如何检测mos管好坏_如何检测mos管好坏

电动车控制器mos管如何检测好坏

首先,断开控制器与电源连接如何检测mos管好坏，把控制器粗黑线与粗红线碰接短路如何检测mos管好坏 ，这样做的目的是放完内部电容余电。

然后如何检测mos管好坏
，把三根粗黄线对粗黑碰线短接如何检测mos管好坏，目的同上 。一定要放电后【hòu】再进行【háng】测量【liàng】
。这【zhè】三根粗黄线实际上是三根相【xiàng】线。

做完以上准【zhǔn】备【bèi】工作后 ，按以下三个步骤操作【zuò】
，即【jí】可判断控制【zhì】器好坏 。

第【dì】一步：将【jiāng】万用表置于二极管档测量，用【yòng】红表笔接控制器负极 ，黑表笔依次【cì】测量控制器主线【xiàn】中的黄 、绿
、蓝【lán】线，读数约【yuē】在500左【zuǒ】右（数字万用【yòng】表）
，三次读数【shù】应【yīng】基【jī】本一致【zhì】
。

第二步：用万用【yòng】表黑【hēi】表笔【bǐ】接控制【zhì】器【qì】正极，红表笔依次接控制【zhì】器【qì】主线黄、绿 、蓝线 ，读数【shù】约【yuē】在500左右
，三【sān】次读数应基本一致

第三步：如果【guǒ】第一
、二步的测量正常【cháng】，则【zé】表示【shì】无刷控【kòng】制器【qì】基本正【zhèng】常 ，把控【kòng】制器与车【chē】体线路正常连接【jiē】
，接通电源，拔掉制动线 ，用【yòng】万用表电压档测量转把5V电压是否【fǒu】正常。

若以【yǐ】上测【cè】试正常
，表示控制器基本【běn】正常，否则可【kě】判定控制【zhì】器损坏 。

扩展资料

电动车控制器的作用

1、驱动电机旋转。

2 、在转把的控制下改变电机驱动电流 ，从而实现电机速度的调整
。

3、在闸把【bǎ】（刹把）的【de】控制下【xià】切断输出电流
，实现刹【shā】车控【kòng】制。

4
、对【duì】蓄电池【chí】电压进行【háng】检测，在蓄电池【chí】存储的【de】电压接近“放电【diàn】终止电压 ”时 ，通过控【kòng】制器面板（或仪表显【xiǎn】示盘）来显示【shì】电量不足如何检测mos管好坏；提醒骑行者调整自己的行【háng】程，当达到终止电压时
，通过【guò】取样电【diàn】阻【zǔ】将该信号送到比较器，由电路【lù】输出保护信号【hào】 ，致使、保护电【diàn】路按预先设定【dìng】的程序【xù】发【fā】出指【zhǐ】令
，切断电流以保护充电器和蓄电【diàn】池 。

5 、过流保【bǎo】护，电流【liú】过大时过流保护电路动作 ，使电机停【tíng】转
，避免过【guò】流给电【diàn】机和控制器带【dài】来危害
。另【lìng】外，部分控制器【qì】还具有防飞【fēi】车保护
、巡行【háng】限速等功能。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚如何检测mos管好坏的方法：以N沟道MOS场效应管为例 。

一、先确定MOS管的引脚：

1 、先对MOS管放电如何检测mos管好坏 ，将三个脚短路即可；

1
、首先找【zhǎo】出【chū】场效应管的D极【jí】（漏极）
。对于TO-252、TO-220这类封【fēng】装的【de】带有散热【rè】片【piàn】的场效应管如何检测mos管好坏
，它们的【de】散热【rè】片在内部是与管子【zǐ】的D极【jí】相连的，故我们可用数字万用表【biǎo】的【de】二极管档测量【liàng】管子的各【gè】个【gè】引脚【jiǎo】 ，哪【nǎ】个引脚与散热片相连【lián】
，哪个引脚就是D极。

2 、找到D极后，将万用表调至二极管档；

3
、用黑表笔【bǐ】接触管子的D极 ，用红【hóng】表笔分【fèn】别接触【chù】管子的另外两个引脚 。若接触【chù】到某个【gè】引脚时，万用表显示【shì】的读【dú】数为一个【gè】硅二极管的正向压降
，那么该【gāi】引脚即为S极【jí】（源极），剩下的那【nà】个引脚即为【wéi】G极（栅极【jí】）
。

二、MOS管好坏的测量：

1 、当把红表【biǎo】笔放在S极【jí】上【shàng】 ，黑【hēi】表笔【bǐ】放在D极上
，可以【yǐ】测出【chū】来这个导通压降，一般在0.5V左右为【wéi】正常；

