mos管场效应管【guǎn】的工作原【yuán】理及【jí】结构_场效应管和mos管【guǎn】的工作原理

mos管的工作原理

目前主板或显卡上使用mos管场效应管的工作原理及结构的MOS管并不太多mos管场效应管的工作原理及结构，一般【bān】有【yǒu】10个左【zuǒ】右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因为MOS管主要为配件提供稳定mos管场效应管的工作原理及结构的电【diàn】压 ，所以一般用在CPU、AGP插槽 、内【nèi】存插槽附近【jìn】
。仔清【qīng】其中
，CPU和AGP插槽附近布【bù】置【zhì】mos管场效应管的工作原理及结构了一组【zǔ】MOS管，而内存插槽共【gòng】用一【yī】组MOS管。一【yī】般来【lái】说 ，MOS管两【liǎng】个一组出现在主板上 。工作【zuò】原理双极晶体管将输入端的小电流变【biàn】化【huà】放大，然【rán】后在输【shū】出端输【shū】出大【dà】的电流【liú】变化【huà】。双极晶【jīng】体管的增益【yì】定义为输出电流与输入电流之比(β)
。另一种晶体管叫【jiào】FET
，把【bǎ】输【shū】入电压的变化转化为输出【chū】电【diàn】流的变化。它们是电流控制装置和电【diàn】压控制【zhì】装置 。FET的增益等【děng】于其跨导)gm，跨导定义为输【shū】出【chū】电流的【de】变化与输【shū】入【rù】电压的变化之比
。FET的【de】名【míng】字也来源于【yú】它的输【shū】入栅极(称为gate) ，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电【diàn】场来影响流经晶体管【guǎn】的电流【liú】。实际【jì】上没有电念裤前流流过这个绝缘体(只是电容的作用)
，所以FET的栅极【jí】电流很【hěn】小【xiǎo】(电容的电【diàn】流损【sǔn】耗) 。最常见的FET在【zài】栅电极纯戚下【xià】使【shǐ】用一薄层二氧化硅作为绝【jué】缘【yuán】体
。这种【zhǒng】晶体【tǐ】管被称为金属氧化【huà】物【wù】半导体(MOS)晶体管，或金属【shǔ】氧化物半导体场效应【yīng】晶【jīng】体管【guǎn】(MOSFET)。

场效应管的工作原理和基本结构是什么？

场效应管（FETmos管场效应管的工作原理及结构 ，Field Effect Transistor)电【diàn】压产生mos管场效应管的工作原理及结构的电场来【lái】控制管子工作【zuò】的 。现在最【zuì】常用的是MOSFET（M是金属mos管场效应管的工作原理及结构
，O是氧化物，S是半导体【tǐ】） ，三者恰好形【xíng】成一个【gè】电容【róng】
，中间的氧化物【wù】作为【wéi】电容的电介质【zhì】
。

电子往【wǎng】电【diàn】势高【gāo】的地方（正极）流动【dòng】聚集，空【kōng】穴向电势低的地方（负极）流动聚集。

以N管为例mos管场效应管的工作原理及结构：

（1）在不加电仔笑源的情况下 ，源极和漏极都充满mos管场效应管的工作原理及结构了电子
，是N型半导体，而它们之间的衬底【dǐ】却是P型【xíng】半导体 ，相【xiàng】当【dāng】于两【liǎng】个【gè】反【fǎn】串的PN结，电阻很大 。也可【kě】以【yǐ】理解为两个导体【tǐ】被中间的【de】衬底隔离开了
。此时无【wú】法导【dǎo】电。

（2）在栅【shān】极上加上【shàng】一【yī】个正电压之后
，这个电【diàn】压在栅极【jí】和【hé】衬底之间形成了一个栅极指向衬底的电场，这【zhè】个电场【chǎng】吸引【yǐn】电子 ，使电子在栅氧化层【céng】下方聚集
，同时将空穴排【pái】斥开 。随着栅压【yā】的升高，电子的浓度越来越【yuè】大 ，空穴【xué】浓度【dù】越来越小【xiǎo】。本来【lái】栅氧化层边缘的衬底【dǐ】为P型半导【dǎo】体【tǐ】
，空穴浓度大于电子【zǐ】浓度【dù】，但【dàn】是当栅极电压加到一定程度【dù】（Vth）时 ，电子的【de】浓度开始【shǐ】超过空【kōng】穴浓度
，此时P型衬底【dǐ】变为【wéi】N型衬底，也就是变成“沟道 ”将源极和漏【lòu】极连起来【lái】了 ，此时就可以导电【diàn】了【le】
。

