mos场效应管分类_场效应管和mos管的工作原理

场效应晶体管的分类？

场效应管分结型【xíng】 、绝【jué】缘栅型(MOS)两大类【lèi】。按沟道【dào】材料【liào】型和绝缘栅型各分【fèn】N沟【gōu】道和P沟道两种；按导电【diàn】方式：耗尽型与增强型，结【jié】型场效应管均为耗尽【jìn】型 ，绝【jué】缘【yuán】栅型场效应管【guǎn】既【jì】有耗尽型的，也【yě】有增强型的 。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管
，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽【jìn】型和增强型；P沟耗尽型和增强型四【sì】大类。场效应【yīng】管分为【wéi】结型场【chǎng】效应管（JFET）和绝【jué】缘【yuán】栅【shān】场效【xiào】应【yīng】管（mos管）
。

详细情况请见：

场效应管共分几种？

场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效【xiào】应【yīng】管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属【shǔ】-氧化物半导体场【chǎng】效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET) 。由多数【shù】载流子【zǐ】参与导电 ，也【yě】称【chēng】为单【dān】极【jí】型晶【jīng】体管
。它属于电压控制型半导体器件。具【jù】有【yǒu】输入电【diàn】阻高(10~10Ω)、噪声小
、功耗低、动态范围大 、易于集成
、没【méi】有二次击穿【chuān】现【xiàn】象、安全工【gōng】作区域宽等优点
，现已【yǐ】成【chéng】为双极型晶体管【guǎn】和功率晶体管的【de】强大竞争者【zhě】 。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电【diàn】场效应【yīng】来控制输出回【huí】路电【diàn】流的一【yī】种半导体器件，并【bìng】以此命名
。

由于【yú】它【tā】仅【jǐn】靠半导【dǎo】体【tǐ】中的多数载流【liú】子导电 ，又称单极型【xíng】晶体管。FET英文为FieldEffectTransistor
，简【jiǎn】写成FET 。场效应管[2]是常见的电子元件，属于电压控制型【xíng】半导体器【qì】件【jiàn】
。具有输入电阻高【gāo】（10^8～10^9Ω） 、噪声小
、功耗低、动态范围大 、易于集成
、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。1.场【chǎng】效应管可应【yīng】用于【yú】放大 。由于场效应管放大【dà】器的输入阻抗很【hěn】高 ，因此耦合电容【róng】可以容【róng】量较小
，不必使【shǐ】用电解电容器【qì】
。2.场效应【yīng】管很高的输入阻抗非常适【shì】合作阻【zǔ】抗变换。常用【yòng】于多级放大【dà】器的输入级作阻抗变换 。3.场效应管可以用作可变电【diàn】阻。4.场效应管可以方便地【dì】用作【zuò】恒流源
。5.场效应管【guǎn】可以用作电【diàn】子开关。其特点为（1）场效应管是电【diàn】压控【kòng】制器【qì】件，它【tā】通【tōng】过VAH(栅【shān】源【yuán】电【diàn】压【yā】)来控制ID（漏极电流【liú】）；（2）场【chǎng】效应管的输入端电流极【jí】小 ，因此它的【de】输【shū】入电阻很【hěn】大 。（3）它是利用【yòng】多【duō】数载流子导【dǎo】电
，因此它【tā】的温度稳定性较好【hǎo】；（4）它组成的【de】放大电路的电压放大系数要小于三极管组【zǔ】成放大电路的电压放【fàng】大系数；（5）场效应【yīng】管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动【dòng】的【de】少子扩散引起【qǐ】的散【sàn】粒【lì】噪声，所以噪声低
。

场效应管分为几种？

场【chǎng】效应管【guǎn】（FET）是【shì】一种电压掌握电流器件。其特色是【shì】输出电阻高 ，噪声【shēng】系数【shù】低，受温度和【hé】辐射影响小 。因【yīn】此特殊运用于高敏锐【ruì】度 、低噪声电路中【zhōng】 
。

场效应管【guǎn】的【de】品种许多
，按构【gòu】造可【kě】分为两大类：结型场效应【yīng】管（JFET）和绝【jué】缘栅型场【chǎng】效应【yīng】管（IGFET）.结【jié】型场【chǎng】效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场【chǎng】效【xiào】应管次要指金属--氧化物【wù】--半导体场效【xiào】应管【guǎn】（MOS管【guǎn】）

 。MOS管又分为“耗尽型 ”和“加强型【xíng】”两种，而每一种又【yòu】分为【wéi】N沟【gōu】道和P沟道【dào】 
。

结型【xíng】场效应管【guǎn】是应用导电沟道之【zhī】间耗【hào】尽【jìn】区的宽【kuān】窄来【lái】掌握电流的 ，输出电阻【zǔ】（105～1015）之间；

