可【kě】以【yǐ】用任【rèn】何最大漏极电流不小于2A、最大漏源电压不【bú】低于600V的【de】N沟【gōu】道场效应管来替代。
2n60已经是最普【pǔ】通的场效应管了,如【rú】果用4N60,5N60带肯定是可以的【de】
首先讲一下2N6508不是什么场效应管 ,它是25a单向可控硅【guī】(SCR),可用BT145-600R或【huò】MCR25N-25A直【zhí】接代换。
主要参数:
断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600
反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600
额定正向平均电流IF(Max)(A):25
门极触发电流IGT(Max)(mA):30
门极触发电压VGT(Max)(V):1.500
温度(℃):-40~125
采用TO-220封装:
2n60c可以用K2645,K719 ,K794或【huò】fqp4n60c,fqp5n60c等代用 。
2n60c三极管是VMOS场效应管,其【qí】漏极【jí】电流是2A ,耐压值是600V。需要替代【dài】的时候考虑到各方【fāng】面的性能 、参数、外形尺寸等,只要【yào】考虑耐压、电流 、功率【lǜ】一般是【shì】可以进【jìn】行【háng】代换的(行输出【chū】管外【wài】观【guān】尺寸【cùn】几乎相同),而且【qiě】功率【lǜ】往往大一【yī】些更好。对于mos管代换虽【suī】然也是这一原【yuán】则 ,最好是原型号的最好,特别是不要追求功率【lǜ】要大一【yī】些,因为功率大【dà】 ,输入电【diàn】容就大,换【huàn】了后【hòu】和激励电路就不【bú】匹配了,激【jī】励灌流电路的充电【diàn】限流电阻的阻【zǔ】值的大小和MOS管的输入电【diàn】容是有【yǒu】关【guān】系的 。
它们的类型相同都是NPN管,主要参数(耐压、电流、增益 、带宽)相同 ,封【fēng】装外形也相同,从数据手册【cè】中看,好【hǎo】象只有允许【xǔ】耗散功率【lǜ】方面【miàn】有点差异 ,MPSW42略【luè】大于【yú】MPSA42,所以用MPSW42替换MPSA42肯定是【shì】可以【yǐ】的,如果想用【yòng】MPSA42替换MPSW42就要看看实际功耗够不够。
三极管 ,全【quán】称应【yīng】为半导体三【sān】极管,也称双极型晶体管【guǎn】、晶体三极管,是一种控制【zhì】电流【liú】的半导体器件·其【qí】作用是把微弱信号放大成幅度【dù】值较大的【de】电信号 , 也【yě】用作无触【chù】点开关。晶体三极管【guǎn】,是半导体基本【běn】元器件之一,具有电【diàn】流放大作【zuò】用【yòng】 ,是【shì】电子【zǐ】电路【lù】的核心元件 。三极管【guǎn】是【shì】在【zài】一块半导【dǎo】体基片【piàn】上【shàng】制作两个相距很近的PN结【jié】,两个【gè】PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发【fā】射区和集电【diàn】区 ,排列方式有PNP和NPN两种【zhǒng】。
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