（3）栅极的电压必须比源极或【huò】漏极高一个【gè】Vth
，对【duì】应【yīng】端的沟道才能导【dǎo】通【tōng】，不【bú】然就会夹断【duàn】。导通部分电阻很【hěn】小 ，夹断部分电阻非常【cháng】大【dà】（即空间电荷区） 。

（4）沟道两端【duān】同时谈晌【shǎng】夹断，就工作在截止区；只有【yǒu】一端夹【jiá】断
，就工【gōng】作在饱【bǎo】和区；没有夹【jiá】断，就工作在线性区【qū】
。截止区就【jiù】相【xiàng】当于断开不工作 ，饱和区相当于一个电【diàn】流源
，线性区【qū】相当于一个电阻【zǔ】。

总之，场【chǎng】效应管就【jiù】是【shì】靠这个“沟道
”来工作的 ，没有【yǒu】“沟【gōu】念侍含道”就休【xiū】眠了 。

mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利【lì】用VAH 来控制【zhì】“扮【bàn】凳感应电【diàn】荷 ”的多少【shǎo】 ，以改【gǎi】变【biàn】由这些“感【gǎn】应电荷”形成的导电沟道的状况
，然后达到【dào】控【kòng】制漏极电流的目的
。在【zài】制造【zào】管子时【shí】，通【tōng】过工【gōng】艺使【shǐ】绝缘层中出现【xiàn】大量正离子 ，故在交【jiāo】界面的另一侧能感应出较多的负【fù】电【diàn】荷
，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形【xíng】成【chéng】了导电沟道 ，即【jí】使在VAH =0时也有较大的漏极电流【liú】ID。当栅【shān】极电【diàn】压改变时，沟道内被感【gǎn】应的电【diàn】荷量也改【gǎi】变
，导电沟道的宽窄也随之而变，因【yīn】而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变【biàn】化 。

作用：

1
、可应用于【yú】放大电路
。由于MOS管放大器【qì】的输【shū】入阻抗很高【gāo】 ，因此耦合电容可以容量较小
，不必使用电【diàn】解电容器。

2、很高的输入阻【zǔ】抗非常适合作【zuò】阻【zǔ】抗变【biàn】换 。常用于多级【jí】放大器的输入【rù】级作阻【zǔ】抗变换
。

3 、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源 。

5
、可以用作电子开关。

简介：

mos管【guǎn】，即在集成电路中【zhōng】绝缘性场效应管
。是金【jīn】属(metal)—氧化物【wù】(oxid)—半导【dǎo】体(semiconductor)场效应晶体管【guǎn】。或者称是金属—绝【jué】缘【yuán】体(insulator)—半导体 。MOS管的source和drain是可【kě】以对调的【de】 ，都是在P型backgate中【zhōng】形成的【de】N型区【qū】
。在【zài】多数情况下
，这【zhè】个两个区是一【yī】样【yàng】的，即使两端对【duì】调也不会影【yǐng】响器件【jiàn】的性能。这样的【de】器件被认为是对称的 。

结誉滑构特点：

MOS管的内部结构如下【xià】图所示;其导通【tōng】时只有一【yī】种【zhǒng】极性【xìng】的载流【liú】子【zǐ】(多庆缺腊子)参与导电 ，是单极型晶【jīng】体管
。导【dǎo】电机理【lǐ】与小功率MOS管相同
，但结构上【shàng】有较大区别，小功率MOS管是横向【xiàng】导电【diàn】器件 ，功【gōng】率MOSFET大都采用垂【chuí】直导【dǎo】电结构
，又称为VMOSFET，大大提【tí】高了MOSFET器件的耐【nài】压和耐电【diàn】流【liú】能力。

