MOS管【guǎn】全称是【shì】MOSFET ,意思是金属绝缘栅型场效应管,因为它的【de】栅极【jí】与沟道之【zhī】间有一层绝缘【yuán】层而得【dé】名,且【qiě】栅极通常采用【yòng】铝金属作为材料而得【dé】名。
它是场效应管的一种(另外一种是结型场效应管) 。
与结型管相【xiàng】比 ,MOS管的【de】输入电阻更大,通过电流能【néng】力很强,耐压【yā】值也可以做到比较高 ,可以承受【shòu】更【gèng】大【dà】的功率。但【dàn】在频率特性【xìng】上面【miàn】,MOS管【guǎn】的【de】表现不如结型管。
因此MOS管一般被用于功率电路中,包括驱动电路 ,电源电【diàn】路,大【dà】电流开关等 。而在晶体管常用的小【xiǎo】信号放大【dà】场合【hé】,结型管【guǎn】用得【dé】更多一些【xiē】。
1 、性质上的区别
三极管,是一种控制电流的【de】半导体【tǐ】器 ,是半导体基本【běn】元器件之一【yī】,是电【diàn】子电路的核心元【yuán】件。
场效应管属于电压控制型半导体器【qì】件,控制输入【rù】回路的电【diàn】场效应来【lái】控制输出回路【lù】电流
2、原理上的区别
三极管发射区的多【duō】数载【zǎi】流子浓度大于基区的 ,同【tóng】时基区做得很薄,而且严格【gé】控制【zhì】杂质含量,这【zhè】样一【yī】旦接【jiē】通【tōng】电源后 ,由于发射结正偏,发射区的多数载流子【zǐ】及基区【qū】的多数载流子很【hěn】容易越过【guò】发射结【jié】互相向对方扩散,前者的【de】浓度基大于后【hòu】者 ,所【suǒ】以通【tōng】过发射【shè】结的电【diàn】流基本上是电子流【liú】 。
场效应管工【gōng】作原理是漏【lòu】极-源极【jí】间流【liú】经沟道的ID,用以栅【shān】极与沟道间的pn结【jié】形成的反【fǎn】偏的栅【shān】极电压控制【zhì】ID。ID流经通路的【de】宽度,即沟【gōu】道【dào】截面积 ,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层【céng】扩【kuò】展变化控制的缘故。
扩展资料:
场效应管的作用:
1,场效【xiào】应管可应用于放【fàng】大 。由于场效【xiào】应管放大【dà】器的输入【rù】阻抗很高,因此耦合电容可以【yǐ】容【róng】量较小 ,不必使用电解电【diàn】容【róng】器。
2,场效【xiào】应管很高的输入阻抗非常适合作【zuò】阻抗变【biàn】换。常用于多级放大器【qì】的输【shū】入级作阻【zǔ】抗变【biàn】换【huàn】。
3,场效应管可以用作可变电阻 。
4 ,场效应管可以方便地用作恒流源。
5,场效应管可以用作电子开关。
1. 场效应管(FET)分为MOS场效应管(MOSFET)和结型场效应【yīng】管【guǎn】(JFET) 。现在主要使用【yòng】MOS场效【xiào】应管场效应管跟mos管,即通常所称场效应管跟mos管的【de】MOS管。2. MOS是金属(Metal)-氧化【huà】物(Oxide)-半导体(Semiconductor)场效应管跟mos管的简称场效应管跟mos管 ,即栅【shān】-二氧【yǎng】化硅-硅。JFET中的J代表Junction,即“结 ”,表【biǎo】示PN结【jié】的结【jié】 。FET代表Field Effect Transistor ,即场效应【yīng】管( DMN100-7-F )。
场效应管就是MOS管,场效应晶体【tǐ】管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,MOS管【guǎn】可以说是一【yī】种通俗【sú】的叫法吧 ,一些【xiē】采【cǎi】购工程比【bǐ】较喜欢叫MOS管【guǎn】。
至于场效应管【guǎn】跟三极管的相似【sì】之【zhī】处呢,这个就比【bǐ】较专业了,我个人片面的认识是【shì】外形相似,就是【shì】说场效应管和【hé】三极【jí】管很多封装【zhuāng】是一样的 ,不过他【tā】们的内【nèi】在有很【hěn】多区别,你【nǐ】可以在百【bǎi】度【dù】搜索下场效应【yīng】管与三极【jí】管的区别,有【yǒu】个百度文库有介【jiè】绍的 。
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