如何测量mos管好坏_mos管测量好坏视频

mos管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例 。

一、先确定MOS管的引脚：

1 、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1
、首先找【zhǎo】出场效【xiào】应管的【de】D极（漏极）
。对于TO-252、TO-220这【zhè】类封装的带有散热片的【de】场效应管 ，它们的散热片在内【nèi】部是与【yǔ】管【guǎn】子的【de】D极相连的
，故我们可用数字万用表【biǎo】的二【èr】极管【guǎn】档测量管子【zǐ】的各个引脚，哪个【gè】引脚与散热片相连 ，哪个引脚【jiǎo】就【jiù】是D极。

2 、找到D极后
，将万用表调至二极管档；

3
、用【yòng】黑表【biǎo】笔接触管子的【de】D极，用红表笔分别接触管【guǎn】子的另外两个引【yǐn】脚 。若接触【chù】到某个【gè】引脚时 ，万用表显示的【de】读数【shù】为一个硅二【èr】极管的正【zhèng】向压降
，那【nà】么该引脚【jiǎo】即为S极（源极），剩下【xià】的那【nà】个【gè】引脚即【jí】为【wéi】G极（栅极）
。

二、MOS管好坏的测量：

1 、当把红【hóng】表笔【bǐ】放在S极上【shàng】 ，黑表笔放【fàng】在D极上，可以测出来这个【gè】导通压降
，一般【bān】在0.5V左右为正常；

2
、G脚测量，需要先【xiān】对【duì】G极充下电 ，把【bǎ】红表笔放在G极
，黑表笔放在S极；

3、再次把红【hóng】表【biǎo】档行【háng】纯笔放在S极上，黑表笔放在【zài】D极上 ，可以测出来这个放【fàng】大压【yā】降
，一般在【zài】0.3V左右为【wéi】正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1 、开启电压VT

开启电【diàn】压（又【yòu】称阈值电【diàn】压）：使得源极S和漏极D之间【jiān】开【kāi】始形成导电沟道所【suǒ】需【xū】的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约【yuē】为3～6V；通过【guò】工艺上的改进 ，可以使MOS管的【de】VT值降到2～3V。

2、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超过1010Ω 。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在VAH =0（增强【qiáng】型）的【de】条【tiáo】件下
，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为【wéi】漏源击穿电压【yā】BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有【yǒu】些MOS管中，其沟道长度较短 ，不断【duàn】增加VDS会使漏【lòu】区的【de】耗尽层一【yī】直扩展【zhǎn】到源区
，使沟道长度【dù】为零，即产生漏源【yuán】间的【de】穿通【tōng】 ，穿通后，源【yuán】区中的多数载流子
，将直接受耗尽层【céng】电【diàn】场的吸【xī】引，到达漏【lòu】区 ，产生大的ID
。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加【jiā】栅源电压过程中
，使栅极电流IG由零开【kāi】始剧增时的VAH ，称【chēng】为栅【shān】源【yuán】击穿电压BVAH 。

5 、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值【zhí】的条件下【xià】 ，漏极【jí】电流的微变量和引起这个变【biàn】化的栅源电压微【wēi】变【biàn】量【liàng】之比称为【wéi】跨导；

gm反映了栅源电行咐压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6
、导通电阻RON

导通电阻RON说明带姿了【le】VDS对ID的影响，是【shì】漏【lòu】极特性某一点切【qiē】线的斜率的【de】倒【dǎo】数

在饱和区【qū】 ，ID几乎不【bú】随【suí】VDS改变
，RON的数值很【hěn】大，一般【bān】在几【jǐ】十千欧【ōu】到几百千欧之间

由于在数字电路中【zhōng】 ，MOS管【guǎn】导通时经常工作在VDS=0的【de】状态下【xià】
，所以这时【shí】的导通电阻【zǔ】RON可用原点的RON来近似【sì】

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电【diàn】极之【zhī】间【jiān】都存【cún】在【zài】着极间电容：栅源电容CAH  、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CAH 和CGD约为1～3pF ，CDS约【yuē】在【zài】0.1～1pF之间

