mos管的三个极电压关系_mosfet管三个极

mos管的三个极分别是什么？

G（栅极），D（漏极）s（源及） ，要求栅极【jí】和源及【jí】之间电压【yā】大于【yú】某一特【tè】定值，漏极和【hé】源【yuán】及才【cái】能导通

MOS管的三个电极【jí】分别为Us=－5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什【shí】么此时的【de】工作状

算【suàn】一下几个【gè】值就【jiù】好了
，UAH =6V。UDS=8V 。

根据NMOS增强型场效应管（UAH th就说明【míng】了【le】是增强型，电【diàn】压UDUS说明是N沟道）的状态判断条件：纳谨【jǐn】

当UAH UAH th时 ，截止（关断区）；

UDSUAH -UAH (th)时
，可变电阻区（相当于三极管【guǎn】饱和【hé】区）；

UDS=UAH -UAH (th)时，预夹断（恒流区与可变电阻区的临界点）；

UDSUAH -UAH (th)时 ，恒【héng】流区【qū】（相当于三极管放【fàng】大区【qū】）；

你现在可以计算一下：UDS=8VUAH -UAH (th)=2V
，所以明【míng】显【xiǎn】是属于恒流区，此时对于每洞孝基个UAH  ，都有一【yī】个iD与它对【duì】应【yīng】
，MOS管【guǎn】可视【shì】为电【diàn】压UAH 控制的恒流源。

你可以参考：童【tóng】慎悔诗【shī】白，《模拟【nǐ】电子技术基础【chǔ】》第四版 ，P46页
。

请问主板上MOS管的输入电压,输出电压和控制电压的关系

通俗点手【shǒu】源说
，就【jiù】是用G极的控制电【diàn】压来控制MOS管的【de】导通，饱【bǎo】和【hé】 ，截止等状态【tài】。使得D极的输入电压【yā】，在【zài】S极的输出电雀【què】漏压上体现毕【bì】岁态出不同的状态 。

mos管的三个极？

MOS管三个极
，分别是栅【shān】极（G）源极（S）和漏极（D）
。

MOS器【qì】件是电压控制【zhì】型器件，察氏搏用栅极【jí】电压【yā】来控败祥【xiáng】制源漏的导通情况。

MOS管和三极管截止区：

NMOS管的如果栅压小于阈值电压 ，MOS管相【xiàng】当于两个【gè】背【bèi】靠背的【de】二极管
，不导通【tōng】 。

NPN三极管也一样【yàng】，如果偏压小【xiǎo】于阈值【zhí】电压 ，也相【xiàng】当于两个【gè】背靠背的二极管
，不导【dǎo】通【tōng】
。

MOS管饱和区的介绍：

NMOS在【zài】漏【lòu】极电压比较高时，会使沟【gōu】道夹断【duàn】 ，之核羡后即使【shǐ】电压【yā】升高【gāo】
，电流不会再【zài】升高，因此叫做饱和区。

NPN三极管在集电极电压【yā】比【bǐ】较【jiào】高时 ，也会几【jǐ】乎【hū】全部【bù】收【shōu】集到从发射极过来的电子
，电【diàn】压再升【shēng】高也没有【yǒu】办法收【shōu】集到更多，也是它的饱和区 。

mos管的三个极电压关系

关【guān】系简弊是S极【jí】电压可【kě】以【yǐ】无【wú】条件到D极 ，MOS管就失去【qù】了开关的作用
。MOS管【guǎn】是指场效应晶体【tǐ】管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源拦猛族极)三个【gè】端口
，分为PMOS管(P沟【gōu】道知拿型)和NMOS(N沟道型)两种。

mOS管导通后的Vgs是多【duō】少？和刚【gāng】满足导通条件【jiàn】时的电【diàn】压【yā】有什么关系

MOS管导通后【hòu】的Vgs电压始【shǐ】终为做陆租该管的开启电压，和刚【gāng】满足导通条【tiáo】件时比较 ，导【dǎo】通后【hòu】随【suí】着源【yuán】极S电位的升高
，Vg电压也要升高【gāo】，在漏【lòu】极电流不变的的情况下【xià】Vgs是个【gè】常数 。

N沟【gōu】道【dào】与P沟道是不一样【yàng】的【de】
。如N沟道管 ，导【dǎo】通【tōng】后Vgs与“偏置”电路有关
，与【yǔ】其他无关。Vgs越大则【zé】导通电阻越小 。P沟【gōu】道是【shì】相反的（在无“偏置 ”时，即正常【cháng】时是导通的）。

mOS管注意：

1、为了【le】安全使用【yòng】MOS管 ，在线路的设【shè】计中【zhōng】不能超过【guò】管的耗散【sàn】功率
，最大漏【lòu】源电压 、最大栅源电压和最大【dà】电流等参数的极悉逗限值
。

2、各类型MOS管在使用时，都要严格【gé】按要求的偏置【zhì】接入【rù】电路中【zhōng】 ，要【yào】遵守MOS管偏置的极性
，如结【jié】型MOS管栅源漏之间【jiān】是PN结【jié】。纯兆N沟道管栅极【jí】不能加【jiā】正偏压，P沟【gōu】道管【guǎn】栅极【jí】不能加负偏压 。

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