mos管怎么测试好坏_如何测量mos管好坏

如何用万用表检测mos管是好是坏？

以N沟道MOS场效应管5N60C为例 ，来详细介【jiè】绍【shào】一下具体【tǐ】的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字万用表【biǎo】二极管【guǎn】档正【zhèng】向测【cè】量5N60C的D-S两极 。

测量5N60C好坏时【shí】，首先将万用表【biǎo】量程开关调至【zhì】二极管【guǎn】档
，将5N60C的G极悬空，用红黑表【biǎo】笔分别接触【chù】5N60C的D-S两极【jí】 ，若【ruò】是好的管子
，万用【yòng】表显【xiǎn】示为“OL ”，即【jí】溢出（见【jiàn】上图）。

3.用数字万【wàn】用表二极管【guǎn】档反【fǎn】向测量5N60C的D-S两【liǎng】极
。

然后调换红黑表【biǎo】笔 ，再去测量D-S两极
，则万用【yòng】表显示【shì】的读数为【wéi】一个硅【guī】二极管的正【zhèng】向压降【jiàng】（见【jiàn】上图【tú】）。

若MOS场效【xiào】应管内部【bù】D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用【yòng】二极管档测量时 ，万用【yòng】表显示【shì】的读数【shù】接近于【yú】零 。

4.用万【wàn】用表的二【èr】极管档给【gěi】5N60C栅源两【liǎng】极（G-S两极）之【zhī】间的【de】电容【róng】充电
。对于N沟道MOS场效应管【guǎn】充【chōng】电时
，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极。

在测量完5N60C的D-S两极 ，并【bìng】且确实是好的之后
，然后用二极管【guǎn】档【dàng】给MOS场效应【yīng】管的栅【shān】源【yuán】两极之间的电容充电 。

由于MOS场效【xiào】应管的【de】输入电【diàn】阻在GΩ级（GΩ读作吉【jí】欧，1GΩ＝1000MΩ） ，数字万【wàn】用表二【èr】极管【guǎn】档的开路测量【liàng】电压约【yuē】为2.8～3V，故用二极【jí】管档的测量电压给MOS场效【xiào】应管【guǎn】的栅源两极之【zhī】间的电【diàn】容充电后
，可以使MOS场【chǎng】效【xiào】应管D-S两【liǎng】极之间的电阻变得很小，故用这个方【fāng】法可【kě】以测量场效应管【guǎn】G-S两极之间【jiān】是否损坏
。

5.5N60C的G-S两极间的【de】电容【róng】充【chōng】电后 ，用电阻档实【shí】测D-S两【liǎng】极之间【jiān】的正向电阻为155.4Ω。

6.用万【wàn】用表电阻档实【shí】测5N60C的D-S两极之间的反向【xiàng】电阻为67.2Ω 。

上面为一个【gè】好的【de】N沟道MOS场效应管的【de】测量数据【jù】
。对于P沟道【dào】MOS场【chǎng】效应管的测量方法与上述测量一【yī】样
，只是万用【yòng】表表笔需要调换一下极性。

扩展资料：

mos管是金属【shǔ】(metal)—氧【yǎng】化物【wù】(oxide)—半【bàn】导体(semiconductor)场效【xiào】应晶体管，或者【zhě】称是金属—绝缘体【tǐ】(insulator)—半导体【tǐ】 。MOS管的source和drain是【shì】可以【yǐ】对调的 ，他【tā】们都是在P型【xíng】backgate中形成的N型区
。在多数情况下
，这个两个【gè】区是一样的，即使两端对调也不会影响【xiǎng】器件的性能【néng】。这样【yàng】的【de】器件被认为是对称的 。

场效应管（FET） ，把输入电压的变化转化为【wéi】输出电流的变化。FET的增【zēng】益等于它【tā】的transconductance
， 定【dìng】义为输出电流【liú】的【de】变化和输入电压变化之比
。市面上常有的【de】一般为N沟【gōu】道和P沟道，详【xiáng】情【qíng】参考右侧图片（N沟道耗【hào】尽【jìn】型MOS管）。而P沟道【dào】常见的为低【dī】压mos管【guǎn】 。

场效应管通【tōng】过【guò】投【tóu】影一【yī】个电场在一个【gè】绝缘层上来影响流过晶体【tǐ】管的电【diàn】流
。事实上没有电流流过【guò】这个绝缘体 ，所以FET管的GATE电流【liú】非常小。

最普通的FET用一薄层二【èr】氧化硅来作为GATE极下的绝缘【yuán】体 。这种【zhǒng】晶体管【guǎn】称为【wéi】金属氧化物半【bàn】导体(MOS)晶体管
，或,金属氧化物半导体场效应管【guǎn】（MOSFET）
。因【yīn】为MOS管更小更【gèng】省电，所以他【tā】们已经【jīng】在很多应用场合取【qǔ】代【dài】了双极型晶体【tǐ】管。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用【yòng】数字万用表测【cè】量MOS管好【hǎo】坏及引脚的方法：以N沟道【dào】MOS场效应管为例【lì】 。

