mos场效应管判断好坏_mos场效应管工作原理

mos管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。

一 、先确定MOS管的引脚：

1
、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1、首先找出场效应管的D极（漏极） 。对于【yú】TO-252 、TO-220这类封【fēng】装【zhuāng】的带有散热【rè】片的场效应管 ，它们的散【sàn】热片在内部【bù】是与管子的D极相连的
，故我们可用数字万用表的二【èr】极管档测量管【guǎn】子【zǐ】的各个【gè】引【yǐn】脚，哪个引脚与散【sàn】热片相连 ，哪个引脚就是D极【jí】
。

2
、找到D极后
，将万用表调至二极管档；

3、用【yòng】黑【hēi】表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚【jiǎo】。若接触到某个引脚【jiǎo】时 ，万用表显示的读【dú】数【shù】为一个硅二极管【guǎn】的正向压降
，那么该引脚即为S极【jí】（源极【jí】），剩下的那个引脚【jiǎo】即【jí】为G极（栅极【jí】） 。

二 、MOS管好坏的测量：

1
、当把红表笔放【fàng】在【zài】S极上 ，黑表笔放在【zài】D极上，可以测出来这【zhè】个导通压【yā】降
，一般【bān】在0.5V左右为【wéi】正常；

2、G脚测量，需要先对G极充下电 ，把红表【biǎo】笔放在G极
，黑表笔放在【zài】S极；

3 、再次把【bǎ】红表笔放在S极上，黑【hēi】表笔放在D极上 ，可以测【cè】出【chū】来这个放大压降【jiàng】
，一般在0.3V左右为正常【cháng】；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又【yòu】称阈值电压）：使得【dé】源【yuán】极S和漏极D之间开始形成导电沟道【dào】所需的【de】栅【shān】极电【diàn】压；

标准的【de】N沟道【dào】MOS管，VT约为【wéi】3～6V；通过工艺上的改【gǎi】进 ，可以使MOS管【guǎn】的VT值降到【dào】2～3V
。

2
、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω。

3.、漏源击穿电压BVDS

在VAH=0（增强型）的条【tiáo】件下
，在增加漏源电压【yā】过程中使【shǐ】ID开始剧增时的【de】VDS称【chēng】为漏源击【jī】穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短 ，不断增加VDS会使漏区【qū】的耗尽层一【yī】直【zhí】扩【kuò】展【zhǎn】到源【yuán】区
，使沟道长【zhǎng】度为【wéi】零，即产生【shēng】漏源间的穿通 ，穿通后，源区中的多数【shù】载流子
，将【jiāng】直【zhí】接受耗尽层电场的【de】吸引，到【dào】达漏区 ，产生大的ID 。

4 、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源【yuán】电压过程中
，使栅极电流【liú】IG由零【líng】开始剧增【zēng】时的VAH，称为栅源击【jī】穿电【diàn】压BVAH
。

5
、低频跨导gm

在VDS为【wéi】某一固定数【shù】值的条件下 ，漏极电流的微变量【liàng】和引起这【zhè】个【gè】变化【huà】的栅源电压【yā】微变量之比称为【wéi】跨【kuà】导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电【diàn】阻【zǔ】RON说【shuō】明了VDS对ID的影响【xiǎng】，是漏极特性某一点切【qiē】线的斜率的倒【dǎo】数

在饱和区 ，ID几乎不随VDS改变
，RON的数值很大，一【yī】般在几【jǐ】十千欧到【dào】几【jǐ】百千【qiān】欧之间

由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作【zuò】在VDS=0的状【zhuàng】态下
，所以【yǐ】这时的导【dǎo】通电【diàn】阻RON可用原点【diǎn】的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7 、极间电容

三个【gè】电极之间都存在【zài】着极间电容：栅源电【diàn】容CAH
、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CAH和【hé】CGD约【yuē】为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间【jiān】

8、低频噪声系数NF

噪声是由【yóu】管子内部【bù】载【zǎi】流子运动的不规则【zé】性所引起的。·由于它的存在，就使【shǐ】一个放大器【qì】即便在没有信【xìn】号输人时
，在输【shū】出【chū】端也出现不【bú】规则的电【diàn】压或电流变化

噪声性能的大小【xiǎo】通常用噪声系数【shù】NF来【lái】表【biǎo】示，它的单【dān】位为【wéi】分贝（dB） 。这个数值越小 ，代【dài】表管子所产生的噪声【shēng】越小【xiǎo】

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场【chǎng】效应管的噪声系数约为几【jǐ】个分贝
，它比【bǐ】双【shuāng】极性三【sān】极管【guǎn】的要小

怎么用万用表测量MOS管的好坏?