8
、低频噪声系数NF

噪声是由管【guǎn】子内【nèi】部载流子【zǐ】运【yùn】动的【de】不规则性所引起的 。·由于它的存在【zài】，就使一个放大器【qì】即便在没有信【xìn】号【hào】输人时【shí】
，在输出端也出现不规则的电压【yā】或电【diàn】流变化

噪声性能【néng】的【de】大【dà】小通常用噪声系数【shù】NF来表示【shì】，它的单位为【wéi】分贝（dB）。这个数值【zhí】越小 ，代表管子所产【chǎn】生的噪声【shēng】越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场【chǎng】效应管的噪声系数【shù】约为几个分【fèn】贝
，它比双【shuāng】极【jí】性【xìng】三极管的要小

如何用万用表检测MOS管是好是坏？

以N沟【gōu】道MOS场【chǎng】效应管【guǎn】5N60C为例，来【lái】详细介绍一【yī】下具体的测量方法
。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字万用表二极管档正向测【cè】量【liàng】5N60C的D-S两极。

测量【liàng】5N60C好坏时 ，首先将万用表【biǎo】量【liàng】程开关调至二极管档【dàng】
，将5N60C的G极【jí】悬空，用红黑表笔【bǐ】分【fèn】别接触【chù】5N60C的【de】D-S两极 ，若是好的管子
，万用表显示【shì】为“OL”，即【jí】溢出（见上图） 。

3.用数【shù】字万用【yòng】表二极管【guǎn】档【dàng】反向测量5N60C的D-S两极
。

然后【hòu】调换【huàn】红黑表【biǎo】笔 ，再去测量D-S两【liǎng】极
，则万用表显示的读【dú】数为一【yī】个硅二【èr】极管的正向压降（见上图【tú】）。

若MOS场【chǎng】效应管内部D-S两极之间的寄生二【èr】极管击【jī】穿【chuān】损坏【huài】，用二极【jí】管档测量时 ，万用表显【xiǎn】示的读数接近于零 。

4.用万用表的二极管【guǎn】档给5N60C栅源两极【jí】（G-S两极）之间的电【diàn】容充电
。对于N沟道MOS场【chǎng】效应【yīng】管充电【diàn】时，红表【biǎo】笔应接【jiē】管【guǎn】子的【de】G极【jí】
，黑表笔接管子的S极。

在测【cè】量完5N60C的D-S两【liǎng】极，并且确实是好的【de】之后 ，然后用【yòng】二极管档给MOS场效应【yīng】管的【de】栅源两极之间【jiān】的电容充电 。

由于【yú】MOS场效应【yīng】管的简裂前输入【rù】电阻在GΩ级（GΩ读作【zuò】吉欧
，1GΩ＝1000MΩ），数字【zì】万用【yòng】表二极管档的开路【lù】测量电压约为2.8～3V ，故用二【èr】极管【guǎn】档【dàng】的测【cè】量电压给【gěi】MOS场效应管的【de】栅源两极之【zhī】间的【de】电【diàn】容充电后
，可以【yǐ】使MOS场效应管D-S两极之间的电【diàn】阻变得很小，故用【yòng】这个方【fāng】法可以测量场效应管G-S两极之间【jiān】是【shì】否损坏
。

5.5N60C的G-S两极【jí】间的电容充电【diàn】后【hòu】 ，用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。

6.用【yòng】万用表电【diàn】阻档实测5N60C的D-S两极之间【jiān】的反向电阻为【wéi】67.2Ω 。

上面为一个好的N沟道【dào】MOS场效应管的测量数据
。对于【yú】P沟道MOS场效应管的【de】测量方法与上述测【cè】量一【yī】样
，只【zhī】是万【wàn】用表表笔【bǐ】需要调换一下极【jí】性。