一、先确定MOS管的引脚：

1 、先对MOS管放电mos管怎么测试好坏 ，将三个脚短路即可mos管怎么测试好坏；

1、首先找出【chū】场效应【yīng】管的D极（漏【lòu】极）
。对于TO-252
、TO-220这类封装的带有散热片【piàn】的场【chǎng】效应管mos管怎么测试好坏，它【tā】们的散热片在内部是与管子的D极【jí】相【xiàng】连的【de】
，故mos管怎么测试好坏我【wǒ】们可用【yòng】数字万用表的【de】二极【jí】管档测量管子【zǐ】的【de】各个引脚，哪【nǎ】个引脚【jiǎo】与散热片相连 ，哪个引脚就是D极。

2、找到D极后
，将万用表调至二极管档mos管怎么测试好坏；

3 、用黑表笔接触管【guǎn】子的D极，用红【hóng】表笔分别接触管【guǎn】子的【de】另【lìng】外两个引脚 。若接触到某【mǒu】个引脚时 ，万用表显示的【de】读数【shù】为一个【gè】硅【guī】二极管的正向【xiàng】压降【jiàng】
，那么该引【yǐn】脚【jiǎo】即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）
。

二
、MOS管好坏的测量：

1、当把红【hóng】表【biǎo】笔【bǐ】放【fàng】在S极上 ，黑表【biǎo】笔放在D极上
，可以测出来这个导【dǎo】通压降【jiàng】，一般【bān】在0.5V左右为正常；

2 、G脚【jiǎo】测量 ，需要【yào】先对【duì】G极充下电【diàn】
，把红表笔放在G极，黑【hēi】表笔放在S极；

3
、再次把红表笔放【fàng】在S极上【shàng】 ，黑表【biǎo】笔放【fàng】在D极【jí】上，可【kě】以测出来这个放【fàng】大压降
，一般在【zài】0.3V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压【yā】（又称阈【yù】值电压）：使得源极S和【hé】漏极D之间开始【shǐ】形成导【dǎo】电沟道所【suǒ】需的【de】栅极电压【yā】；

标【biāo】准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通【tōng】过工艺上【shàng】的改【gǎi】进 ，可以【yǐ】使MOS管的VT值降到2～3V。

2 、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω 。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在VAH=0（增强型）的条【tiáo】件【jiàn】下
，在增【zēng】加漏源电压过程中使ID开【kāi】始剧【jù】增时的VDS称为漏【lòu】源【yuán】击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些【xiē】MOS管中【zhōng】，其沟道【dào】长度较【jiào】短 ，不断增加【jiā】VDS会使【shǐ】漏【lòu】区【qū】的耗尽层一直扩展到【dào】源区
，使沟道长度【dù】为零，即产生漏源间的穿通 ，穿通后
，源区中的多数【shù】载流子，将直【zhí】接受【shòu】耗尽层电场的吸引【yǐn】 ，到达漏区
，产【chǎn】生大的【de】ID。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源电【diàn】压过程中【zhōng】，使栅极电流IG由零开始剧增【zēng】时的【de】VAH ，称【chēng】为栅源击穿电压BVAH
。

5 、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值【zhí】的条件下，漏极电流的【de】微【wēi】变【biàn】量和引起这个变化【huà】的栅源【yuán】电压【yā】微【wēi】变量之比称为跨【kuà】导；

gm反映【yìng】了栅源电压【yā】对漏极电流的控制【zhì】能力
，是【shì】表征MOS管【guǎn】放大【dà】能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6
、导通电阻RON

导通电阻RON说明了【le】VDS对ID的影响【xiǎng】，是漏极特性某一【yī】点切线的斜率的【de】倒数

在饱和区 ，ID几乎【hū】不随VDS改变
，RON的数值很【hěn】大【dà】，一【yī】般【bān】在几【jǐ】十千欧到【dào】几百千欧之间

由【yóu】于【yú】在数【shù】字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下
，所以【yǐ】这时的导通【tōng】电阻【zǔ】RON可用原【yuán】点的RON来【lái】近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电【diàn】极【jí】之间都存在着极【jí】间【jiān】电容：栅源电【diàn】容CAH 、栅【shān】漏电容CGD和漏源电容CDS

CAH和【hé】CGD约为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间【jiān】

8、低频噪声系数NF

噪声是【shì】由管【guǎn】子内部【bù】载【zǎi】流子运动的不规则【zé】性所引起的。·由于【yú】它的存在【zài】
，就使一个放大器即便在没【méi】有信号输【shū】人时，在输出端也出现不规【guī】则【zé】的电压或电流变化

噪声性能的大小通常【cháng】用噪声系【xì】数【shù】NF来表【biǎo】示 ，它的单【dān】位【wèi】为分贝（dB） 。这个数值越小
，代【dài】表管【guǎn】子【zǐ】所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效【xiào】应【yīng】管的噪声系数约为几【jǐ】个分贝，它【tā】比双极【jí】性三极管的要小

