mos管n沟道【dào】和p沟道的应【yīng】用_mos管n沟道【dào】和p沟【gōu】道的区别图片

MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里？谢谢了

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

1
、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是【shì】N沟道；

2、为了能正常工作 ，Nmos管外加【jiā】的Vds必【bì】须是禅猜正值【zhí】
，开启电压VT也必【bì】须【xū】是正值，实际电流方向为流【liú】入漏极【jí】。

而与【yǔ】NMOS不同 ，PMOS管外加的Vds必【bì】须是负值【zhí】
，开【kāi】启电压VT也必须是【shì】负值【zhí】，实际电流方【fāng】向为流出漏极 。

N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型
。

如图为增强型N沟道 、P沟道MOSFET。

P MOSFET除了【le】代【dài】表衬【chèn】底的B的箭头【tóu】方向外 ，其他部银袭谈分均【jun1】与NMOS相同 。

N沟【gōu】道增【zēng】加型MOSFET管【guǎn】沟道产生【shēng】的条件为：VAH 大于等于 VT

可变电阻区与【yǔ】饱【bǎo】和区的【de】界线为  VDS= VAH -VT
。

在【zài】可【kě】变电阻区内：VAH =VT
， VDS  = VAH -VT。

在【zài】饱和区内：       VAH =VT，锋【fēng】碰   VDS  = VAH -VT 。

P沟道增加型【xíng】MOSFET管【guǎn】沟道产【chǎn】生的【de】条件为：VAH 小于等于【yú】 VT

可【kě】变电阻区与饱【bǎo】和区的界【jiè】线为  VDS= VAH -VT
。

在【zài】可变【biàn】电阻区内：VAH =VT ， VDS = VAH -VT。

在【zài】饱和区内：       VAH =VT
， VDS  = VAH -VT 。

MOS管在开关电路中的使用

MOS管也就是常说mos管n沟道和p沟道的应用的场效应管（FET），有结型场效应管【guǎn】
、绝缘【yuán】栅型场效【xiào】应管（又分【fèn】为增强型和耗【hào】尽型【xíng】场【chǎng】扰指差效应管）
。

也可以只分成两【liǎng】类P沟道和N沟道 ，这里我们就【jiù】按【àn】照【zhào】P沟道和N沟道【dào】分类。

对MOS管分类不mos管n沟道和p沟道的应用了解的可以自己上网查一下 。

场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这【zhè】里我们讲解的是【shì】MOS管【guǎn】作为开关【guān】管的使用。

对于MOS管【guǎn】的选【xuǎn】型缓【huǎn】皮
，注意4个参数：漏源电压（D 、S两【liǎng】端承受的电压）
、工【gōng】作电流【liú】（经过MOS管的电路）、开【kāi】启电压（让MOS管【guǎn】导通【tōng】的G 、S电【diàn】压）
、工作频率（最大的开关频率）
。

下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：

有【yǒu】三【sān】个引【yǐn】脚 ，分别为G（栅极）、S（源极） 、D（漏【lòu】极）。

在【zài】开关电路【lù】中
，D和【hé】S相当于【yú】需要接通的电路两端，G为开【kāi】关【guān】控制 。

这里【lǐ】分享一个【gè】自己的分辨P沟道和N沟道的方【fāng】法 ，我们就看【kàn】中【zhōng】间的【de】箭头
，把G（栅极）连接的部分【fèn】当【dāng】做【zuò】沟【gōu】道，大家都知道PN结 ，而不是NP结【jié】
，那么【me】就是【shì】P指向N的【de】，所以脑海里【lǐ】想【xiǎng】到这样的情景 P--N ，所【suǒ】以【yǐ】箭头都是【shì】P--N的【de】
，那么中间【jiān】的箭头指向【xiàng】的就是N，如果指向沟道那就是【shì】N沟道 ，如果指向的是S（没【méi】有指【zhǐ】向沟道），那【nà】就是P沟道
。

这个方法也【yě】适用于三极管的【de】判别（NPN
、PNP）。

在上图中我们可以看到右边都【dōu】有一个【gè】寄生二【èr】极【jí】管【guǎn】
，起到【dào】保护的作用 。

那么【me】根【gēn】据二极【jí】管的【de】单向导电性我【wǒ】们也能知道在【zài】电【diàn】路【lù】连接中【zhōng】，D和S应该如何连接
。使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情【qíng】况下 ，D的电压要高于S的电压
，否【fǒu】则MOS管无法正常【cháng】工作（二极管导通）。

使用有【yǒu】寄【jì】生二极【jí】管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压 ，原因同上 。

下面是【shì】MOS管的导通条件
，只【zhī】要记【jì】住电压方向与中【zhōng】间【jiān】箭头方向相反即为导通（当然这个【gè】相反电【diàn】压需要【yào】达到MOS管的开启电【diàn】压）
。

比如导通电压为【wéi】3V的N沟【gōu】道MOS管，只要G的电压比S的电【diàn】压【yā】高3V即可导通（D的电【diàn】压【yā】也【yě】要比S的高）。

同理 ，导【dǎo】通电压为3V的P沟道MOS管
，只要G的【de】电压【yā】比S的【de】电压低3V即可导【dǎo】通（S的电【diàn】压比D的【de】高） 。

在电路中的典【diǎn】型【xíng】逗桐应用如【rú】下图所【suǒ】示，分别为N沟【gōu】道与P沟道的MOS管驱动电路：

我们【men】可【kě】以看到 ，N沟道的【de】MOS管【guǎn】的电路中【zhōng】
，BEEP引脚为高电平即可导通【tōng】，蜂鸣器发出声音 ，低【dī】电平关闭蜂鸣器；

P沟道【dào】的MOS管是用来控制【zhì】GPS模块【kuài】的电【diàn】源通断，GPS_AH R引脚为低电平时导通
，GPS模块正【zhèng】常供【gòng】电，高【gāo】电平时【shí】GPS模块断电
。

重点【diǎn】、重点 、重【chóng】点 ，以上两个应用电【diàn】路【lù】中
，N沟【gōu】道和P沟道MOS管不能【néng】互【hù】相替代【dài】，如下两个应用电路【lù】不能正常【cháng】工作：

对于上面两个电路如何修改能正常工作mos管n沟道和p沟道的应用？

场效应管n沟道和p沟道能通用吗

如果要【yào】通用【yòng】要把【bǎ】毕脊原理搞清楚 ，如【rú】果【guǒ】是做开关【guān】管用
，它就相当于一个开关【guān】，打开方式是控制【zhì】栅极【jí】电【diàn】压 ，n MOS需要【yào】Vgs大于导通含数渗【shèn】电压时管子才【cái】导通
，换成【chéng】P MOS则相【xiàng】反，需要Vgs小于导通电【diàn】压【yā】 ，漏【lòu】源两极才导通。栅极无电压【yā】时n MOS是常开的
，p MOS是谈脊常闭【bì】的【de】 。建议最好不要通用，没【méi】搞好管子肯定烧【shāo】掉

N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么?

1.n沟道mos管与p沟帆键道mos管工作原理相似mos管n沟道和p沟道的应用 ，不同之处仅在于它们形成电流mos管n沟道和p沟道的应用的载流子性质慧轿肆不同mos管n沟道和p沟道的应用，因此导致加在各极上mos管n沟道和p沟道的应用的电压前轿极性相反。

应用得最多mos管n沟道和p沟道的应用的是n沟道增强型mos管

2.n沟道增强型mos管的工作原理:

关于mos管n沟道和p沟道的应用和mos管【guǎn】n沟道【dào】和【hé】p沟道的区别【bié】图片的介绍到此就结束【shù】了
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