一 、将【jiāng】指针式【shì】万用表拨至“RX1K”档,并电调零。MOS管【guǎn】带【dài】字的一【yī】面朝着自【zì】己 ,从左到右依次为【wéi】:G(栅极),D(漏极),S(源【yuán】极) 。将黑表笔接在D极【jí】 ,红表笔【bǐ】接在S极【jí】上,此时【shí】,万用表指【zhǐ】针应不动;然后再对换表笔 ,再测,此时,万用表指针应向右【yòu】摆动。用指【zhǐ】针万用表测 ,G极,与【yǔ】其余两个【gè】极之间【jiān】,无论是两个表笔怎样对调测,万【wàn】用表指针均【jun1】应【yīng】不【bú】动。
二【èr】 、将数字万用【yòng】表【biǎo】拨【bō】至“二极【jí】管 ”档 ,也就是,蜂鸣器档 。黑表【biǎo】笔接D极【jí】,红表笔接S极 ,此时,应显示一个数值,一般情况下为400多到【dào】500多之间。然后 ,再对【duì】换【huàn】表笔,应【yīng】无显示,为“1”。然后 ,黑表笔接D极【jí】,红【hóng】表笔先去触碰一下【xià】G极,然后红【hóng】表笔再接到【dào】S极上【shàng】 ,此【cǐ】时,会发【fā】现【xiàn】显示的数【shù】值与【yǔ】原来相比,变小了许【xǔ】多,一般为100多到几十【shí】之间【jiān】 。这【zhè】说明 ,此MOS管已被触发导通【tōng】了【le】。在这个时候,黑表笔接S极,红【hóng】表笔接D极【jí】 ,会发现,有数【shù】值显示了。这说明,此MOS管是完好的 。
如果【guǒ】所【suǒ】测的【de】结果【guǒ】与【yǔ】上【shàng】述两种方法均不符 ,则这个MOS管就【jiù】是坏的【de】。一般情况下【xià】,D极和S极【jí】击穿的比较常【cháng】见。用数字万用【yòng】表的“二极管”档测【cè】,会听到蜂鸣器的响声.
当使用【yòng】有故障的MOS管时【shí】 ,会发【fā】生漏极到栅极的短【duǎn】路【lù】,对电路不【bú】利。这种短路的结果可能是漏极【jí】电压反馈,这也【yě】会影响栅极端子 。电压到【dào】达【dá】该端后 ,通过栅【shān】极电阻进【jìn】一【yī】步【bù】传输到【dào】驱动电路,这种【zhǒng】传输【shū】可能对驱动【dòng】电路造成进一【yī】步的损【sǔn】坏【huài】。因此,在使用【yòng】前检测mos管10N65的质量可以避【bì】免损坏整个电路【lù】。
测量mos管10N65好坏时要注意的几点
在测试mos管【guǎn】时,您需要采取【qǔ】一些预防措施 。主要是:
1、必须保证输入电【diàn】源大于等【děng】于【yú】MOS管10N65的阈值电压。
2 、MOS管的漏【lòu】极电压和栅【shān】极【jí】电压【yā】不能超过击穿【chuān】电压。
3、应选择合适的限流电阻给LED供电 。
4、连接时应【yīng】始终使用栅源电阻。这将有助于避【bì】免栅【shān】极处的噪声 ,也有助于释【shì】放器【qì】件的寄【jì】生电容。
5 、在mos管的栅极处应始终【zhōng】使【shǐ】用低量程电阻【zǔ】 。
6、最【zuì】后【hòu】,通过测试【shì】电【diàn】路技术进【jìn】行测试时,一定要使用低端开关电路。否则 ,mos管将无法工【gōng】作。
用万用表测量mos管10N65的好坏——电阻测试
当MOS管的栅端没有【yǒu】触发脉冲时,它的漏源电阻很【hěn】高【gāo】 。电阻测试就是利用【yòng】这个【gè】属性来【lái】测试【shì】mos管10N65是否有故障。测试也很简单,只需要一【yī】个欧姆【mǔ】表或万用表即【jí】可执行。
做【zuò】一个电阻检查 ,无【wú】论数字万用表探头的极性如何,一个【gè】好【hǎo】的【de】mos管【guǎn】应该【gāi】在漏极和【hé】源极之间有很高【gāo】的电阻。
以下是进行电阻测试的一些基本步骤:
1、无论【lùn】欧姆表探头的连接如何,功能良【liáng】好的mos管10N65都应指示高漏【lòu】源电【diàn】阻 。
2 、也可以用【yòng】万用表检查漏源【yuán】电【diàn】阻【zǔ】。将【jiāng】万用表置于【yú】电阻【zǔ】模式开始测试 ,万用表电阻读数应高到以兆欧为单位【wèi】。
3、将万【wàn】用表的读数【shù】与mos管10N65的数据表进行比【bǐ】较 。如果【guǒ】您发现电阻读数【shù】小于数据表上的【de】值或为【wéi】零,则存在故障。仪表【biǎo】或欧姆表应显【xiǎn】示【shì】数据表上的电阻。
用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法怎么测量mos管:以N沟道MOS场效应管为例 。
