mos管场效应管_mos管场效应管 驱动板 音频

场效应管和mos管区别

场效应管【guǎn】和mos管区别【bié】主要体现在：主【zhǔ】体不同、特性不【bú】同和规【guī】则不同。

主体不同

场效应【yīng】管【guǎn】：V型槽MOS场效应管 。是【shì】继MOSFET之后【hòu】新发展起来【lái】的高效 、功率开关器件
。

MOS管：金属【shǔ】-氧化【huà】物-半【bàn】导体型场效应管属于绝缘【yuán】栅型。

特性不同

场效应管：不【bú】仅继承【chéng】了MOS场效应【yīng】管输入【rù】阻抗高（≥108W）
、驱【qū】动电流小（左右0.1μA左右），还具【jù】有【yǒu】耐压高（最高可【kě】耐压【yā】1200V）、工作电流大【dà】（1.5a～100A） 、输【shū】出功率【lǜ】高（1～250W）
、跨【kuà】导的线性好、开关速【sù】度【dù】快【kuài】等优良特性 。

MOS管：主要特【tè】点是在金属栅极与沟【gōu】道之间有【yǒu】一【yī】层二【èr】氧化硅绝缘【yuán】层 ，因此具有很高【gāo】的输【shū】入电阻（最【zuì】高可达1015Ω）
。

规则不同

场效【xiào】应【yīng】管：将【jiāng】电子管【guǎn】与功率晶体管之【zhī】优点集于一身
，因此【cǐ】在电压放大器（电【diàn】压放大倍【bèi】数可达数千倍） 、功率【lǜ】放大器【qì】、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

MOS管：当VAH =0时【shí】管子是【shì】呈截止状态，加上正确的VAH 后 ，多数载流子被【bèi】吸引到栅极
，从而“增强【qiáng】 ”了【le】该【gāi】区域【yù】的载【zǎi】流子，形成【chéng】导电沟【gōu】道 。

请教mos管 作用

MOS管作用mos管场效应管：用途广【guǎng】泛 ，包括电【diàn】视机高【gāo】频头【tóu】（高频【pín】，小电流【liú】）到【dào】开关电源（高压大电流）
，现在把MOS和双极【jí】型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管【guǎn】） ，广泛应用于大【dà】功【gōng】率领域【yù】。

在计算机领域
，CMOS指保【bǎo】存计算机【jī】基本启动信【xìn】息（如【rú】日期
、时【shí】间【jiān】、启动设置等）mos管场效应管的芯片
。人【rén】们会把CMOS和【hé】BIOS混称，其实CMOS是主板上【shàng】的一块可读【dú】写的并行或串【chuàn】行FLASH芯片 ，是用来保存BIOS的【de】硬件配【pèi】置和用【yòng】户对某些参数的【de】设定。

MOS场效【xiào】应【yīng】管也被称为金属氧【yǎng】化物【wù】半【bàn】导【dǎo】体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET) 。它一【yī】般有耗尽型和增强型两种【zhǒng】
。增【zēng】强型【xíng】MOS场【chǎng】效应管可分为NPN型PNP型【xíng】。NPN型通【tōng】常称为N沟道型
，PNP型也叫P沟道型 。

扩展资料：

当CMOS被使【shǐ】用来作数字【zì】影【yǐng】像器【qì】材【cái】的感光【guāng】元件【jiàn】使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor） ， 例如高分辨率数字摄影机与数【shù】码相机
，尤【yóu】其是片幅规格较大的数码单【dān】反相机【jī】更常见到【dào】CMOS的【de】应用
。

另外【wài】消【xiāo】费型数【shù】码相机及附【fù】有照【zhào】相【xiàng】功能的手机亦开始【shǐ】使用堆【duī】叠【dié】式有源像素感【gǎn】测器（Stacked CMOS，也有人译【yì】为积层式有源像素感测【cè】器【qì】或堆【duī】栈式有源像【xiàng】素【sù】感测器） 或背面照射【shè】式有源像素感测【cè】器【qì】(BSI CMOS) ，使成像质量得以提升。 跟传统【tǒng】的电荷耦合元件(CCD)相比
，由于CMOS每粒像素都设有放【fàng】大【dà】器，所以数据传输速【sù】度很高 。

