mos场效应管的全称_mos场效应管工作原理

mos管是什么？

MOS管一般又叫场效应管mos场效应管的全称，与二极管【guǎn】和三极管【guǎn】不同 ，二极管【guǎn】只【zhī】庆【qìng】扰能通过正向电【diàn】流
，反向截止，不能控制 ，三极管咐差世通俗讲就是小电流放大成衡肢受控mos场效应管的全称的大电流
，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管的输【shū】入电阻极大，兆欧级的 ，容易【yì】驱【qū】动【dòng】
，但是价格【gé】比三极管要高，一【yī】般适用【yòng】于需要小电压【yā】控【kòng】制大【dà】电流的情况 ，电磁炉里一般就是【shì】用的20A或者25a的场效应管 。

拓展资料mos场效应管的全称：

MOS电容的特性能被用来形成MOS管
。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边【biān】是两个额外的【de】选择性掺杂【zá】的区域 。其中【zhōng】一个【gè】称【chēng】为【wéi】source
，另一个称为【wéi】drain
。假设source 和backgate都接地，drain接正电【diàn】压。

MOS管是场效应管的一种么？ 和其他场效应管比有什么特点？

MOS管全称【chēng】是MOSFET ，意【yì】思【sī】是金属绝缘栅型【xíng】场效应管
，因【yīn】为它的【de】栅极与沟道【dào】清枣搭之间有一层绝缘【yuán】层而得名，且栅极通常采用【yòng】铝金属【shǔ】作为材【cái】料【liào】而得名 。

它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）
。

与【yǔ】结型管【guǎn】相比 ，MOS管的输入电阻更岩粗大
，通【tōng】过电流【liú】能力很强，耐【nài】压值也可【kě】以做到比较高【gāo】 ，可以承【chéng】受更大的功率。但在频率特性上面
，MOS管【guǎn】的表现【xiàn】不如【rú】结型管 。

因此MOS管一般被用于功率电【diàn】路中，包【bāo】括驱动电【diàn】路 ，电【diàn】源电路
，大电【diàn】流开【kāi】关【guān】等【děng】。而【ér】在答【dá】拿晶体管常用的小信号放大场【chǎng】合【hé】，结型管用【yòng】得更多一些
。

mosfet全称

MOSFET

全【quán】称是“金属【shǔ】氧【yǎng】化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

为减少续流电流在寄生二极管上产生mos场效应管的全称的损耗mos场效应管的全称 ，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变【biàn】元件。由于 MOAH ET 具有【yǒu】导通阻抗低、电流可【kě】以双向【xiàng】流【liú】动的特点mos场效应管的全称，在 M1 关断mos场效应管的全称
，进【jìn】入续【xù】流阶段时，开通 M 2 ，使续流【liú】电流流经【jīng】 M2
，由于 MOSFET 的导【dǎo】通阻抗极低，损耗很小 ，例如当续流【liú】电【diàn】流为 10A
， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时【shí】 ，若续流【liú】电流流经【jīng】 D2 时产生损耗为 7W
， 而流经【jīng】 MOSFET 时【shí】产生损【sǔn】耗仅为 1W，槐隐因此使【shǐ】用这种控【kòng】制方【fāng】式可以【yǐ】减少损耗【hào】 ，提高逆变器的效 率【lǜ】
，在续流电铅慎厅流大的情况下效果更加【jiā】明显 。这种控制方式亦称为同【tóng】步【bù】整【zhěng】流
。

MOSFET管【guǎn】是FET的一种(另一【yī】种是JFET)，可【kě】以被制造成增强型或【huò】耗尽型 ，P沟道【dào】或N沟道共4种类【lèi】型，但实际应用的只有【yǒu】增强【qiáng】型的N沟【gōu】道MOS管和增【zēng】强型的P沟道MOS管孝拍
，所【suǒ】以【yǐ】通常提到【dào】NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

MOSFET 依照其【qí】“通道【dào】 ”的极性不【bú】同 ，可分为n-channel与p-channel的MOSFET
，通常【cháng】又称【chēng】为NMOSFET 与PMOSFET 。

mos管的作用是什么

目前主板或显卡上使用mos场效应管的全称的MOS管并不太多mos场效应管的全称，一【yī】般有【yǒu】10个左右
。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压mos场效应管的全称 ，所以一般【bān】用【yòng】在CPU 、AGP插槽
、内【nèi】存插槽附近 。仔清其中
，CPU和【hé】AGP插槽附近布置mos场效应管的全称了一组MOS管，而内存【cún】插槽共用一【yī】组MOS管
。一【yī】般来【lái】说 ，MOS管两个一【yī】组【zǔ】出现在【zài】主板上。工作原理双极晶【jīng】体【tǐ】管将输入端的小【xiǎo】电流变【biàn】化【huà】放【fàng】大
，然后在输出端输出大的电流变化 。双极晶体管的增【zēng】益【yì】定义为输出电【diàn】流与输入电【diàn】流之比(β)
。另一【yī】种晶体【tǐ】管叫FET，把输入电压【yā】的变化转化为输出电流的变化。它们是【shì】电流控制【zhì】装置【zhì】和电压控制【zhì】装【zhuāng】置 。FET的【de】增益等于其【qí】跨导)gm ，跨【kuà】导定义为输出【chū】电【diàn】流【liú】的变【biàn】化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的【de】输入栅极(称为【wéi】gate)
，它通【tōng】过在绝缘层【céng】(氧【yǎng】化【huà】物【wù】SIO2)上投【tóu】射电场来影响流经晶体管的电【diàn】流
。实际【jì】上没【méi】有【yǒu】电念裤前流【liú】流过这个绝缘体(只【zhī】是电容的作用)，所以【yǐ】FET的栅极电流很小(电容【róng】的电流损耗)。最常见的【de】FET在栅电极纯戚下使用一薄层二氧化硅作为绝【jué】缘体 。这种晶体管被【bèi】称【chēng】为金属氧化物【wù】半导【dǎo】体(MOS)晶体管【guǎn】 ，或金属氧化物半导体场效应【yīng】晶体管(MOSFET)
。

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