场效应管（MOSFET）检测方法与经验

一
、用指针式万用表对场效应管进行判别

（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场【chǎng】效应【yīng】管【guǎn】的PN结【jié】正、反向电【diàn】阻值【zhí】不一样的现象 ，可以判别出【chū】结【jié】型场效应管的【de】三个电极
。具体方法：将万【wàn】用表【biǎo】拨在R×1k档上，任选两个电极
，分【fèn】别测出【chū】其正【zhèng】 、反向【xiàng】电阻【zǔ】值。当【dāng】某两个【gè】电极的【de】正
、反向电阻值相等，且【qiě】为几千欧姆【mǔ】时 ，则该两个电极【jí】分别是漏极D和【hé】源极S 。因【yīn】为【wéi】对结型场【chǎng】效【xiào】应管而言
，漏极和源极可互换，剩【shèng】下的【de】电极肯定是【shì】栅极【jí】G
。也【yě】可以将万用表【biǎo】的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极 ，另一只表笔【bǐ】依次去接触【chù】其余【yú】的【de】两个电极
，测其电阻值。当出现两次测得的【de】电阻值近似相等时，则黑表笔【bǐ】所接触的电【diàn】极为栅极 ，其余两【liǎng】电【diàn】极分别为漏极和源极 。若两【liǎng】次【cì】测出的电阻【zǔ】值均很大
，说明【míng】是PN结的反向，即【jí】都是反向电阻【zǔ】 ，可【kě】以判定是N沟道场【chǎng】效应管
，且黑表笔接的【de】是栅极；若两次测【cè】出的电阻值均很小【xiǎo】，说【shuō】明是正向PN结 ，即是正向电阻，判【pàn】定【dìng】为P沟道【dào】场【chǎng】效应管
，黑表笔接的也是栅极
。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔【bǐ】按上述【shù】方法进行测【cè】试 ，直到判别出【chū】栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测【cè】电阻法是用万用表测量场效【xiào】应【yīng】管【guǎn】的源极与漏【lòu】极 、栅极与源极
、栅极与【yǔ】漏极、栅极【jí】G1与【yǔ】栅【shān】极G2之间的电阻值同场效应管手册标【biāo】明的电阻值是【shì】否相符去判别管的好【hǎo】坏 。具【jù】体【tǐ】方法：首先将【jiāng】万用表置于R×10或R×100档【dàng】
，测量源极S与漏【lòu】极D之间的电阻，通常【cháng】在几十欧【ōu】到几千欧范围（在手【shǒu】册中可知 ，各种【zhǒng】不同型【xíng】号的管【guǎn】
，其电阻值是各不相【xiàng】同的），如【rú】果测得阻值【zhí】大【dà】于正【zhèng】常值 ，可能是【shì】由于内部接【jiē】触不【bú】良；如果测得阻值是无【wú】穷【qióng】大
，可能是【shì】内部断极【jí】
。然后把万【wàn】用表置【zhì】于R×10k档【dàng】，再测栅极G1与G2之间【jiān】 、栅极与源极
、栅极与漏极之间的电阻值 ，当测得【dé】其【qí】各项【xiàng】电阻值【zhí】均【jun1】为无穷大
，则【zé】说明管是正【zhèng】常的；若测得上述【shù】各阻值太小或为通路，则说明【míng】管是坏的。要注意 ，若两【liǎng】个栅【shān】极【jí】在管内【nèi】断极，可用元件代换法进行检测 。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体方【fāng】法：用万【wàn】用表电【diàn】阻的【de】R×100档
，红【hóng】表笔接【jiē】源极S，黑表笔接漏极D ，给场效应管加上1.5V的电【diàn】源电压
，此时表针【zhēn】指示出的漏【lòu】源极间的电阻值【zhí】。然后【hòu】用手捏住结型场【chǎng】效应【yīng】管的栅极G，将人体的【de】感应电压信号加到栅极上
。这样 ，由于管的放大【dà】作【zuò】用
，漏【lòu】源电压【yā】VDS和漏极【jí】电【diàn】流Ib都要发生变化，也就是漏【lòu】源极间电【diàn】阻【zǔ】发生了变【biàn】化【huà】 ，由此可以观察到【dào】表针有较【jiào】大幅【fú】度的摆动。如果手捏栅极表【biǎo】针摆动较小
，说【shuō】明管的放大能力【lì】较差；表【biǎo】针摆动较大，表明管【guǎn】的放大能力大；若表针不动 ，说明管【guǎn】是坏的 。