虽然在用途上与过去CMOS电路【lù】主要作为固件或【huò】计【jì】算工具【jù】的用途非常不同 ， 但基【jī】本上它仍然【rán】是采取CMOS的【de】工艺，只是将纯粹逻辑运算的功【gōng】能转变成接收外【wài】界光线后转【zhuǎn】化为【wéi】电能【néng】
，再透过【guò】芯片上的数字【zì】─模拟转换【huàn】器（ADC）将获得的影像信号转变【biàn】为数字信号输【shū】出【chū】
。

参考资料来源：百度百科——场效应管

参考资料来源：百度百科——mos管

参考资料来源：百度百科——CMOS

mos管的作用

mos管的作用：可应用于放大电路【lù】。由于MOS管放大器的【de】输入【rù】阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小【xiǎo】 ，不必【bì】使用电解电【diàn】容器 。很高的输入阻抗非常适【shì】合作【zuò】阻抗变换【huàn】
。常用于多级放【fàng】大【dà】器的输【shū】入级作阻抗【kàng】变换【huàn】。可以用【yòng】作可变电阻 。可以方便地用作恒流源【yuán】。可以用作电【diàn】子开关【guān】
。

MOS管为压控元件
，只要【yào】加到它的压控元件所需电压就能使【shǐ】它【tā】导【dǎo】通，它的导通就像三极管【guǎn】在饱和状态一【yī】样 ，导通结的压降最小【xiǎo】
，常说的精典是开【kāi】关作用【yòng】。去掉这【zhè】个【gè】控制电压经就截止 。

MOS管即金【jīn】属【shǔ】氧化物半导体型场效【xiào】应管，属【shǔ】于场效【xiào】应【yīng】晶体【tǐ】管中的绝【jué】缘栅型
。因此 ，MOS管有时被称为场效【xiào】应管。在一般【bān】电子电路中【zhōng】
，MOS管通常【cháng】被用于放大电路或开关电路 。

MOS管的特性

开【kāi】关特性
。MOS管是压控【kòng】器【qì】件，作【zuò】为开关【guān】时 ，NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通
，PMOS只要满足Vgs。

开关损耗 。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导【dǎo】通损【sǔn】耗是【shì】由于【yú】导通后【hòu】存在导通电【diàn】阻【zǔ】而产生的 ，导通电【diàn】阻都很小
。开【kāi】关损【sǔn】耗是在MOS由【yóu】可变电阻区【qū】进入夹【jiá】断【duàn】区的过程【chéng】中，MOS处于【yú】恒流区时所产生的损【sǔn】耗。开关损耗远大于导通【tōng】损【sǔn】耗【hào】 。减小损耗【hào】通常有两个方法
，一是缩短开关时间，二是降低开关频率
。

由压【yā】控所导致的的开关特性。由【yóu】于制作工【gōng】艺【yì】的限制【zhì】 ，NMOS的【de】使用场景要远比PMOS广泛
，因【yīn】此在将更适合【hé】于高端驱动【dòng】的PMOS替换【huàn】成NMOS时【shí】便【biàn】出现了问题 。

在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很【hěn】多时候是【shì】不【bú】确定的 ，为了保证【zhèng】MOS管的安全工作
，很多【duō】MOS管内置了稳压管来限【xiàn】制栅极的控制电【diàn】压。

MOS管是什么？

MOS管一般又叫场效应管【guǎn】，与二极管和三极【jí】管不同 ，二极管只能通过【guò】正向电【diàn】流【liú】
，反向截【jié】止【zhǐ】，不能【néng】控制 ，三【sān】极管通俗讲【jiǎng】就是小电【diàn】流放大成受控的【de】大电流
，MOS管是小电压控制电【diàn】流的
。

MOS管的输入电阻【zǔ】极大，兆欧级的 ，容【róng】易【yì】驱动【dòng】，但是价【jià】格比三极管【guǎn】要高
，一般适用于需要小电压控制大电流【liú】的情【qíng】况，电磁炉里一般就是【shì】用的【de】20A或者25A的场效应管。

拓展资料：

MOS电容【róng】的特性【xìng】能被【bèi】用来形成MOS管 。Gate ，电介质和backgate保持原样
。在GATE的【de】两边是两个额外的选择性掺杂的区域【yù】。其中一个【gè】称【chēng】为source
，另一个称为drain 。假【jiǎ】设【shè】source 和backgate都接【jiē】地，drain接正电压
。

根据客户要求的不同 ，我司有针对mos管场效应管产【chǎn】品多【duō】种技术处理方案
，技【jì】术资料也【yě】有所【suǒ】不同，所以不能直接呈现 ，有需求的【de】客户请与联系【xì】我们洽淡13715099949/联系13715099949/13247610001
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