1、性质轿尺上的区别
三极管,是一种控制电流的半导【dǎo】体器 ,是半【bàn】导【dǎo】体基本元器件之一,是电子电【diàn】路的【de】核心元件 。锋顷【qǐng】
场【chǎng】效应管属于【yú】电压控【kòng】制【zhì】型半导体器件【jiàn】,控制输【shū】入回路的电场效应来控【kòng】制输出回路电流
2、原理上的区别
三极【jí】管发【fā】射区的多数【shù】载流子浓度大于【yú】基区的 ,同时【shí】基区【qū】做得很薄,而且【qiě】严格控制杂质含量,这样一旦【dàn】接通电源后 ,由【yóu】于【yú】发射结正偏【piān】,发射区的多数载流子及基区【qū】的【de】多数载流子很容【róng】易越过发射结互【hù】相【xiàng】向对方扩散,前者的浓度基【jī】大于后【hòu】者 ,所以通过【guò】发射结的电流基本上是电子【zǐ】流。
场效应管工作原理是漏极-源极间流经沟道【dào】的ID,用以栅极与沟【gōu】道【dào】间的pn结形成【chéng】的【de】反偏的栅极电压控制ID。ID流经通路的【de】宽度,即沟道截面【miàn】积,它【tā】是【shì】由pn结反【fǎn】偏的【de】变化 ,产生【shēng】耗尽层扩展变化控制的缘故 。
扩展资料:
场效应管的作用银帆陆:
1,场【chǎng】效应管可应用于放【fàng】大。由于场效应管放大器的输入【rù】阻抗很高,因此耦合电容可以容量【liàng】较【jiào】小 ,不必【bì】使用【yòng】电【diàn】解电【diàn】容器。
2,场效【xiào】应管很高的输入【rù】阻抗【kàng】非常【cháng】适合作阻抗【kàng】变换 。常用于多级放大器的输入级作【zuò】阻抗变换。
3,场效应管可以用作可变电阻。
4 ,场效应管可以方便地用作恒流源 。
5,场效应管可以用作电子开关。
1. 场效应管(FET)分为MOS场效应管(MOSFET)和结【jié】型场效应【yīng】管(JFET)。现在主【zhǔ】此【cǐ】猛要使用【yòng】MOS场效【xiào】应管【guǎn】,即通常所称的MOS管。2. MOS是金局【jú】并属(桐扒【bā】迹【jì】Metal)-氧【yǎng】化物(Oxide)-半导【dǎo】体(Semiconductor)的简称 ,即栅-二氧【yǎng】化硅-硅 。JFET中的J代表Junction,即“结”,表示PN结的结。FET代表Field Effect Transistor ,即场效应管【guǎn】( DMN100-7-F )。
场效【xiào】应管就是【shì】MOS管,场效应【yīng】晶体【tǐ】管【guǎn】(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,MOS管可以说【shuō】是一【yī】种通俗的叫法吧,一些采购工程比较喜欢叫MOS管【guǎn】 。
至于场效应管【guǎn】跟三极【jí】管的相似之处呢 ,这个就【jiù】比【bǐ】较【jiào】专业了,我【wǒ】个此消人片【piàn】镇告面的认识是外形御扒明相【xiàng】似【sì】,就是说场效【xiào】应管和【hé】三极【jí】管很【hěn】多封装是一样【yàng】的 ,不过【guò】他们【men】的内【nèi】在有很多区别,你可以在百【bǎi】度搜索下【xià】场效应管【guǎn】与三极管的区别,有个百度文【wén】库有介绍的。
MOS管全称【chēng】是MOSFET ,意【yì】思是金属绝缘栅型场效应管,因为它的栅极与【yǔ】沟【gōu】道清枣搭之间有一层绝【jué】缘层而得【dé】名【míng】,且栅极通常【cháng】采用铝金属作【zuò】为【wéi】材【cái】料而得【dé】名。
它是场效应管的一种(另外一种是结型场效应管) 。
与【yǔ】结型【xíng】管相比 ,MOS管【guǎn】的输入【rù】电阻更岩粗大,通过电流能力【lì】很强,耐压值也可以做到比【bǐ】较高【gāo】 ,可【kě】以【yǐ】承受更大的功率。但在频率特【tè】性上面,MOS管【guǎn】的表现【xiàn】不如结型管。
因此MOS管一般被用于功率电路中,包括驱动电路,电源电路 ,大【dà】电流【liú】开关【guān】等【děng】 。而在【zài】答拿晶体【tǐ】管常用的小信【xìn】号放大场合【hé】,结型管用得更多一【yī】些。
关于场效应管和mos管有什么不一样的地方和【hé】mosfet和场【chǎng】效应管的介【jiè】绍到此就结束【shù】了,不【bú】知道你【nǐ】从中找到你需要的信息了吗 ?如果你还想了解更多这方面的信息【xī】 ,记得收藏【cáng】关【guān】注本站【zhàn】。
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