以N沟道MOS场效【xiào】应管5N60C为例，来详细介绍【shào】一下【xià】具体【tǐ】的【de】测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用【yòng】数字万用表【biǎo】二极管档正向测【cè】量5N60C的D-S两极
。

测量5N60C好坏时【shí】 ，首【shǒu】先将万用表量【liàng】程开关调至二极管档
，将5N60C的G极悬空【kōng】，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两【liǎng】极 ，若是好的管【guǎn】子
，万用【yòng】表显示为“OL”，即【jí】溢【yì】出【chū】（见上【shàng】图）。

3.用数字【zì】万用表二极【jí】管档【dàng】反向测量5N60C的D-S两极 。

然后调换红黑表笔 ，再【zài】去测量D-S两极
，则【zé】万用表显【xiǎn】示的读数为一【yī】个硅二极管【guǎn】的正向压降【jiàng】（见上图）
。

若MOS场效应管内部D-S两极之【zhī】间【jiān】的寄生二极管击穿损坏，用【yòng】二极管【guǎn】档【dàng】测量时 ，万【wàn】用表【biǎo】显示的读数接近【jìn】于零。

4.用万用表的二极管【guǎn】档给5N60C栅源两极（G-S两极）之【zhī】间的电容充电 。对【duì】于N沟道MOS场效应管充【chōng】电【diàn】时，红表笔应接【jiē】管子【zǐ】的【de】G极
，黑表笔接【jiē】管【guǎn】子的S极
。

在测【cè】量完5N60C的D-S两极【jí】，并且确实是好的之后 ，然【rán】后【hòu】用二【èr】极管档给【gěi】MOS场效应管的栅【shān】源两极之间的电容充电。

由【yóu】于【yú】MOS场效应管【guǎn】的输入电阻在GΩ级（GΩ读作吉欧
，1GΩ＝1000MΩ），数字万用表【biǎo】二极管档的开路测量电【diàn】压【yā】约【yuē】为2.8～3V ，故用二极管档的【de】测量【liàng】电【diàn】压【yā】给MOS场效应管的【de】栅【shān】源两极之间的电容充电后
，可以使MOS场效【xiào】应【yīng】管D-S两极之间的【de】电阻变得很小，故用这个方法可以测量场效应【yīng】管G-S两极【jí】之间是【shì】否【fǒu】损坏 。

5.5N60C的G-S两极间【jiān】的【de】电【diàn】容充电后 ，用【yòng】电阻档实测【cè】D-S两极【jí】之间的正向电阻为155.4Ω
。

6.用万【wàn】用【yòng】表电阻档实测5N60C的D-S两极之【zhī】间的反向电阻为67.2Ω。

上面为一【yī】个好的N沟道MOS场效应【yīng】管【guǎn】的【de】测量【liàng】数据【jù】 。对于P沟道MOS场【chǎng】效【xiào】应管的测量方法与上述测量一样
，只【zhī】是万【wàn】用表表笔需要调换一下【xià】极性
。

扩展资料：

mos管是金属(metal)—氧【yǎng】化【huà】物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体【tǐ】管，或者称是金【jīn】属—绝缘体【tǐ】(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的【de】 ，他们都是【shì】在P型backgate中形成的N型区 。在多数情况下【xià】
，这【zhè】个两【liǎng】个区是一样的【de】，即【jí】使两端对调也不会影响器件的【de】性能。这【zhè】样的【de】器【qì】件被认为【wéi】是对称的
。

场【chǎng】效应【yīng】管（FET） ，把【bǎ】输入电【diàn】压的变化转化为输出电流的【de】变化。FET的增益等于【yú】它的transconductance，定义为输出【chū】电流【liú】的变化和输入电压变化之比【bǐ】 。市面上【shàng】常【cháng】有的一【yī】般为N沟道和P沟道
，详情【qíng】参考右侧图片【piàn】（N沟道耗尽【jìn】型MOS管【guǎn】）
。而P沟道常见的为低压mos管【guǎn】。

场效应【yīng】管通过【guò】投影【yǐng】一个电场在一个绝缘层上来【lái】影响流过【guò】晶体管的电【diàn】流 。事实上没有电流流过这个【gè】绝缘体，所以FET管的GATE电流非【fēi】常【cháng】小【xiǎo】
。

最【zuì】普通的FET用一薄层二【èr】氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶【jīng】体管【guǎn】称【chēng】为金【jīn】属氧化物半导体(MOS)晶体【tǐ】管 ，或,金属氧化物半【bàn】导体场效【xiào】应管（MOSFET） 。因为MOS管更【gèng】小【xiǎo】更省电
，所以他【tā】们【men】已经在很多应用场合取代了双极【jí】型晶体管【guǎn】
。

