mos管检测好坏视频_mos管怎么检测好坏

如何判断mos管的好坏？

一.红左 ，黑中、右无穷大黑【hēi】左，红中 、右无【wú】穷大【dà】红中
，黑右无穷【qióng】大；黑【hēi】中红右【yòu】显示530（左右）。其实场效应管三极管很好判断：有字面朝【cháo】上从左到右依次为：G、D
、S，有【yǒu】些管相反【fǎn】：S、D 、G 。我修【xiū】显示【shì】器
、主板【bǎn】、电【diàn】源【yuán】都是从上面的方法测【cè】绝对没【méi】问题。你不信【xìn】随便拆块板【bǎn】看一看 ，场【chǎng】效应管在电路图板的【de】布局【jú】及应VMOS大功率场效应晶体管的检测
。

二．1判别各电极与管【guǎn】型【xíng】。用万用表【biǎo】R×100档
，测量场效应晶体管任【rèn】意两引脚之间的正 、反向电阻【zǔ】值【zhí】 。其中【zhōng】一次测量【liàng】中两【liǎng】引【yǐn】脚【jiǎo】的电阻值【zhí】为数百欧姆，这时两【liǎng】表笔【bǐ】所接的引脚为源极S和漏极D ，而另一引【yǐn】脚【jiǎo】为栅极G
。再【zài】用万用表R×10k档测量两引脚（掘薯扒漏极【jí】D与源极S）之间的正
、反向电阻值【zhí】。正常【cháng】时
，正向电【diàn】阻值为2kΩ左右，反向【xiàng】电阻值【zhí】大于【yú】500kΩ 。在测【cè】量反【fǎn】向电阻值时 ，红表笔所接引脚不动
，黑表【biǎo】笔脱离所接引脚后【hòu】，先与栅极G触【chù】碰一【yī】下【xià】 ，然【rán】后【hòu】再去接原引【yǐn】脚
，观【guān】察万用表读数的变【biàn】化情况
。若【ruò】万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔【bǐ】所【suǒ】接的【de】即是源极S ，黑表笔所接为漏【lòu】极D。用【yòng】黑表笔触发栅【shān】极G有效，说明该【gāi】管为N沟道场效应管 。若【ruò】万用表读数仍【réng】为较【jiào】大值
，则黑表笔接回原引脚不变【biàn】，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原【yuán】引脚 ，若此时【shí】万用表读数由【yóu】原来阻值较大变为0
，则此时黑表笔【bǐ】接的【de】为源极S，红表笔接的是漏极D
。用表红笔【bǐ】触发栅极G有【yǒu】效【xiào】 ，说明该【gāi】管为P沟道【dào】场效【xiào】应晶体管。

2．判别其好坏 。用万用表R×1k档【dàng】或R×10k档
，测量场效【xiào】应管任意两脚之间的正【zhèng】、反向电阻值【zhí】
。正常【cháng】时，除漏极【jí】与源极【jí】的正向电【diàn】阻值较【jiào】小外 ，其【qí】余【yú】各引脚之间（G与【yǔ】D 、G与【yǔ】S）的正
、反向【xiàng】电阻值【zhí】均应为无穷大。若测得某判昌【chāng】两极之间的电阻值接近【jìn】0Ω
，则【zé】说明该管【guǎn】已击穿损【sǔn】坏 。另【lìng】外，还可以用触发栅【shān】极（P沟道场效应手逗晶体管用红表笔触发【fā】 ，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应【yīng】管是否【fǒu】损坏。若触【chù】发有【yǒu】效（触【chù】发【fā】栅极G后
，D、S极之间的正 、反向【xiàng】电阻均变【biàn】为0），则可确定该【gāi】管性能良【liáng】好
。用吧三,1用10K档,内有15伏电池.可提供【gòng】导通电压【yā】.2因【yīn】为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管【guǎn】都很容易找【zhǎo】出栅【shān】极来,否则是坏管.3利用表笔对栅源【yuán】间正向或反向充【chōng】电,可使漏【lòu】源通或断,且由于栅极上电【diàn】荷能【néng】保持,上【shàng】述两步可分先后,不必同【tóng】步,方便【biàn】.但要放电时【shí】需短路管脚或反充【chōng】.4大都源漏间有反并二极管,应【yīng】注意,及帮助判断【duàn】.5大【dà】都【dōu】封庄为字面【miàn】对自已时,左栅中漏右【yòu】源。