一、先确定MOS管的引脚:
1、先对MOS管放电怎么测量mos管,将三个脚短路即可怎么测量mos管;
1 、首先找出场效应管的D极(漏极)。对于TO-252、TO-220这类封【fēng】装的带有【yǒu】散热【rè】片的场效应管【guǎn】 ,它【tā】们【men】的散热片在内部是与管【guǎn】子的D极相连的,故我们可用数【shù】字万用表的【de】二极【jí】管档测量【liàng】管【guǎn】子【zǐ】的各个引脚,哪个【gè】引脚与散【sàn】热片【piàn】相连,哪个【gè】引脚【jiǎo】就是D极。
2、找到D极后 ,将万用表调至二极管档怎么测量mos管;
3 、用黑表笔接触管子的【de】D极,用红【hóng】表笔分【fèn】别接触管【guǎn】子的【de】另外【wài】两个【gè】引【yǐn】脚 。若接触到某个引脚【jiǎo】时【shí】,万用表显【xiǎn】示【shì】的读数为一个硅二【èr】极管的正向【xiàng】压降 ,那么该引脚即为S极(源极),剩下的【de】那个引脚即为G极(栅极)。
二、MOS管好坏的测量:
1、当【dāng】把红表【biǎo】笔放在S极上,黑表笔放在【zài】D极【jí】上 ,可以测出来这个导通压【yā】降,一般在0.5V左右为正常;
2 、G脚测量,需要先对G极【jí】充下电 ,把红表笔【bǐ】放在【zài】G极,黑【hēi】表笔放在S极;
3、再次把红【hóng】表【biǎo】笔放在S极【jí】上,黑表笔【bǐ】放【fàng】在D极上 ,可以测出来这个放【fàng】大【dà】压降,一般在【zài】0.3V左右【yòu】为正常;
扩展资料
MOS管的主要参数
1、开启电压VT
开【kāi】启【qǐ】电压(又称阈值电压【yā】):使【shǐ】得源极【jí】S和【hé】漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
标【biāo】准的N沟【gōu】道MOS管,VT约为3~6V;通过工艺上的改【gǎi】进【jìn】,可以使MOS管的【de】VT值降到2~3V。
2 、直流输入电阻RAH
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω 。
3.、漏源击穿电压BVDS
在VAH=0(增强型【xíng】)的条件下 ,在增加漏源电压【yā】过程中【zhōng】使【shǐ】ID开始剧【jù】增【zēng】时的VDS称为漏【lòu】源击穿电压BVDS
ID剧增的原因有下列两个方面:
(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿;
(2)漏源极间的穿通击穿;
有些MOS管中,其沟【gōu】道长度【dù】较短,不断增加【jiā】VDS会使漏区【qū】的耗尽层【céng】一直【zhí】扩展到源区【qū】 ,使沟道长度为零,即产生漏【lòu】源间的穿通,穿【chuān】通【tōng】后 ,源区【qū】中的多【duō】数载流子,将直接受【shòu】耗尽层电场的吸引,到达漏区 ,产生大的ID。
4、栅源击穿电压BVAH
在增加栅源电【diàn】压【yā】过程中,使【shǐ】栅极电流IG由零开始【shǐ】剧【jù】增时的VAH,称为栅源击穿电压BVAH。
5 、低频跨导gm
在VDS为【wéi】某一固定数值的条件【jiàn】下 ,漏极电流的微【wēi】变量和【hé】引起【qǐ】这个【gè】变化的栅源电压微变量之【zhī】比称为跨导;
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数
一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
导通电阻RON说明了VDS对【duì】ID的【de】影响,是漏极特【tè】性【xìng】某一点切线【xiàn】的斜率的【de】倒数
在饱和区,ID几乎不随VDS改变 ,RON的数值【zhí】很大,一般在【zài】几十千欧到【dào】几百千欧之【zhī】间
由于在【zài】数字电路中,MOS管导通【tōng】时经常工作【zuò】在VDS=0的状态下【xià】 ,所以【yǐ】这时【shí】的【de】导通电阻RON可用【yòng】原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
三个【gè】电极之【zhī】间【jiān】都存在着极间电容:栅源电容CAH、栅漏电容CGD和漏【lòu】源电容CDS
CAH和CGD约【yuē】为1~3pF,CDS约【yuē】在【zài】0.1~1pF之间
8 、低频噪声系数NF