根据上述方法
，我们用万用表的R×100档【dàng】，测结型【xíng】场【chǎng】效应【yīng】管【guǎn】3DJ2F
。先将管的【de】G极【jí】开路 ，测得漏源电阻RDS为600Ω，用【yòng】手【shǒu】捏住【zhù】G极后
，表针向左摆动，指示的【de】电阻RDS为12kΩ ，表针【zhēn】摆动【dòng】的【de】幅度较【jiào】大
，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明【míng】几点：首先 ，在测试场效应管用手捏住栅极时【shí】
，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也【yě】可【kě】能向左摆动（电阻值增加） 。这是由于人体【tǐ】感【gǎn】应的交流电【diàn】压较高 ，而【ér】不同【tóng】的【de】场【chǎng】效应管【guǎn】用电阻档测量时的工作【zuò】点可能不同（或者工作在饱和【hé】区或【huò】者在不饱和区【qū】）所【suǒ】致【zhì】
，试验表明，多【duō】数管的RDS增【zēng】大 ，即表针向左摆动；少数管的RDS减【jiǎn】小
，使表针向右摆动【dòng】
。但【dàn】无【wú】论表针摆动方向【xiàng】如【rú】何，只要表针【zhēn】摆动幅度较大【dà】 ，就说明【míng】管【guǎn】有较大【dà】的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也【yě】适【shì】用【yòng】 。但【dàn】要【yào】注意
，MOS场【chǎng】效应管的输人电阻【zǔ】高【gāo】，栅极G允许的感应电压不应过高 ，所以【yǐ】不要直接【jiē】用【yòng】手去捏栅极
，必须【xū】用于握螺【luó】丝刀的【de】绝缘柄，用金属杆去碰【pèng】触栅极 ，以防止人【rén】体感应【yīng】电荷直接加到栅极【jí】
，引【yǐn】起栅极击穿
。第三，每【měi】次测量完毕 ，应当G-S极【jí】间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少【shǎo】量电荷
，建【jiàn】立起VAH电压，造成再进行测量时表【biǎo】针可能不动 ，只有将G-S极间电荷短路放【fàng】掉【diào】才【cái】行 。

（4）用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用测量电【diàn】阻的【de】方法找出两个有电阻值的管脚
，也【yě】就是源极【jí】S和漏极D，余下两个脚【jiǎo】为第一栅极G1和第【dì】二【èr】栅极G2
。把先用【yòng】两表笔测的源极S与漏【lòu】极D之间的【de】电阻值记下来 ，对【duì】调表笔【bǐ】再【zài】测量【liàng】一次，把【bǎ】其测【cè】得电阻值记下来
，两次测得阻值较大的一【yī】次，黑表【biǎo】笔所接【jiē】的【de】电极【jí】为漏极D；红【hóng】表笔所接的为源【yuán】极S。用【yòng】这种【zhǒng】方法判别出来【lái】的S、D极【jí】 ，还可以【yǐ】用估测其管的放大【dà】能力【lì】的方【fāng】法进行验【yàn】证
，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表【biǎo】笔所接地是8极，两种方法【fǎ】检测结果【guǒ】均应一样 。当确【què】定了【le】漏极D 、源极S的位置后 ，按【àn】D
、S的对【duì】应位置装人电路
，一般G1、G2也会依次对准【zhǔn】位置，这就【jiù】确定【dìng】了两个栅【shān】极G1 、G2的位置 ，从而【ér】就确定了【le】D、S
、G1、G2管【guǎn】脚的顺序。

（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨【kuà】导性【xìng】能【néng】时
，可用红表笔【bǐ】接源极S 、黑表笔接漏极D，这就相当于在【zài】源
、漏极之间加了一个反【fǎn】向电【diàn】压
。此时栅【shān】极是开【kāi】路的 ，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表【biǎo】的欧姆档【dàng】选在R×10kΩ的高阻档
，此时表内【nèi】电【diàn】压【yā】较高 。当【dāng】用手【shǒu】接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明【míng】显地变【biàn】化 ，其【qí】变【biàn】化越大，说明管的跨导值【zhí】越高【gāo】；如果【guǒ】被【bèi】测管的跨导【dǎo】很小
，用【yòng】此【cǐ】法测时，反向阻值【zhí】变【biàn】化不大
。

二、.场效应管的使用注意事项

（1）为了安【ān】全【quán】使用场效【xiào】应管 ，在线路的设计【jì】中不能超【chāo】过【guò】管的耗【hào】散【sàn】功率
，最大漏源电压 、最大栅源电压和最【zuì】大电流等参数的【de】极限值。

（2）各类型场【chǎng】效【xiào】应管在使用时，都要【yào】严【yán】格【gé】按要求的偏置接人电路中 ，要遵守场【chǎng】效应管偏置【zhì】的极性 。如结【jié】型场效【xiào】应管【guǎn】栅【shān】源漏之间是【shì】PN结
，N沟【gōu】道管栅极【jí】不能加正偏压；P沟【gōu】道管栅极不能加负偏压【yā】，等等
。

（3）MOS场效应管【guǎn】由于输人阻抗【kàng】极高 ，所以在运输
、贮藏中必须将【jiāng】引出脚【jiǎo】短【duǎn】路
，要用【yòng】金【jīn】属屏【píng】蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注【zhù】意 ，不能将【jiāng】MOS场效应管【guǎn】放人塑料盒子内
，保存时最好放【fàng】在金【jīn】属盒【hé】内，同时也要注意【yì】管的【de】防潮 。