绝缘栅型是应用感应【yīng】电荷【hé】的若干来掌【zhǎng】握导电沟道的宽窄从而掌【zhǎng】握电流的巨细
，其输出阻抗很高(栅极【jí】与其它电极相互绝缘【yuán】)。它【tā】在硅片上的集成【chéng】度【dù】高，因而在大【dà】范围【wéi】集成电路【lù】中占领【lǐng】极端主要的位置  。

场效应管可作哪些分类？

场效应【yīng】管分为N沟道和P沟道 ，主【zhǔ】要以N沟道增强型【xíng】为主
，也比【bǐ】较容易辨别N沟【gōu】道和P沟道，各个品牌【pái】的命【mìng】名方式【shì】就可以【yǐ】看出 ，比方的：FQPF5N60,N就代【dài】表N沟道
，FQP27P06,P就【jiù】代表P沟【gōu】道
。于PNP型三【sān】极管，C
、E极分别为其内部两【liǎng】个PN结的正极 ，B极为它们共同的【de】负极
，而对于NPN型【xíng】三极管【guǎn】而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负【fù】极 ，而B极则【zé】为它们共【gòng】用的正【zhèng】极，根据PN结正【zhèng】向电阻小反向电阻【zǔ】大【dà】的特【tè】性就可【kě】以很方【fāng】便的判断基极和【hé】管【guǎn】子的类【lèi】型。具【jù】体方【fāng】法如下：将万【wàn】用表【biǎo】拨在R深圳振邦微 mes;100或R×1K档【dàng】上 。红笔接触某一管脚
，用黑表【biǎo】笔分别接另外两个管脚【jiǎo】，这【zhè】样就可得到三组（每【měi】组两次）的读数【shù】 ，当其【qí】中一组二【èr】次测量都是【shì】几百欧的低阻值时
，则【zé】红表笔所接触的管脚就是基极，且【qiě】三极管的管型【xíng】为PNP型【xíng】；如【rú】用上【shàng】述方法测得一组二次都是【shì】几十至上百千欧的高阻值时 ，则红表笔所接【jiē】触的管【guǎn】脚即【jí】为基极
，且三极管的【de】管【guǎn】型【xíng】为NPN型。

MOSFET 有几种类型 ，电路符号是什么样？

一 、场效应管mos场效应管分类的分类 按沟道半导体材料mos场效应管分类的不同mos场效应管分类
，结型和绝缘栅【shān】型各分沟道【dào】和P沟【gōu】道两种
。若按【àn】导电方式【shì】来划分，场效应管又可分成【chéng】耗尽型与【yǔ】增强【qiáng】型。结型场效应管均为耗【hào】尽【jìn】型【xíng】 ，绝缘栅型场效应管既有耗尽型mos场效应管分类的
，也有【yǒu】增强型的 。 场效应晶体【tǐ】管可分为【wéi】结场【chǎng】效应晶体管和【hé】MOS场【chǎng】效【xiào】应晶【jīng】体管
。而MOS场效应晶体管又【yòu】分为N沟耗【hào】尽型和增强型mos场效应管分类；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图 。

二、场【chǎng】效应三极管的型号命名方法【fǎ】 第【dì】二种命【mìng】名方法是AH ××#，AH 代表场效应管【guǎn】 ，××以【yǐ】数字代表型号的【de】序号【hào】，#用字【zì】母代表同一型【xíng】号中的不同【tóng】规格
。例如AH 14A
、AH 45G等。

三、场效应【yīng】管的参数 1 、I DSS — 饱和漏源电流 。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管【guǎn】中【zhōng】
，栅极电【diàn】压【yā】U AH=0时的漏源电流
。 2
、UP — 夹断电压。是指结型【xíng】或耗【hào】尽型绝缘【yuán】栅【shān】场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极【jí】电【diàn】压【yā】 。 3、UT — 开【kāi】启电压
。是指【zhǐ】增强型绝【jué】缘栅场【chǎng】效管中 ，使漏源间【jiān】刚【gāng】导【dǎo】通时的栅极【jí】电压。 4 、gM — 跨导【dǎo】 。是表【biǎo】示栅源【yuán】电压U AH — 对漏极电【diàn】流I D的控【kòng】制【zhì】能力
，即【jí】漏极电流I D变化【huà】量与栅源电压UAH变化量的比【bǐ】值。gM 是衡量场效应【yīng】管【guǎn】放大能力的重要参数
。 5
、BUDS — 漏【lòu】源击穿电压。是【shì】指栅源电【diàn】压UAH一定时【shí】，场效应【yīng】管正常【cháng】工作【zuò】所能承【chéng】受的最大漏源电【diàn】压 。这是一项【xiàng】极【jí】限【xiàn】参【cān】数 ，加在场效应管上的工作电【diàn】压必须小于【yú】BUDS
。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极【jí】限参数
，是【shì】指场效应管性能不【bú】变坏时所允许的最大漏源【yuán】耗散功率 。使【shǐ】用时【shí】，场效应管实际功耗应小于PDSM并【bìng】留有一定余量
。 7 、IDSM — 最【zuì】大漏源电流。是一项极限参【cān】数 ，是指场效应管正常工作时
，漏源间所【suǒ】允许通过的【de】最【zuì】大电流【liú】 。场【chǎng】效应管的工作电流不应超过IDSM.