扩展资料：

mos管【guǎn】是金属(metal)—氧化物【wù】(oxide)—半导体(semiconductor)场效应【yīng】晶体【tǐ】管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体 。MOS管的source和【hé】drain是可以对调【diào】的 ，他们都【dōu】是在P型backgate中形成【chéng】的N型区【qū】。在多数情况下【xià】
，这个两个区是【shì】一样【yàng】的，即使两【liǎng】端【duān】对调也不会影响器件的性【xìng】能
。这样的【de】器件被认为是对【duì】称的。

场效应管（FET） ，把输入电压的变【biàn】化转化为输出电流的【de】变【biàn】化 。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变【biàn】化和输入电压变化之【zhī】比
。市面上【shàng】常有拦清的一般为【wéi】N沟道【dào】和P沟道
，详【xiáng】情【qíng】参【cān】考右侧图片（N沟道【dào】耗尽型MOS管）。而P沟【gōu】道常见的为【wéi】低压mos管【guǎn】 。

场效应管通过投【tóu】影一个电场在【zài】一个绝【jué】缘【yuán】层上【shàng】来影响流过晶体管的电流
。事实上没有【yǒu】电流流过这个绝【jué】缘体，所以FET管的【de】GATE电流非【fēi】常小。

最普通【tōng】的【de】FET用一薄【báo】层二氧化硅来作【zuò】为GATE极【jí】下的【de】绝缘体【tǐ】 。这【zhè】种晶体【tǐ】管称为金属氧化物半导体(MOS)晶【jīng】体管 ，或,金属氧化物【wù】半导【dǎo】体场效应【yīng】管（MOSFET）
。因为MOS管更小更省电
，所以他们【men】已经在很【hěn】多应用场合取代了【le】双极源春型晶体【tǐ】管。

mos管怎么测试好坏

用万能表检测mos管好坏的方法：

将万用表【biǎo】两个【gè】表笔分别搭接在其他两个【gè】极【jí】：给B极与【yǔ】任意一个极接一个10千欧【ōu】姆电阻，电阻【zǔ】先不要接上 ，把表笔分别放在两级
，电阻这时再【zài】接触，指针摆动越大证明该管拆【chāi】兆【zhào】败【bài】子【zǐ】放大【dà】系数就越大 ，也就是说该管子就越【yuè】好
，反之【zhī】越差 。

接电阻的那一端为C极；若是红【hóng】表笔为【wéi】P管，黑表笔旅颤为N管
。凡【fán】是不符【fú】合以上【shàng】测量【liàng】数【shù】据的三极【jí】管都【dōu】是坏的。

万用表的相关要求规定：

1、指针表【biǎo】读取精度较差 ，但指针摆动的【de】过程比较直观
，其【qí】摆动速度【dù】幅度有时【shí】也能比较客【kè】观地【dì】反映了被【bèi】测量的大小【xiǎo】（比如测电视机数【shù】据总线(SDL)在传送数据时的轻微【wēi】抖【dǒu】动）；数字表读数【shù】直观，但【dàn】数字变化的过程【chéng】看起来【lái】很杂乱 ，不太容【róng】易观猜绝看 。

2 、数字万用表【biǎo】的准确度是测量【liàng】结果中系统误差与【yǔ】随机【jī】误【wù】差的综合。它表示测量值与真值的一【yī】致程度【dù】，也反映测量【liàng】误差的【de】大小
。一般讲准【zhǔn】确度愈高
，测量误差就【jiù】愈【yù】小，反之【zhī】亦然。

3
、指【zhǐ】针表内【nèi】一般有两块【kuài】电池【chí】 ，一块低【dī】电压的1.5V,一块是高【gāo】电压的9V或15V,其黑【hēi】表【biǎo】笔【bǐ】相【xiàng】对红表笔来说【shuō】是正端【duān】 。数字表则常用一块6V或9V的电池
。在电阻档
，指针【zhēn】表的表【biǎo】笔输【shū】出【chū】电流相【xiàng】对数字表来说要【yào】大很多，用R×1Ω档可【kě】以使扬声器发出响【xiǎng】亮的“哒 ”声 ，用R×10kΩ档甚至可以点亮发光二极管。

如何测量mos管好坏的介绍就聊【liáo】到这里吧【ba】
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