（4）为了防【fáng】止场效【xiào】应管栅极感应【yīng】击穿 ，要【yào】求一切测【cè】试【shì】仪器、工【gōng】作台 、电烙铁
、线路本身都必须【xū】有良好的【de】接地；管脚在焊接【jiē】时，先焊源极【jí】；在连入电路之前
，管的全部引线端保持互相短【duǎn】接状态，焊【hàn】接完后才把短接材料去掉；从【cóng】元器【qì】件【jiàn】架上取下管【guǎn】时 ，应【yīng】以适当的方式确保人体接地如采【cǎi】用【yòng】接地【dì】环等；当然
，如果能采用先进的气热【rè】型电烙铁，焊接【jiē】场效【xiào】应管【guǎn】是比较方便的 ，并【bìng】且确保安全；在未关断电源时
，绝对【duì】不可以把管插人【rén】电路或从电【diàn】路中拔【bá】出【chū】
。以上安全措施在使用【yòng】场效应管时必须注意。

（5）在安【ān】装场效应管【guǎn】时，注意安装的【de】位置要尽【jìn】量避免靠近发【fā】热元件；为【wéi】了防管件振动 ，有必要将【jiāng】管【guǎn】壳体紧固起来；管【guǎn】脚引线在弯曲【qǔ】时
，应当大于【yú】根部尺寸5毫米处进【jìn】行，以防止弯断管脚【jiǎo】和引起【qǐ】漏气等 。

对于功【gōng】率型场效【xiào】应管 ，要有良好【hǎo】的散热条件
。因为功率型场效应管在高负【fù】荷条件下运用
，必【bì】须设计【jì】足够的散热器【qì】，确保【bǎo】壳体【tǐ】温度不超过额定值【zhí】 ，使器件【jiàn】长期稳【wěn】定可靠地【dì】工作。

总之，确保场效【xiào】应管安全【quán】使用
，要【yào】注意的事项是多种多样【yàng】，采取的安全【quán】措施也是各种【zhǒng】各样 ，广【guǎng】大的专业【yè】技术人员
，特别是【shì】广大的电子爱好者，都要根【gēn】据自己的实际情【qíng】况出发 ，采取切实可【kě】行的办法
，安全有效地用好场效应管【guǎn】 。

三.VMOS场效应管

VMOS场效应【yīng】管【guǎn】（VMOSFET）简称VMOS管或功率场【chǎng】效应管，其全【quán】称【chēng】为V型【xíng】槽MOS场效【xiào】应管。它【tā】是继MOSFET之后新发展【zhǎn】起【qǐ】来的高效、功率开关器件
。它不仅继承【chéng】了MOS场【chǎng】效应管输入阻【zǔ】抗【kàng】高（≥108W） 、驱动电流小（0.1μA左右） ，还【hái】具有【yǒu】耐压高（最高1200V）
、工作电流大（1.5a～100A）、输出功【gōng】率高（1～250W） 、跨导【dǎo】的线性好、开关速度【dù】快等优良【liáng】特性。正是由【yóu】于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身
，因【yīn】此【cǐ】在电压放大器（电【diàn】压放大【dà】倍数可达数【shù】千倍【bèi】）
、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用 。

VMOS场效【xiào】应功【gōng】率【lǜ】管具有极高【gāo】的输入【rù】阻抗【kàng】及【jí】较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系【xì】数 ，即在栅-源电压不变的情况下
，导【dǎo】通电流会随管温升【shēng】高而减小，故不存在由于【yú】“二【èr】次击穿【chuān】”现象所引【yǐn】起的管子【zǐ】损坏现象
。因【yīn】此 ，VMOS管的并【bìng】联得到广泛应用【yòng】。

众所周知【zhī】，传统的MOS场【chǎng】效应管的栅【shān】极【jí】 、源极【jí】和漏极【jí】大大致处【chù】于【yú】同一水平面的芯片上
，其工作电流基本【běn】上【shàng】是沿水平方【fāng】向流动【dòng】 。VMOS管【guǎn】则不【bú】同，从图【tú】1上【shàng】可以看出其两大结构特点:第【dì】一【yī】 ，金属【shǔ】栅极采用V型槽结构；第二
，具有垂直导电性
。由于漏极是从芯片的背面【miàn】引出，所以ID不是【shì】沿芯【xīn】片水平流动 ，而是自重【chóng】掺【chān】杂N+区（源极S）出发
，经过P沟道流入轻掺【chān】杂N-漂【piāo】移区，最后【hòu】垂直向【xiàng】下到达漏极【jí】D。电流方【fāng】向如图【tú】中箭【jiàn】头所示 ，因为流通截面积增大【dà】
，所以能通过大【dà】电流 。由于【yú】在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝【jué】缘栅型MOS场效【xiào】应管
。

国内生【shēng】产VMOS场效应管的主要厂【chǎng】家有877厂【chǎng】
、天津半导体器件四厂、杭【háng】州【zhōu】电子【zǐ】管厂等 ，典【diǎn】型【xíng】产品有VN401 、VN672
、VMPT2等。