请问使用万用表如何检测MOS管好坏

万用表检亩蠢困测MOS管好坏mos管检测好坏视频的简便方法

1.用黑表笔接在D极上mos管检测好坏视频 ，红【hóng】表【biǎo】笔接在S极上，一般【bān】有一个【gè】500-600mos管检测好坏视频的阻值

2.在黑表笔不动的前提下
，用红【hóng】表笔点一下【xià】G极，然后再【zài】用【yòng】红表笔测【cè】S极 ，就会【huì】出现导通

3.红表笔【bǐ】接D极
，黑档槐表【biǎo】笔点一下G极【jí】后再接S极，测得的【de】阻值【zhí】和1测【cè】的是一样【yàng】的则迅念说明MOS管工作正常

如何用万用表检测MOS管是好是坏？

以N沟道MOS场效应管5N60C为例mos管检测好坏视频 ，来详细介绍一下具体的测量方法 。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字【zì】万【wàn】用表二极【jí】管档正向测量【liàng】5N60C的D-S两极
。

测量5N60C好坏时mos管检测好坏视频
，首先将万用表量程开关调至二极管档mos管检测好坏视频，将5N60C的G极悬空 ，用红黑表笔分【fèn】别接【jiē】触5N60C的D-S两极
，若是好的【de】管【guǎn】子，万用表显示为“OL ” ，即【jí】溢【yì】出【chū】（见【jiàn】上图【tú】）。

3.用数字万用【yòng】表【biǎo】二极管档反向【xiàng】测量5N60C的D-S两极 。

然后调换【huàn】红黑表【biǎo】笔【bǐ】
，再去测量D-S两极，则万用表显【xiǎn】示的读【dú】数为一个硅二【èr】极管的正向压降【jiàng】（见上【shàng】图【tú】）
。

若MOS场【chǎng】效应管【guǎn】内部D-S两极之间的寄生二【èr】极管击穿损坏 ，用【yòng】二极管档【dàng】测量时，万用表【biǎo】显示的读数接近于零。

4.用万用表的二【èr】极管【guǎn】档给5N60C栅源两极【jí】（G-S两极【jí】）之【zhī】间的电容充【chōng】电 。对于N沟道【dào】MOS场效应管充电时【shí】
，红表笔应接管子的G极，黑表笔接管子的S极
。

在测量【liàng】完5N60C的D-S两极 ，并【bìng】且确实是好的之后
，然后用二极管档给【gěi】MOS场【chǎng】效应管的栅源两【liǎng】极之【zhī】间【jiān】的电容【róng】充电。

由于MOS场效应管的简裂前【qián】输入电阻【zǔ】在GΩ级（GΩ读作吉欧，1GΩ＝1000MΩ） ，数【shù】字万【wàn】用表二极管档的开路测量电压约为2.8～3V
，故用二极管档的【de】测量电压【yā】给【gěi】MOS场效应【yīng】管的栅源两极之间的电容【róng】充电后，可以【yǐ】使【shǐ】MOS场效应管D-S两极之间的【de】电阻变【biàn】得很小【xiǎo】 ，故用这【zhè】个方法【fǎ】可以测量场效【xiào】应管【guǎn】G-S两极之【zhī】间【jiān】是否损坏 。

5.5N60C的G-S两极间【jiān】的电容充【chōng】电后
，用电阻档【dàng】实测D-S两极之间【jiān】的正向【xiàng】电阻为155.4Ω
。

