDSS :饱和漏【lòu】源电流，栅极电压 VAH =0 、 VDS 为一定【dìng】值时的漏源电【diàn】流.一般在微安【ān】级.　

IAH S :栅源驱动电流或反【fǎn】向电【diàn】流.由于 MOSFET 输入阻抗很【hěn】大 ，IAH S 一【yī】般在纳安级.　

 、3 动态参数　

gfs :跨导.是指【zhǐ】漏极输出【chū】电流的【de】变【biàn】化量与栅源电压变【biàn】化量之比【bǐ】
，是栅源电压对漏极电流【liú】控制能【néng】力大小的量度【dù】. gfs 与 VAH 的转移关系图如下图【tú】所示.

求【qiú】贴片【piàn】N-MOS场效应管 SI2302BDS的参数 和工作【zuò】原理

SI2302是三极管mos场效应管参数的一种，属激搭于增强模式场效掘铅唤应晶体判凯管

主要参数mos场效应管参数：

晶体管类型 ：N沟道MOSFET

最大功耗PD ： 1．25W

栅极门限电压VAH ： 2．5V（典型值）

漏源电压VDS ：20V（极限值） 20v

漏极电流ID：2．8A

通态电阻RDS（on）：0．145ohm（典型值）

栅极漏电流IAH S：±100nA

结温：55℃to＋150℃

替代型号：

封装：

SOT－23（TO－236）

手打不易 ，如有帮助请采纳，谢谢mos场效应管参数！！

根据客户要求的不同
，我司有针对mos场效应管参数产品多种【zhǒng】技【jì】术处理方案，技【jì】术资料也【yě】有所不同 ，所以不【bú】能【néng】直接呈现
，有需求【qiú】的客户请【qǐng】与联系我们洽淡13715099949/联系13715099949/13247610001，谢谢！