下面介绍检测VMOS管的方法 。

1．判定栅极G

将万用【yòng】表拨至R×1k档分别【bié】测量三个管脚之【zhī】间的电阻
。若发现某脚与【yǔ】其字两脚的电阻均呈【chéng】无穷【qióng】大
，并且交【jiāo】换表笔【bǐ】后仍为无穷大【dà】，则【zé】证明此【cǐ】脚为G极 ，因为它和【hé】另外两个【gè】管【guǎn】脚【jiǎo】是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D

由图1可见【jiàn】，在源-漏【lòu】之间有一个PN结
，因此根【gēn】据PN结正 、反向电阻存【cún】在差异，可【kě】识别【bié】S极与D极 。用交换表【biǎo】笔【bǐ】法测两次电阻 ，其中【zhōng】电阻值较低（一般为【wéi】几千欧【ōu】至十【shí】几千欧【ōu】）的【de】一次为正向电阻【zǔ】
，此时黑【hēi】表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路 ，选择万用表的R×1档
，黑表笔接【jiē】S极，红表笔【bǐ】接D极 ，阻值应为几欧至十【shí】几欧
。

由于测试条件不【bú】同
，测出的RDS（on）值比手【shǒu】册【cè】中给【gěi】出的典型值要高一些。例如【rú】用500型【xíng】万【wàn】用表【biǎo】R×1档实测一【yī】只【zhī】IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W ，大于0.58W（典型值） 。

4．检查跨导

将万用【yòng】表置【zhì】于R×1k（或R×100）档
，红表笔【bǐ】接S极，黑表笔接D极 ，手持【chí】螺丝刀去碰触栅极，表针应有明【míng】显偏转
，偏转愈【yù】大，管子的跨导【dǎo】愈高
。

注意事项：

（1）VMOS管亦【yì】分N沟道管与P沟【gōu】道管 ，但绝大【dà】多数产【chǎn】品属于N沟道管。对于P沟道管
，测量【liàng】时应交【jiāo】换表笔的位置 。

（2）有【yǒu】少数VMOS管在【zài】G-S之间并有保护二极管，本检测方法中【zhōng】的1
、2项不再【zài】适用
。

（3）目前市场上还【hái】有一种【zhǒng】VMOS管【guǎn】功率模块 ，专供交【jiāo】流电机调【diào】速【sù】器、逆【nì】变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块
，内部有N沟道 、P沟道【dào】管【guǎn】各【gè】三只，构成三【sān】相桥【qiáo】式结构 。

（4）现【xiàn】在市售VNF系【xì】列（N沟道【dào】）产品 ，是美国Supertex公司生产【chǎn】的超高频功率场效应管
，其最【zuì】高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A ，PDM=30W
，共源小信号低频【pín】跨导gm=2000μS
。适用【yòng】于【yú】高速【sù】开关电路和广播
、通信设备中。

（5）使用VMOS管时【shí】必须加合【hé】适的散热【rè】器后 。以VNF306为例，该管子加装【zhuāng】140×140×4（mm）的散热【rè】器后 ，最大功【gōng】率才【cái】能达到30W
。

（6）多管【guǎn】并【bìng】联后，由【yóu】于极间电容和分布电容相应增加
，使放大器的【de】高【gāo】频【pín】特性变坏【huài】，通【tōng】过反馈容易引起放【fàng】大【dà】器的高频寄【jì】生振荡。为此 ，并联复合【hé】管管【guǎn】子一般不超过4个【gè】
，而且【qiě】在每管基极或栅极上串接【jiē】防寄生振荡电阻 。

更多请 LP3401LT1G：

电动车控制器MOS管如何检测好坏

首先【xiān】,断【duàn】开控制器与电源【yuán】连接，把【bǎ】控制器粗黑【hēi】线【xiàn】与粗【cū】红线碰接短【duǎn】路 ，这样【yàng】做的目的是放完内部电容余电。

然后
，把三根粗黄【huáng】线对粗黑碰线短接，目的同上
。一定【dìng】要放电【diàn】后再进【jìn】行测量。这【zhè】三【sān】根粗黄线实际上是三根【gēn】相线 。

做完【wán】以上【shàng】准备工作后 ，按以下三个步骤操作
，即【jí】可判断【duàn】控制器【qì】好坏
。

第一步【bù】：将万用表【biǎo】置于【yú】二极【jí】管档测量，用红表笔接控制【zhì】器【qì】负极 ，黑表笔依次测量控制器【qì】主线【xiàn】中【zhōng】的黄、绿【lǜ】 、蓝线【xiàn】
，读数【shù】约在500左右（数字万用【yòng】表），三次【cì】读数应基本一致。

第二步：用万用表黑表笔【bǐ】接控制器正极 ，红表笔依次接【jiē】控制【zhì】器【qì】主线黄【huáng】、绿
、蓝线，读数约在【zài】500左右
，三次读数应基本一致