2
、G脚测量 ，需要先【xiān】对G极充下电【diàn】
，把红表笔放在G极【jí】，黑【hēi】表笔放在S极；

3、再次把红表笔放在S极上【shàng】 ，黑【hēi】表笔放【fàng】在【zài】D极【jí】上
，可【kě】以测出来这个放大压降【jiàng】，一般在0.3V左右【yòu】为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1 、开启电压VT

开启电压（又称阈值电【diàn】压）：使【shǐ】得源【yuán】极S和漏极【jí】D之间【jiān】开始形成导电沟道所【suǒ】需的栅极电压【yā】；

标准的N沟道MOS管 ，VT约为【wéi】3～6V；通过【guò】工艺上的改进
，可以使MOS管的VT值降到【dào】2～3V。

2、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω 。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在VAH=0（增强型【xíng】）的条件下，在【zài】增加漏源电压【yā】过程中使ID开【kāi】始剧增【zēng】时的VDS称为漏【lòu】源【yuán】击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管【guǎn】中 ，其【qí】沟道长度较短，不断增加VDS会使【shǐ】漏区的耗尽【jìn】层一直扩展到【dào】源区
，使【shǐ】沟【gōu】道长【zhǎng】度为零，即【jí】产生漏源间的【de】穿通 ，穿通后【hòu】
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的【de】吸引【yǐn】 ，到达漏【lòu】区
，产生大【dà】的ID
。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源电【diàn】压过程中，使栅极电流IG由零【líng】开始【shǐ】剧增【zēng】时的VAH ，称为【wéi】栅源击【jī】穿【chuān】电压BVAH。

5 、低频跨导gm

在VDS为某一固定数【shù】值【zhí】的条件下
，漏【lòu】极【jí】电流的微变量和引起这个变化的栅源电压【yā】微变量之【zhī】比称为【wéi】跨导；

gm反映如何检测mos管好坏了栅源电【diàn】压对【duì】漏极电流的控【kòng】制能力，是【shì】表征MOS管放大能力的一个重要参数【shù】

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6
、导通电阻RON

导【dǎo】通电阻RON说明了VDS对【duì】ID的影响【xiǎng】 ，是漏极特性某一【yī】点切线的斜率【lǜ】的倒【dǎo】数

在饱和区
，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几【jǐ】十千【qiān】欧到几百【bǎi】千欧【ōu】之【zhī】间

由【yóu】于在数【shù】字电【diàn】路中，MOS管【guǎn】导【dǎo】通【tōng】时经【jīng】常工【gōng】作在VDS=0的状态下
，所以这时的导通电阻RON可用原【yuán】点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电极之间都存在着极间电【diàn】容：栅【shān】源电容CAH 、栅漏电容【róng】CGD和漏源电容【róng】CDS

CAH和CGD约【yuē】为1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间【jiān】

8
、低频噪声系数NF

噪声【shēng】是由管子【zǐ】内部载流子运动【dòng】的不规则性所【suǒ】引起的 。·由于它【tā】的存在
，就使【shǐ】一个放大器即便在没有信【xìn】号【hào】输人时，在输出端也【yě】出【chū】现不规【guī】则的电压【yā】或电流【liú】变化

噪声性能的大小通【tōng】常用噪声【shēng】系数【shù】NF来表示 ，它【tā】的单【dān】位为分贝【bèi】（dB）。这个数值【zhí】越【yuè】小
，代表管子所产生的噪声越【yuè】小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的【de】噪【zào】声系数约为几个分【fèn】贝【bèi】，它比【bǐ】双极性【xìng】三极管的要小

mos管怎么测试好坏

测电阻法【fǎ】检测MOS管是用万【wàn】用表测【cè】量MOS管的源极与漏极、栅极与【yǔ】源极【jí】 、栅【shān】极与漏极
、栅极G1与栅极G2之间的电【diàn】阻值同MOS管手册【cè】标明的电阻值【zhí】是【shì】否相符去判别管【guǎn】的好坏
。具体方【fāng】法如何检测mos管好坏：首先将万用表置于R×10或R×100档如何检测mos管好坏 ，测量源极【jí】S与漏极D之间的电阻
，通常在【zài】几十欧到几千欧范围【wéi】(在手册中可知，各种【zhǒng】不同型号的管 ，其电【diàn】阻【zǔ】值【zhí】是各不相同的)
，如果测【cè】得阻值大于正【zhèng】常值，可能是由【yóu】于内部接触【chù】不【bú】良;如果测得阻值【zhí】是无穷大【dà】 ，可【kě】能是内部断极。然【rán】后把【bǎ】万用表置于R×10k档，再测【cè】栅【shān】极G1与G2之间【jiān】、栅极与源极【jí】 、栅极与【yǔ】漏【lòu】极之间的电阻值
，当测得其各【gè】项电阻值均为无穷【qióng】大，则说明管【guǎn】是正常的;若【ruò】测得【dé】上述各阻值太小或为通路【lù】 ，则说明【míng】管是坏的 。要注意
，若两【liǎng】个栅极在管内断【duàn】极【jí】，可【kě】用【yòng】元件代换法进行检测
。

