mos管的作用_MOS管的作用有

MOS晶体管的作用？

1 、MOS场效肆岁芹应晶体管通常简称为场效应管，是雀亏一【yī】种应用场效【xiào】应原理工【gōng】作的半导体器件【jiàn】 ，

2
、和普通双极【jí】型晶体管相比拟
，场【chǎng】效【xiào】应管具有输【shū】入【rù】阻抗高、噪声低【dī】 、动态范围大【dà】、功耗小【xiǎo】
、易于集成等裂毕特性

mos管在开关电路的作用

MOS管在开关电路mos管的作用的作用是信号mos管的作用的转换、控制电路的通断。

金属氧化物半导体场效【xiào】应(MOS)晶【jīng】体管【guǎn】可分为N沟【gōu】道与P沟道【dào】两大类mos管的作用， P沟道硅MOS场效应晶【jīng】体管在N型硅衬底上【shàng】有两【liǎng】个P+区 ，分【fèn】别叫做源【yuán】极和漏极，两极之间【jiān】不通导
，源极上【shàng】加有足【zú】够【gòu】的正电压(栅举【jǔ】链极接地【dì】)时，栅极下的N型【xíng】硅表面呈现【xiàn】P型反型【xíng】层 ，成为连接【jiē】源极和漏【lòu】极的沟道 。

改变栅压可以改【gǎi】变【biàn】沟道中的【de】空穴密【mì】度
，从【cóng】而改【gǎi】变【biàn】沟道的电阻
。这种【zhǒng】MOS场效应晶体管称为P沟道增【zēng】强型场效应晶体管【guǎn】。

N沟道【dào】的MOS管的【de】电路中，BEEP引脚为高电平即【jí】可导通【tōng】 ，蜂鸣【míng】器【qì】发出声【shēng】音
，低电【diàn】平关闭蜂【fēng】鸣器；P沟道的MOS管是用来【lái】控制GPS模块【kuài】的电源通断，GPS_AH R引脚为低电平【píng】时【shí】导通 ，GPS模块正常供电
，高电平时GPS模块断电 。

扩展资料

NMOS的【de】特性，Vgs大于一定的值就【jiù】会导【dǎo】通 ，适合用【yòng】于源极接地时的情况（低端【duān】驱动）
，只要栅【shān】极【jí】电压【yā】达到4V或10V就可以mos管的作用了。

PMOS的特性，Vgs小【xiǎo】于一定的【de】值【zhí】就会【huì】导通 ，适合用于源极【jí】接VCC时的情况（高【gāo】端驱动）
。但是【shì】，虽然PMOS可以很【hěn】方便地用作高端驱动
，但由于导通电阻大【dà】，价【jià】格贵 ，替换种类少等【děng】原【yuán】因
，在【zài】高【gāo】端驱动中，通【tōng】常还是使用NMOS。

PMOS集成态【tài】世电路是【shì】一种适合在【zài】低速【sù】 、低频领域内应用【yòng】的器件 。PMOS集成电【diàn】路采用-24V电压供电【diàn】
。

MOS场【chǎng】效【xiào】应晶体管具有【yǒu】正【zhèng】闭孙【sūn】很高的【de】输入阻抗 ，在电路中便于直接耦合
，容易制【zhì】成规模大的集成电路 。

参考资料来源mos管的作用：百度百科-mos管

mos管的作用

绝【jué】缘栅【shān】型场效应管的【de】栅极与【yǔ】源【yuán】极
、栅极【jí】与【yǔ】漏极之间均采【cǎi】用SiO2（二氧化硅）绝缘层隔离，手纳袜因此而【ér】得【dé】名【míng】 。又因栅极为金【jīn】属铝 ，毕激故又称为MOS管【guǎn】（Metal-Oxide-Semiconductor）
。它的栅-源间电阻比【bǐ】结型效应【yīng】管大得多
，还因为它比结型场效应管温度稳【wěn】定性好、集成化时工艺简【jiǎn】单茄【qié】皮【pí】，而广泛应用于大规模和超大规模集【jí】成【chéng】电路之中。MOS管导电性【xìng】可【kě】控【kòng】 ，还有整流【liú】作用 。