电路中MOS管的好坏该如何判断？

一.红左，黑【hēi】中 、右无穷大黑【hēi】左 ，红中
、右无穷大红中【zhōng】
，黑右【yòu】无穷大；黑中红【hóng】右显示530（左右）。其【qí】实场效应管【guǎn】三极管很好判断【duàn】：有【yǒu】字面朝上从【cóng】左到右依次【cì】为：G、D 、S，有些管【guǎn】相反：S
、D、G 。我修显【xiǎn】示器 、主【zhǔ】板、电源都是【shì】从上面【miàn】的方法【fǎ】测绝对没问题【tí】
。你不信随便拆块【kuài】板看一看 ，场效应管【guǎn】在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测。

二．1判别各电极【jí】与管型【xíng】 。用万用表R×100档
，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正【zhèng】
、反向电阻值。其中一次【cì】测量中【zhōng】两引脚的电阻值为【wéi】数百欧【ōu】姆，这【zhè】时两表笔所接的【de】引【yǐn】脚为【wéi】源极S和【hé】漏极D ，而另一引脚为栅极【jí】G
。再用【yòng】万用表R×10k档测【cè】量两引脚（漏极D与源极S）之【zhī】间的正【zhèng】、反向电阻【zǔ】值。正【zhèng】常【cháng】时
，正向电阻值为2kΩ左右【yòu】，反向电阻值大于500kΩ 。在【zài】测量反向电【diàn】阻值时 ，红【hóng】表【biǎo】笔所接引脚不动，黑表笔脱【tuō】离所接引脚后
，先与栅极G触碰一下【xià】，然后再【zài】去接原引脚【jiǎo】 ，观察万用表读数的变化情况
。若【ruò】万用【yòng】表读数由【yóu】原来较大阻值变【biàn】为0
，则此红表笔【bǐ】所接的即是源【yuán】极S，黑表【biǎo】笔【bǐ】所接为漏极D。用黑【hēi】表笔触【chù】发栅极G有效 ，说明该管【guǎn】为N沟道场【chǎng】效应管 。若万【wàn】用表读数仍【réng】为较大【dà】值
，则【zé】黑表【biǎo】笔接【jiē】回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后【hòu】再接回原引脚 ，若此时万用表读数【shù】由原【yuán】来阻值【zhí】较【jiào】大变【biàn】为0
，则此时【shí】黑表笔【bǐ】接【jiē】的为源极S，红表笔接的是漏极【jí】D
。用表红笔触发栅极G有效【xiào】 ，说明该管【guǎn】为P沟道场效应晶体管【guǎn】。

2．判别其好坏 。用万用【yòng】表R×1k档或R×10k档
，测量【liàng】场效【xiào】应管任意两【liǎng】脚之【zhī】间的正 、反向电【diàn】阻【zǔ】值
。正常时，除漏极与源极的正向电阻【zǔ】值较小外 ，其余各引脚之间（G与D
、G与S）的正、反【fǎn】向【xiàng】电阻值均【jun1】应为无【wú】穷大。若测【cè】得【dé】某两极【jí】之间的【de】电阻值【zhí】接近【jìn】0Ω，则【zé】说明该管【guǎn】已击穿【chuān】损【sǔn】坏 。另外
，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体【tǐ】管【guǎn】用红表笔【bǐ】触发，N沟道场效应管用【yòng】黑表笔触发）的方【fāng】法来判断【duàn】场应管是否【fǒu】损坏
。若触发有效（触发栅极G后 ，D 、S极之间的正
、反向电【diàn】阻【zǔ】均【jun1】变【biàn】为0）
，则【zé】可确定该管性能【néng】良好。用吧【ba】三【sān】,1用【yòng】10K档,内有15伏电池.可提供导【dǎo】通电压.2因为栅【shān】极等效于电【diàn】容,与任何【hé】脚不通,不论【lùn】N管或【huò】P管都很【hěn】容易找出栅【shān】极来,否则是坏管【guǎn】.3利用表笔【bǐ】对栅源间正向【xiàng】或反【fǎn】向充电,可使漏【lòu】源通【tōng】或断,且【qiě】由于栅极上电荷能保持,上述【shù】两步可分先后,不必同【tóng】步,方便.但要放【fàng】电时需短【duǎn】路管脚或反充.4大都源漏间有【yǒu】反并二极管,应注【zhù】意,及帮助判断.5大都【dōu】封庄为字面对自已时,左栅中漏右源 。

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