第三步：如果【guǒ】第一、二步的【de】测量正常，则表示无刷控制【zhì】器基本正【zhèng】常 ，把【bǎ】控【kòng】制器与车【chē】体线路正常【cháng】连接
，接通【tōng】电源，拔掉【diào】制动【dòng】线【xiàn】 ，用万【wàn】用【yòng】表电压档测量转把5V电压是否正【zhèng】常 。

若以【yǐ】上测试正常【cháng】
，表示控制器基【jī】本正【zhèng】常，否则可判定控【kòng】制器【qì】损坏
。

扩展资料

电动车控制器的作用

1 、驱动电机旋转。

2
、在【zài】转【zhuǎn】把的控制下改变电【diàn】机驱动电流 ，从【cóng】而实现电机【jī】速度的调整 。

3、在【zài】闸把（刹把）的【de】控【kòng】制下切断输出电【diàn】流【liú】
，实现刹车控制
。

4 、对蓄电池电压进行检测，在【zài】蓄电池存储【chǔ】的电压接近“放电终止电压【yā】
”时 ，通过控【kòng】制器面板（或仪表显示盘）来显示【shì】电量不足；提醒【xǐng】骑行者调整【zhěng】自己【jǐ】的【de】行程
，当达【dá】到终止电压时，通过取样电【diàn】阻将该【gāi】信号【hào】送到比较器 ，由【yóu】电路输出【chū】保【bǎo】护【hù】信【xìn】号，致【zhì】使
、保护电【diàn】路按预先设定的程序发【fā】出指令
，切断电流以保护充【chōng】电器【qì】和蓄电池。

5、过流【liú】保【bǎo】护【hù】，电流过【guò】大【dà】时过流保【bǎo】护电路动作 ，使电机停【tíng】转
，避免过【guò】流给电机和控制器带【dài】来【lái】危害 。另外，部分控制器还具有防【fáng】飞车保【bǎo】护 、巡行限速等功能
。

电路中MOS管的好坏该如何判断？

一.红【hóng】左 ，黑中
、右无【wú】穷大黑左
，红中、右无穷大红【hóng】中，黑右【yòu】无穷【qióng】大mos管怎么测试好坏；黑中红右显示530（左右）。其实场效应管【guǎn】三【sān】极管很【hěn】好判【pàn】断：有字面【miàn】朝【cháo】上【shàng】从左到右依次为：G 、D
、S ，有些【xiē】管相反：S、D 、G 。我【wǒ】修显示器【qì】、主板
、电【diàn】源都是从上【shàng】面【miàn】mos管怎么测试好坏的【de】方法测绝对【duì】没问【wèn】题。你不信随【suí】便拆块【kuài】板【bǎn】看一看
，场效应管在电路图板【bǎn】的布局及应【yīng】VMOS大功率场效【xiào】应晶体管的检测
。

二【èr】．1判别各电极【jí】与管型。用万用【yòng】表R×100档，测量场效应晶【jīng】体管任意两【liǎng】引【yǐn】脚【jiǎo】之【zhī】间的正、反向电【diàn】阻值【zhí】 。其中一次测量中两引脚【jiǎo】的电阻值为【wéi】数百【bǎi】欧姆【mǔ】 ，这【zhè】时两表【biǎo】笔所接的【de】引脚为源极【jí】S和漏极D
，而另【lìng】一【yī】引脚为栅极G
。再用万用表R×10k档测【cè】量两引脚（漏极D与源极S）之间的正【zhèng】 、反向电阻值。正常【cháng】时【shí】，正【zhèng】向电阻值为2kΩ左右 ，反向【xiàng】电阻值大于500kΩ 。在测量反向【xiàng】电阻值时，红表笔所【suǒ】接引脚不动
，黑表笔脱【tuō】离所接引脚后，先与【yǔ】栅极G触碰一下 ，然后再去接原【yuán】引【yǐn】脚【jiǎo】
，观察万用表读【dú】数的变化情况
。若万【wàn】用【yòng】表【biǎo】读数由原【yuán】来【lái】较【jiào】大【dà】阻值变为0，则此红表【biǎo】笔所接的即是【shì】源极S ，黑表笔所【suǒ】接为漏极D。用黑表笔触【chù】发栅极G有效
，说明【míng】该管为N沟道场效应管 。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚【jiǎo】不变 ，改用【yòng】红表笔去触碰【pèng】栅极【jí】G后再接回原【yuán】引脚【jiǎo】
，若此时万【wàn】用表【biǎo】读【dú】数【shù】由【yóu】原来【lái】阻值较【jiào】大变为0，则此时黑表笔接的为源极S ，红表笔接的是漏极【jí】D
。用表红笔触【chù】发栅极G有【yǒu】效
，说明该【gāi】管为P沟道【dào】场效应晶体管。

