mos场效应管分为哪四部分_mos场效应管是什么的简称

场效应管分为几种？

场效应管【guǎn】（FET）是一种【zhǒng】电【diàn】压【yā】掌【zhǎng】握电流器件【jiàn】。其特色【sè】是【shì】输出【chū】电阻高，噪声系数低 ，受温度和【hé】辐射影响小 。因此特殊运用于高敏锐度、低噪声【shēng】电【diàn】路中 
。

场效应【yīng】管【guǎn】的品【pǐn】种许多
，按构造可分为【wéi】两大类：结型场【chǎng】效应管（JFET）和绝缘栅型场【chǎng】效应管（IGFET）.结型场效应管又分为【wéi】N沟道和P沟道两种【zhǒng】。绝缘栅场效应管次要指金属【shǔ】--氧化物--半导体场【chǎng】效应管（mos管）

 。MOS管【guǎn】又分为【wéi】“耗【hào】尽型”和【hé】“加强型【xíng】 ”两种，而【ér】每一种又分为【wéi】N沟道和P沟道 
。

结【jié】型场效应【yīng】管是应【yīng】用导电沟道之间耗尽区的宽窄来【lái】掌【zhǎng】握【wò】电流的 ，输出电【diàn】阻（105～1015）之间【jiān】；

绝缘栅型是应用感【gǎn】应【yīng】电荷的若【ruò】干来掌握导电沟道的宽窄【zhǎi】从而【ér】掌握【wò】电流的巨细
，其输出阻抗很高(栅【shān】极与其它电【diàn】极相互绝缘)。它在硅片上【shàng】的集【jí】成度高，因而在大范围【wéi】集成电路中占领【lǐng】极【jí】端主要的位置  。

MOSFET 有几种类型，电路符号是什么样？

一 、场【chǎng】效应管的【de】分类 按【àn】沟道半【bàn】导体材料的不同【tóng】
，结【jié】型和绝缘栅型【xíng】各分沟道和P沟道两【liǎng】种。若【ruò】按【àn】导电方式来划分，场效【xiào】应【yīng】管又可分成耗尽型与增强型
。结型场效应管均【jun1】为耗尽型 ，绝缘【yuán】栅型场效应管【guǎn】既有耗尽型的
，也有增强型的。 场效应【yīng】晶【jīng】体【tǐ】管可分为结场效应【yīng】晶体管和MOS场效【xiào】应【yīng】晶体管 。而MOS场效【xiào】应【yīng】晶【jīng】体管又分为【wéi】N沟耗尽型和增【zēng】强【qiáng】型【xíng】；P沟耗尽型和增强型四大【dà】类
。见【jiàn】下图。

二
、场效【xiào】应三【sān】极【jí】管的【de】型号【hào】命名方法 第【dì】二种命名【míng】方法是AH ××#，AH 代表场效应管 ，××以数字代【dài】表型号的序号
，#用字【zì】母代表同一型号中的不同【tóng】规格 。例如AH 14A、AH 45G等
。

三 、场效应管的【de】参【cān】数 1
、I DSS — 饱和漏源电流【liú】。是指结【jié】型【xíng】或耗尽型绝缘【yuán】栅【shān】场效应管中，栅极电压【yā】U AH=0时【shí】的漏【lòu】源【yuán】电【diàn】流 。 2、UP — 夹断电压
。是指结型或耗尽型绝【jué】缘【yuán】栅场效应【yīng】管中 ，使【shǐ】漏源【yuán】间刚截止时的栅极【jí】电压。 3 、UT — 开启电压 。是指增强型【xíng】绝缘栅场效管中【zhōng】
，使漏源间刚导【dǎo】通时的栅极电压
。 4、gM — 跨【kuà】导【dǎo】。是表示栅源电压U AH — 对漏【lòu】极电流I D的控制能【néng】力，即漏极电【diàn】流I D变【biàn】化量与【yǔ】栅源电压UAH变化【huà】量的比【bǐ】值 。gM 是衡量【liàng】场效应管放大【dà】能力的重要【yào】参数。 5
、BUDS — 漏【lòu】源击穿电压
。是【shì】指栅源电【diàn】压UAH一定时 ，场效【xiào】应管【guǎn】正常工作所能【néng】承受的最大漏源电压。这是一项极【jí】限参数
，加在场效应管上【shàng】的工【gōng】作电压必须小于BUDS 。 6、PDSM — 最大耗【hào】散功率【lǜ】
。也是一项极限参数，是指场效应管性能【néng】不变坏时【shí】所允许的最大漏源耗散功率。使用【yòng】时【shí】 ，场效应管实【shí】际功耗【hào】应小【xiǎo】于PDSM并留有一定余量 。 7 、IDSM — 最大漏源电流
。是一项极【jí】限参数，是指场效【xiào】应管正常工【gōng】作时【shí】
，漏源间所允许【xǔ】通过【guò】的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM.

MOS管至少有四个引脚 ，四个引脚分别怎么用？

MOS管只有【yǒu】四个引脚
，即漏【lòu】极【jí】
、栅极、源极和衬底 。

NMOS和PMOS的接法是不一样的
。

NMOS：漏【lòu】极→输出信号 、栅极→输入信号【hào】
、源极→低电平(或地【dì】)、衬底→低电平(或【huò】地)。

PMOS：漏极→输出【chū】信号 、栅【shān】极→输入信号【hào】
、源极→高电平(或电源)、衬底→高电【diàn】平【píng】(或电源【yuán】) 。

MOS管有【yǒu】用的管【guǎn】脚【jiǎo】就【jiù】是三个：源极【jí】 、漏极
、栅极
。多余的管脚或【huò】者是【shì】同【tóng】名管脚【jiǎo】（在内部和漏【lòu】极、栅极相连，特别是有些大功率管） ，或【huò】者是【shì】空脚（没有内部连接
，只起【qǐ】焊接固定作用）。

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