噪【zào】声是由管子内【nèi】部载流子【zǐ】运动的不规则【zé】性所引起【qǐ】的。·由于它的存【cún】在 ,就使一【yī】个放大器即便在没【méi】有信【xìn】号输人时,在输【shū】出端也出现不规则【zé】的电压或电流【liú】变化【huà】
噪【zào】声【shēng】性【xìng】能的大小通常用噪声系【xì】数NF来表示,它的单位【wèi】为分【fèn】贝(dB) 。这个数值越小【xiǎo】 ,代表【biǎo】管子所产生的【de】噪声越小【xiǎo】
低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
场效【xiào】应管的噪声系数【shù】约【yuē】为几个分【fèn】贝,它比双极性三极管【guǎn】的要小
判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。
用测电【diàn】阻法去简单判【pàn】断【duàn】MOS好坏,就是用机械【xiè】式万用表测【cè】量MOS管的源【yuán】极【jí】与【yǔ】漏【lòu】极、栅【shān】极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与【yǔ】MOS管手册标【biāo】明的电【diàn】阻【zǔ】值是否相符去判别管的好坏。
具体方法:首先将万用表置【zhì】于R×10或R×100档 ,红表笔(电池【chí】负)接MOS管源极S,黑表笔(电【diàn】池正)漏极D,这时电阻应该无穷大【dà】,两表笔对调 ,它们之【zhī】间有【yǒu】电阻【zǔ】,通常在几十欧到几千欧范围【wéi】(因为MOS的S与D之间【jiān】连接有保护管【guǎn】,各种不同型号的【de】MOS管 ,其使用的【de】保护管是不同的,有使用二【èr】极管 、也有使用稳压管的【de】各【gè】不【bú】是相【xiàng】同的),如果测得【dé】阻值大于正【zhèng】常【cháng】值 ,可能【néng】是由【yóu】于内部接触不良;如果【guǒ】测得阻值是【shì】无穷大,可能是【shì】内部断极 。然后把万【wàn】用表【biǎo】置于R×10k档,再测栅极【jí】与源极【jí】、栅【shān】极与漏极【jí】之【zhī】间的电阻值 ,当测得其各项电阻值均为【wéi】无【wú】穷【qióng】大,则说明管是正【zhèng】常的;若测得上述各阻值太小【xiǎo】或【huò】为通路,则说明管【guǎn】是坏的。
用万能表检测mos管好坏的方法:
将万用表两个表笔分别搭接在【zài】其他【tā】两个极:给B极【jí】与【yǔ】任意一个极接一个10千【qiān】欧【ōu】姆电【diàn】阻 ,电阻先【xiān】不要接上【shàng】,把表【biǎo】笔分别放在两级,电【diàn】阻这【zhè】时再接触,指针摆动越大证明该【gāi】管子【zǐ】放大系【xì】数就越大 ,也就是说【shuō】该管【guǎn】子就越好,反之越差【chà】。
接电阻【zǔ】的那一端为【wéi】C极【jí】;若是红表笔为P管,黑【hēi】表【biǎo】笔为N管 。凡是不符合以上测量数据的【de】三【sān】极管都是【shì】坏的。
万用表的相关要求规定:
1、指针表读取精度较差 ,但指针摆动的过程【chéng】比较直观【guān】,其摆动速度【dù】幅度有【yǒu】时也能比较客观地反映了【le】被测量【liàng】的大小(比如【rú】测电【diàn】视【shì】机【jī】数据总线(SDL)在传送数据时的轻微抖动【dòng】);数【shù】字表读【dú】数直观,但数字【zì】变【biàn】化的过程看起【qǐ】来很杂乱 ,不太【tài】容易观看【kàn】。
2 、数字万用表的准确度是测量结果中【zhōng】系【xì】统误差与随机误差的【de】综合【hé】 。它表示【shì】测【cè】量值【zhí】与真【zhēn】值的一致程度,也反映【yìng】测量误差的大小【xiǎo】。一般【bān】讲准确度愈【yù】高,测量误【wù】差就愈小【xiǎo】 ,反之【zhī】亦然。
3、指针表内【nèi】一【yī】般【bān】有两块电【diàn】池,一块低【dī】电压的1.5V,一块【kuài】是高电压的9V或15V,其黑表笔相对红表笔来说是正端【duān】 。数字【zì】表则【zé】常【cháng】用一块6V或9V的电池。在电阻【zǔ】档【dàng】,指针表的【de】表笔输出电流相对数字表来说要大很多 ,用R×1Ω档可以使扬【yáng】声【shēng】器发出响亮的“哒 ”声【shēng】,用R×10kΩ档甚【shèn】至可以【yǐ】点【diǎn】亮发光【guāng】二极管。
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