2．判【pàn】别其好坏 。用万【wàn】用表R×1k档或【huò】R×10k档，测量场效应【yīng】管任【rèn】意两【liǎng】脚之间的正
、反向电【diàn】阻值
。正【zhèng】常时 ，除漏极与【yǔ】源极的正向电阻【zǔ】值较【jiào】小外，其余各引脚之间（G与D、G与【yǔ】S）的正 、反向电阻值【zhí】均应为无穷大。若测【cè】得【dé】某两极之间的电【diàn】阻值接近【jìn】0Ω
，则说【shuō】明该管【guǎn】已【yǐ】击穿损坏 。另外，还可以【yǐ】用触发栅【shān】极（P沟道场【chǎng】效应晶体管用【yòng】红表笔触发 ，N沟道场效【xiào】应管【guǎn】用黑表【biǎo】笔触发）的方法来判断场【chǎng】应管是否损坏。若触发有效（触发【fā】栅极G后【hòu】
，D
、S极之间的正、反【fǎn】向电【diàn】阻【zǔ】均【jun1】变为【wéi】0），则可确定该管性能良好
。用吧三【sān】,1用10K档,内有【yǒu】15伏电池.可提供【gòng】导【dǎo】通电压【yā】.2因为栅极等效于电容【róng】,与任【rèn】何【hé】脚不通,不论【lùn】N管或P管都很容易找【zhǎo】出栅极来,否则是坏管.3利用表【biǎo】笔对栅源间【jiān】正【zhèng】向或反向充电【diàn】,可使漏源通或断,且【qiě】由于【yú】栅极上电荷能保【bǎo】持,上【shàng】述两步可分先后,不必同步,方便【biàn】.但要放电时需短路管脚或反充.4大都源【yuán】漏间有【yǒu】反并二极【jí】管,应注意,及帮助判断【duàn】.5大都封庄为【wéi】字面对自已时【shí】,左栅中漏右源。

zbwsemi的MOS管10N65如何测量好坏

编辑-Z

为什么要检测mos管的好坏？

为了【le】保护【hù】板上【shàng】的其他元件 ，在【zài】将【jiāng】MOS管10N65连【lián】接到【dào】电路之前对其进行测【cè】试至关重【chóng】要 。mos管10N65主要有漏极 、源极和栅极三【sān】个引脚
。

当【dāng】使用有故障的MOS管时
，会发【fā】生漏极【jí】到栅【shān】极的【de】短路，对电路不利。这种短【duǎn】路的结果可能是漏【lòu】极电压反馈 ，这也会影响栅极端子 。电【diàn】压到【dào】达该【gāi】端【duān】后【hòu】
，通过栅极电阻进一步传【chuán】输到驱动【dòng】电路，这种传【chuán】输可能【néng】对【duì】驱动电路造成进一步的损坏
。因【yīn】此 ，在【zài】使用前检测mos管10N65的质量可以【yǐ】避免【miǎn】损坏整个电路。那【nà】么zbwsemi的MOS管10N65如何测量【liàng】好【hǎo】坏呢？

测量mos管10N65好坏时要注意的几点

在测试mos管时
，您需要采取一【yī】些【xiē】预防措施 。主【zhǔ】要是：

1
、必须保证输【shū】入电【diàn】源大于等于MOS管【guǎn】10N65的【de】阈值电压
。

2、MOS管【guǎn】的漏极电【diàn】压和栅极【jí】电压不能超【chāo】过击穿【chuān】电压。

3 、应选择合适的限流电阻给LED供电 。

4
、连【lián】接时应始【shǐ】终使用栅【shān】源电【diàn】阻【zǔ】
。这将【jiāng】有助于避【bì】免栅极处的噪声，也【yě】有助于释放器件的寄生电【diàn】容。

5、在mos管的栅极处应始终【zhōng】使用【yòng】低量程电阻 。

6 、最后 ，通过测试【shì】电路技术进行测试时，一定【dìng】要使用低【dī】端【duān】开关电路【lù】。否则
，mos管【guǎn】将无法工作
。

用万用表测量mos管10N65的好坏——电阻测试

当【dāng】MOS管的栅端没有触【chù】发脉冲时【shí】，它【tā】的漏源电阻很高。电阻【zǔ】测试就是利用这个属【shǔ】性【xìng】来测试mos管10N65是否有故障 。测试也很简单【dān】 ，只【zhī】需【xū】要一个欧姆表或万用表即可执行
。

做【zuò】一个电【diàn】阻检【jiǎn】查
，无论数字【zì】万用表探头的极性如【rú】何，一个好的mos管应该在【zài】漏极和源极之间【jiān】有很【hěn】高【gāo】的电阻。

以下是进行电阻测试的一些基本步骤：

1、无论【lùn】欧姆表【biǎo】探头【tóu】的连接如何 ，功【gōng】能良好的mos管【guǎn】10N65都应指示【shì】高漏源电阻 。

2
、也可【kě】以【yǐ】用万用【yòng】表检【jiǎn】查漏【lòu】源电阻
。将万用表置【zhì】于电阻模式开始测试
，万用表电【diàn】阻读数应高到以兆欧为单【dān】位【wèi】。

3、将万用表的【de】读数与mos管10N65的数据表进行【háng】比较 。如果您发【fā】现电【diàn】阻读数【shù】小于数据表上的值或为零【líng】，则【zé】存在故【gù】障
。仪表或欧姆表应显示数据表上的电阻。

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