mos管的作用什么

MOS管【guǎn】的作用 MOS管为压控元件,你只要加到它的压【yā】控元件所需电压就能使它导通,它的导通【tōng】就像三【sān】极管【guǎn】在【zài】饱和状态【tài】一样,导【dǎo】通结【jié】的压【yā】降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止. MOS管 MOS管【guǎn】的英文【wén】全【quán】称悄或叫【jiào】MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)mos管的作用
，即金属氧化物半导体型场效应管mos管的作用，属【shǔ】于场效应【yīng】晶体【tǐ】管【guǎn】中的绝缘栅【shān】型
。因此 ，MOS管有【yǒu】时【shí】被称为场效应管。在一般电【diàn】子电路【lù】中，MOS管通【tōng】常被用于放大电路或开关电路 。而在主板上的电源稳压电路【lù】中【zhōng】
，MOSFET扮悄运【yùn】神演的角色主【zhǔ】要是判断电位【wèi】，它【tā】在【zài】主板上常用“Q”加数字表示
。 一 、MOS管的作用是什么？ 目【mù】前主【zhǔ】板或显卡【kǎ】上所【suǒ】采用的【de】MOS管并不【bú】是太多 ，一般【bān】有10个左【zuǒ】右
，主要原因是大部分MOS管被整合到【dào】IC芯片中【zhōng】去了。由于MOS管主【zhǔ】要是为配件提供【gòng】稳定的电压，所以它一般【bān】使用在CPU
、AGP插槽和内【nèi】存【cún】插槽附近 。其中在CPU与AGP插槽附近各【gè】安排一组【zǔ】MOS管 ，而内存插槽则【zé】共用了【le】一组MOS管
，MOS管一【yī】般是以两个组成一组的形【xíng】式出【chū】现主板上的。 二、MOS管的性能参数有哪些？ 优【yōu】质的【de】MOS管能够【gòu】承【chéng】受的电流峰【fēng】值【zhí】更高
。一般情况下【xià】mos管的作用我们要判断主板上MOS管【guǎn】的质量高低，可以【yǐ】看它能承受的最大电流值。影【yǐng】响MOS管质量高【gāo】低的【de】参数非常多 ，像极端电流 、极端电压【yā】等 。但【dàn】在MOS管【guǎn】上无【wú】法标注【zhù】这【zhè】么【me】多【duō】参数
，所以在MOS管【guǎn】表面一般只标注【zhù】了产品的型号，mos管的作用我们可【kě】以【yǐ】根【gēn】据该型号上网查找具【jù】体的性能参【cān】数
。 还要说明的是 ，温度也【yě】是MOS管【guǎn】一个非常重要的性能参数。主【zhǔ】要包括环境温度
、管壳温度、贮成温度等 。由于CPU频率【lǜ】的提【tí】高
，MOS管【guǎn】需要承受的电流也随着增强，提供【gòng】近百A的电流已经很【hěn】常【cháng】见【jiàn】了
。如【rú】此【cǐ】巨【jù】大【dà】的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发【fā】烧 ”了【le】。为了MOS管的【de】安【ān】全 ，高品质【zhì】主板也开【kāi】始【shǐ】为MOS管【guǎn】加【jiā】装【zhuāng】散热片了 。 电感与MOS管是如何合【hé】作的？ 通过上面的介绍，我们【men】知道MOS管对于整个供【gòng】电系【xì】统起着稳压的作用【yòng】
，但是MOS管不能单独【dú】使用，它【tā】必须和电感线圈 、电容等共同组【zǔ】成的滤波稳【wěn】压电路 ，才能发挥充【chōng】分它的优势
。 主板上【shàng】的AH M(Plus Width Modulator
，脉冲宽度调制器)芯片产启亏生一个【gè】宽度可调的脉冲波形，这样【yàng】可【kě】以【yǐ】使【shǐ】两只MOS管【guǎn】轮流【liú】导【dǎo】通【tōng】。当负载两端的电压(如CPU需要的【de】电【diàn】压【yā】)要降低时 ，这时MOS管的开关作用开始生效
，外部电源【yuán】对【duì】电感进行充电并达到所需的额定电压 。当负【fù】载两端的电压升高时，通过MOS管的【de】开【kāi】关【guān】作用 ，外【wài】部电源供电断开
，电感释放出刚【gāng】才充入的能量，这时的电感就变成了【le】“电源
” ，继续【xù】对负载供电【diàn】
。随着电【diàn】感上存【cún】储能量的不断消耗
，负载两端的电压又开【kāi】始逐渐降低，外部电源通过MOS管【guǎn】的【de】开关作用【yòng】又要充【chōng】电。这【zhè】样循环【huán】不断地进行充电和放电的过【guò】程 ，从而形【xíng】成一【yī】种【zhǒng】稳定的【de】电【diàn】压，永【yǒng】远使负载两【liǎng】端的电压不会升高也【yě】不会降低 。

关于mos管的作用和MOS管【guǎn】的作用有的介绍到此就结束了
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