常用的mos管有哪些

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以【yǐ】被【bèi】制构成增强【qiáng】型或耗尽型 ，P沟道或N沟道共4种类型
，但理论应【yīng】用的【de】只需增强【qiáng】型的N沟道MOS管和【hé】增强型【xíng】的P沟道MOS管，所以通常【cháng】提到NMOS ，或者PMOS指【zhǐ】的就是这两种【zhǒng】
。场效【xiào】应管分【fèn】为结型【xíng】场效应管（JFET）和绝【jué】缘栅场效应【yīng】管（MOS管）两大类。

一
、结型场效应管（JFET）

结【jié】型场【chǎng】效应管的分类：结【jié】型场效应管【guǎn】有两【liǎng】种结构形式，它们【men】是N沟道结型场效应管【guǎn】和P沟道结型场【chǎng】效应管【guǎn】 。

结型场效应管【guǎn】也具有三个电极
，它们是【shì】：栅【shān】极；漏极【jí】；源极
。电路符号【hào】中栅极的箭头方向可【kě】理解【jiě】为两个PN结的正向【xiàng】导【dǎo】电方【fāng】向。2、结型【xíng】场效【xiào】应管的工【gōng】作原理(以N沟道结型场【chǎng】效应管为例)，N沟道结构型场效应管的【de】结构及符号 ，由于PN结中的载流子已经耗【hào】尽
，故PN基本【běn】上是不导电的，形成了【le】所谓耗尽区 ，当漏极电源电压ED一定【dìng】时
，如果栅极电压越负，PN结【jié】交【jiāo】界面所形成【chéng】的耗【hào】尽【jìn】区就越厚 ，则漏 、源极之间导电的【de】沟道【dào】越窄【zhǎi】
，漏【lòu】极电流【liú】ID就愈小；反之，如【rú】果栅极电【diàn】压没有那么负 ，则【zé】沟道变宽
，ID变大，所以用栅极电压【yā】EG可以控制漏极电流【liú】ID的变【biàn】化 ，就【jiù】是说，场效应管是电压控制元件 。

二
、绝缘栅场效应管

1、绝缘【yuán】栅【shān】场效应管（MOS管【guǎn】）的分类：绝缘栅场效应管也有【yǒu】两种结构形式【shì】
，它们是N沟【gōu】道型和P沟道型。无论是什【shí】么沟道【dào】，它们又分为增【zēng】强型和耗【hào】尽型两种
。

2 、它是【shì】由【yóu】金属、氧【yǎng】化物和半导体所组【zǔ】成 ，所以【yǐ】又称为金属—氧化物—半【bàn】导体【tǐ】场效应【yīng】管
，简称MOS场效应管。

3
、绝缘栅型场效应管的【de】工作原理【lǐ】(以N沟道增强型【xíng】MOS场效应管)它是利用【yòng】UAH来【lái】控制【zhì】“感应电荷
”的多少，以改变由【yóu】这【zhè】些“感【gǎn】应电荷【hé】”形【xíng】成的导电沟【gōu】道的状况 ，然后【hòu】达到【dào】控制【zhì】漏【lòu】极电流的目的 。在制造【zào】管子时
，通过工【gōng】艺使绝缘层中【zhōng】出【chū】现大量正离子，故在【zài】交【jiāo】界面的另一侧能感应出较多的负【fù】电荷 ，这些负电荷把高渗【shèn】杂质的N区接通
，形成了导电沟道，即使在VAH=0时也有较大的【de】漏极电【diàn】流ID
。当栅【shān】极【jí】电压改变时 ，沟道内被感【gǎn】应的电荷量也【yě】改【gǎi】变
，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电【diàn】流【liú】ID随着栅极电压的变化而变【biàn】化。场效应【yīng】管【guǎn】的工作【zuò】方式有两种：当栅压【yā】为零时有较【jiào】大漏极电流的称为【wéi】耗散型；当栅【shān】压为【wéi】零 ，漏极电流也为零，必须再加【jiā】一定【dìng】的栅压之后【hòu】才有漏极电流的称为【wéi】增强型 。

mos场效应管分类的介绍就【jiù】聊到这【zhè】里吧
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