mos管管脚判断_mos管脚位图

mos管的引脚 ，G
、S、D分别【bié】代表什【shí】么？

G：gate 栅极mos管管脚判断；S：source 源极；D：drain 漏极【jí】
。N沟道【dào】的【de】电源一般接在Dmos管管脚判断
，输出S，P沟【gōu】道的【de】电源一般接在【zài】S ，输【shū】出D。

增强耗尽接法基本一样 。

无论N型【xíng】或【huò】者P型MOS管
，其工【gōng】作原理本质是【shì】一样的
。

扩展资料

mos管【guǎn】是金【jīn】属【shǔ】(metal)—氧化物(oxide)—半导体【tǐ】(semiconductor)场效应晶体管，或者称【chēng】是金属【shǔ】—绝缘体【tǐ】(insulator)—半导体。MOS管【guǎn】的【de】source和drain是可以对调的 ，他们都是【shì】在P型【xíng】backgate中形成的N型区 。

场效应管（FET）
，把输入电压的【de】变化转【zhuǎn】化为输出电流的【de】变化【huà】
。FET的增益等于【yú】它【tā】的transconductance， 定【dìng】义为输出电流的变化和【hé】输入电压变化【huà】之比。

参考资料MOS管＿百度百科

MOS管脚判定及工作原理?

mos管比较好【hǎo】判断的是栅【shān】极G,漏【lòu】极D和源极S不好【hǎo】区分 。

首【shǒu】先说一下数字表和【hé】模拟（指针表）的区别 ，数【shù】字【zì】表的红 、黑表笔对应【yīng】代表正
、负
，指【zhǐ】针表的【de】红表笔代【dài】表【biǎo】负，黑表笔代表正 ，这是表【biǎo】的原【yuán】理决定的
。

其次【cì】，管【guǎn】脚的判定【dìng】
，因为MOS管【guǎn】的工【gōng】作原理是【shì】电压控制形成（阻【zǔ】断）导电沟道的，我们就用万用表的【de】二【èr】极【jí】管档【dàng】位（数字表） ，电阻的10k党（模拟表）
，来施加栅极控制电压；观察【chá】：一般源极是和外【wài】壳连在一块的，负极接源极 ，正【zhèng】极分【fèn】别【bié】接另两个管【guǎn】脚
，数【shù】字减小或者指针偏转大的脚【jiǎo】是漏极【jí】，另一脚就是栅极了

如何判断MOS管的好坏？

一【yī】.红【hóng】左 ，黑中、右无穷大黑【hēi】左
，红【hóng】中 、右无穷大红中，黑右无穷大；黑中【zhōng】红【hóng】右显示530（左右）。其实【shí】场效【xiào】应管【guǎn】三【sān】极管很好判断：有【yǒu】字面朝上从左到右依次为：G
、D、S ，有些管相【xiàng】反：S 、D
、G 。我修显示器【qì】、主板【bǎn】 、电源都是从上面的方法测【cè】绝对没问题
。你不信随便拆块板看一看
，场【chǎng】效应管在电路图板【bǎn】的布局及应VMOS大功率场【chǎng】效应晶体管的检测【cè】。

二．1判别各【gè】电极与【yǔ】管型 。用【yòng】万用【yòng】表R×100档，测量场【chǎng】效应晶体【tǐ】管任意两引脚之间【jiān】的正、反向【xiàng】电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值【zhí】为数百欧姆 ，这【zhè】时【shí】两表笔所接的引脚为源极S和【hé】漏【lòu】极D，而另【lìng】一【yī】引脚为栅极G
。再用【yòng】万用表R×10k档测量【liàng】两【liǎng】引脚（漏【lòu】极D与源【yuán】极【jí】S）之间的【de】正
、反向电【diàn】阻值。正常时
，正向【xiàng】电阻【zǔ】值为2kΩ左右，反向电阻值大于【yú】500kΩ 。在测【cè】量反向电阻值时 ，红表笔所接引脚不动
，黑表笔脱离所【suǒ】接引【yǐn】脚后，先【xiān】与栅极G触碰一下 ，然【rán】后再去接原引脚
，观察万用表【biǎo】读数的变化情况【kuàng】
。若【ruò】万用表读数由原【yuán】来较大阻值变【biàn】为0，则此红表笔所接【jiē】的【de】即是源极【jí】S ，黑表【biǎo】笔所接为漏极D。用【yòng】黑表笔【bǐ】触发栅极G有效【xiào】
，说明该管为N沟道场效应管 。若万用表读【dú】数仍为【wéi】较大值，则黑表笔接【jiē】回原引脚不变 ，改用红表笔去【qù】触碰栅【shān】极G后再接回原引脚【jiǎo】
，若此时万用表读数由原【yuán】来阻【zǔ】值【zhí】较大变为【wéi】0，则此时黑表笔接的为源极S ，红【hóng】表笔接的【de】是漏极D
。用表红笔触发栅极G有效，说明该管为【wéi】P沟道场【chǎng】效应晶体管。

2．判别其好坏 。用万用表R×1k档或R×10k档
，测量【liàng】场效【xiào】应管任意两脚【jiǎo】之间的正、反向电阻值
。正常时，除漏极与源【yuán】极的正向电阻值【zhí】较小外 ，其【qí】余【yú】各引脚之间（G与D 、G与【yǔ】S）的正
、反【fǎn】向电阻值【zhí】均【jun1】应为无穷大【dà】。若测【cè】得某两极之间的【de】电阻值接近0Ω
，则说【shuō】明该【gāi】管已击穿【chuān】损坏 。另【lìng】外，还可【kě】以用触【chù】发栅极（P沟道场效应【yīng】晶【jīng】体管用红表【biǎo】笔触【chù】发 ，N沟道场【chǎng】效应管【guǎn】用黑表【biǎo】笔触【chù】发【fā】）的【de】方法【fǎ】来判断场应管是否损坏
。若【ruò】触发【fā】有效（触发栅极G后【hòu】
，D、S极之间的正 、反向电阻【zǔ】均变为0），则可确【què】定该管性能良好。用吧三,1用10K档,内有15伏电池【chí】.可【kě】提【tí】供导通电【diàn】压.2因为栅极等效于【yú】电容,与任何脚不通,不论N管或P管都【dōu】很容易找出栅极来【lái】,否【fǒu】则是坏管.3利用表笔对栅【shān】源间正向或反向充【chōng】电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷【hé】能【néng】保持,上述两步可分先后【hòu】,不【bú】必同步,方便【biàn】.但【dàn】要【yào】放电时【shí】需短路【lù】管脚或反充.4大【dà】都源漏间【jiān】有反并二极【jí】管,应注意【yì】,及【jí】帮助判【pàn】断.5大都封【fēng】庄为字面对自已时,左栅中漏右源 。

MOS管的管脚分辨

一【yī】般正【zhèng】面对【duì】你 ，（散热【rè】片为【wéi】背面）左起为GDS。拿万用表量的话
，S到D为正向二极管【guǎn】，拿电阻档量约为500K ，二极管档量为0.4V
。另外用电阻档量AH后
，（红表【biǎo】笔接G，黑表笔接S）DS会通。即【jí】接两边两脚后 ，中【zhōng】间脚和【hé】另一脚【jiǎo】会通

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