6.用【yòng】万用表电【diàn】阻档实【shí】测5N60C的D-S两极之间【jiān】的【de】反向电阻为67.2Ω。

上【shàng】面为一个好的N沟【gōu】道【dào】MOS场【chǎng】效应管【guǎn】的测【cè】量数据 。对于P沟道MOS场效【xiào】应管的测量方法【fǎ】与【yǔ】上述测量一样，只【zhī】是【shì】万用表表笔需要调换一下极性。

扩展资料mos管检测好坏视频：

mos管【guǎn】是金【jīn】属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应【yīng】晶体管 ，或者称是金属—绝【jué】缘【yuán】体(insulator)—半导体
。MOS管的【de】source和drain是【shì】可以对调的
，mos管检测好坏视频他们都是【shì】在P型backgate中形【xíng】成的N型区【qū】。在多数情况下，这个两个区是一样的【de】 ，即使【shǐ】两【liǎng】端对调也不会影【yǐng】响器件的性能 。这样的器件被认为是【shì】对称的
。

场效【xiào】应【yīng】管（FET），把输入电压的变【biàn】化【huà】转化为输出电流【liú】的变化。FET的增益等于它的transconductance
， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比 。市面【miàn】上常有【yǒu】拦【lán】清的一般为N沟道和【hé】P沟道，详【xiáng】情参【cān】考【kǎo】右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）
。而【ér】P沟道常见【jiàn】的为低压【yā】mos管。

场效应管【guǎn】通过投【tóu】影一个电场在一个【gè】绝缘层上来【lái】影响【xiǎng】流过晶【jīng】体管的电流 。事实上【shàng】没有电流流过这个【gè】绝缘体【tǐ】 ，所以FET管的GATE电流非常小
。

最普通【tōng】的FET用【yòng】一【yī】薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘【yuán】体。这种晶体管【guǎn】称为金属氧化物半导【dǎo】体(MOS)晶体管
，或,金【jīn】属【shǔ】氧【yǎng】化物【wù】半导体【tǐ】场效应管（MOSFET） 。因为MOS管更小【xiǎo】更省电，所以他【tā】们已经在很多应【yīng】用场合取代了双极源【yuán】春型晶体管
。

mos管怎么测试好坏

测电阻法检测MOS管是用万用表测【cè】量MOS管的源极与漏【lòu】极
、栅极【jí】与【yǔ】源极、栅【shān】极与漏极 、栅极G1与栅【shān】极G2之间的电【diàn】阻值同MOS管手册【cè】标明的电阻值【zhí】是否相【xiàng】符去判别管的好坏。具体【tǐ】方法：首先将万用表置【zhì】于R×10或【huò】R×100档 ，测量源极S与漏极D之间【jiān】的电阻
，通常在几十欧到几【jǐ】千【qiān】欧范【fàn】围(在手册中可知【zhī】，各种不同型号的管 ，芦【lú】薯其电阻值是各不相【xiàng】同的)
，如果测得阻【zǔ】值大于正常值，可能是由于【yú】内部【bù】接触不【bú】良;如果测得阻值【zhí】是无穷大 ，可能是内部【bù】断【duàn】极 。然后【hòu】把万用【yòng】表置于【yú】R×10k档【dàng】
，再测栅极G1与G2之【zhī】间、栅【shān】极与源极
、栅极【jí】与【yǔ】漏极之间【jiān】的电【diàn】阻值【zhí】，当测得其【qí】各项电阻值均【jun1】为无【wú】穷大 ，则陪御者说明管是正常的【de】;若测得上述各拆【chāi】神阻值【zhí】太小或为【wéi】通路，则说明管是坏的。要【yào】注【zhù】意
，若两个【gè】栅极在管【guǎn】内断极，可用元件代换【huàn】法进行检测
。

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