n沟道mos管                 

p沟道mos管

其主要特【tè】点是在金【jīn】属栅极与沟道之【zhī】间有一层二【èr】氧【yǎng】化硅绝缘层【céng】 ，因【yīn】此具【jù】有很高的输入电阻【zǔ】，该管导【dǎo】通时在两【liǎng】个高浓度【dù】n扩散区间形【xíng】成【chéng】n型导电沟道【dào】 。n沟道增强型【xíng】MOS管【guǎn】必须在栅极上施加正向偏【piān】压
，且只有【yǒu】栅源电压大【dà】于阈值【zhí】电压时【shí】才有导电沟道产生的n沟道MOS管
。n沟【gōu】道耗尽【jìn】型MOS管【guǎn】是指在不加栅压(栅源电压为零)时【shí】，就有导电沟道产【chǎn】生的n沟道【dào】MOS管。

mos晶体管结构及工作原理

1. MOS管工作原理--MOS管简介

MOS管 ，即【jí】在集成电【diàn】路中绝缘性场效应管 。MOS英文全【quán】称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属【shǔ】-氧化物-半导体
，确切的说【shuō】，这个名字描【miáo】述了集成电路中MOS管的【de】结构 ，即：在【zài】一定结【jié】构的半导体器件上
，加上二氧化【huà】硅和金属，形成栅极【jí】
。MOS管【guǎn】的source和drain是可以对调的 ，都【dōu】是在P型backgate中形成的N型【xíng】区【qū】。在【zài】多数情【qíng】况【kuàng】下
，两个区【qū】是一样的，即使两端对调【diào】也不会影响【xiǎng】器件的性能,这样的器件被【bèi】认为是对称【chēng】的【de】 。

2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点

MOS管的【de】内部结构如旅则【zé】下图所示;其导通【tōng】时只有一种极性的载【zǎi】流子(多子)参与导电【diàn】 ，是单极型晶体管【guǎn】。导【dǎo】电机理与【yǔ】小功率MOS管相同
，但结【jié】构上【shàng】有较大区别【bié】，小【xiǎo】功率MOS管是横向【xiàng】导电器件 ，功率MOSFET大都采用垂直导【dǎo】电【diàn】结构【gòu】，又称为【wéi】VMOSFET
，大【dà】大【dà】提高了MOSFET器件的耐压和耐【nài】电流能力
。

　其主【zhǔ】要特点是在金属栅极【jí】与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因【yīn】此具【jù】有【yǒu】很【hěn】高的输入电阻 ，该管【guǎn】导【dǎo】通时【shí】在【zài】两【liǎng】个高浓度【dù】n扩散区间形成n型导电沟【gōu】道。n沟道增强型MOS管必须在栅轿枯极【jí】上施加正向偏【piān】压
，且只有栅源电压大于阈值【zhí】电压时才【cái】有导电沟【gōu】道【dào】产生的n沟【gōu】道MOS管 。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源【yuán】电压为零)时，就有【yǒu】导【dǎo】电【diàn】沟道产生的n沟道MOS管
。

3. MOS管工作原理

MOS管的工作原理【lǐ】(以【yǐ】N沟道增强型MOS场效应管【guǎn】)它是【shì】利用VAH 来【lái】控制“感应电荷
”的多少 ，以改变由这些“感【gǎn】应电荷【hé】”形成的导电沟道【dào】的状【zhuàng】况
，然后达到控制漏极电流的目的。在【zài】制造管子时，通【tōng】过工艺使绝【jué】缘层中【zhōng】出现大量正离子 ，故【gù】在交界【jiè】面的另一侧能感应出较多的负【fù】电荷
，这些负电荷把【bǎ】高渗杂质的【de】N区【qū】接通，形成了【le】导电【diàn】沟【gōu】道 ，即使在VAH =0时也有较大的漏极电流ID 。当栅极电【diàn】压改变时
，沟道【dào】内被感【gǎn】应的电【diàn】荷量【liàng】也【yě】改变，导【dǎo】电沟道的宽窄也随【suí】之【zhī】而变 ，因而漏极【jí】电【diàn】流闭镇洞ID随着栅极【jí】电压的【de】变化而变【biàn】化
。

深圳振邦微科技免费提供mos管场效应管的工作原理及结构最新【xīn】方案，免【miǎn】费提【tí】供mos管场【chǎng】效应管的工【gōng】作原理及结构样品、测试板及方【fāng】案开发
，申请样品请点联系13715099949/联系【xì】13715099949/13247610001。