MOS管的好坏如何鉴别

用数字万用表判断MOS管的好坏

一.红左如何检测mos管好坏 ，黑中
、右 无穷大

黑左
， 红中、右 无穷大

红中，黑右 无穷大如何检测mos管好坏；

黑中红右显示530（左右）。

其实场效应管【guǎn】三极管很好判【pàn】断【duàn】：有字面【miàn】朝上【shàng】从左到右依次为【wéi】：G 、D、S ，有些管相反：S
、D、G 。我【wǒ】修显示器 、主板
、电源都是从上面【miàn】的【de】方【fāng】法测绝对没问题
。你【nǐ】不信随便拆块板看一看
，场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测

二．1判别各电极与管型

用万用表R×100档【dàng】，测量场效应晶体管任意两引脚【jiǎo】之【zhī】间的正、反【fǎn】向电阻值。其中一次测量【liàng】中两引脚的电【diàn】阻【zǔ】值为数【shù】百欧姆 ，这时两表笔所【suǒ】接的引脚为源极S和漏极【jí】D
，而另【lìng】一【yī】引脚为栅极G 。

再用万用表R×10k档测量两【liǎng】引脚（漏极D与源【yuán】极S）之间的正 、反【fǎn】向电阻值
。正常时，正向电阻值为【wéi】2kΩ左右 ，反向电【diàn】阻值大【dà】于500kΩ。

在测量反向电【diàn】阻值时，红表【biǎo】笔所接引脚不动
，黑表笔脱离【lí】所接引脚后，先与栅【shān】极【jí】G触【chù】碰一下 ，然后再【zài】去接原引脚【jiǎo】
，观察万用表读数的变化情【qíng】况 。若万用表读数由原来较大阻【zǔ】值变为【wéi】0，则此红表【biǎo】笔所接的即是源极S ，黑【hēi】表笔所【suǒ】接为漏极【jí】D
。用黑表笔触发【fā】栅极G有效
，说明【míng】该管为N沟道场【chǎng】效应【yīng】管。若万用表读【dú】数仍为较大【dà】值，则黑【hēi】表笔接回【huí】原引脚不变 ，改用红表笔【bǐ】去触碰栅极G后再【zài】接【jiē】回原引【yǐn】脚
，若此时万用表读数由原来阻【zǔ】值较大变为0，则此时黑表【biǎo】笔接的为源极S ，红表笔【bǐ】接的是漏极D 。用表红笔触发【fā】栅极G有效
，说【shuō】明该管【guǎn】为P沟道场效【xiào】应晶体【tǐ】管。

2．判别其好坏

用万用【yòng】表R×1k档或R×10k档，测量场效【xiào】应管【guǎn】任意【yì】两脚之间的正【zhèng】
、反向电【diàn】阻【zǔ】值
。正常时 ，除【chú】漏极与源极的【de】正向电阻【zǔ】值较小外，其余各引脚之间【jiān】（G与D、G与S）的正【zhèng】 、反向【xiàng】电阻值均【jun1】应为无穷大【dà】。若测得某两极之间的电阻值【zhí】接近0Ω
，则【zé】说明【míng】该管已击穿损坏 。

另外，还可以用触发栅极（P沟道【dào】场效应晶体【tǐ】管【guǎn】用红表笔触【chù】发 ，N沟道【dào】场【chǎng】效应管用黑表【biǎo】笔【bǐ】触发）的方法来判断场应管【guǎn】是否【fǒu】损坏
。若触发有效（触发【fā】栅极G后
，D
、S极【jí】之间的正【zhèng】、反向【xiàng】电阻均变为0），则可确定该管【guǎn】性能良好。

用吧

三,1 用10K档,内有15伏电池.可提供导通电压.

2 因为栅极等效于电容,与任何脚不通,

不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.

3 利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,

且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便.

但要放电时需短路管脚或反充.

4 大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断.

5 大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源.

以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏.

MOS管的好坏如何判断

用万用表R×1k档或R×10k档如何检测mos管好坏 ，测量场效应管任意两脚之间如何检测mos管好坏的正 、反向【xiàng】电阻值 。正常时
，除漏极与源极如何检测mos管好坏的正向电【diàn】阻值较小外，其余各引脚【jiǎo】之间【jiān】（G与D
、G与S）的正【zhèng】、反向电【diàn】阻值均应【yīng】为无【wú】穷大
。若【ruò】测【cè】得某【mǒu】两极【jí】之间的电阻值【zhí】接近0Ω ，则说明该管【guǎn】已击穿损坏。

另外
，还可以用【yòng】触【chù】发【fā】栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场【chǎng】效应管用黑【hēi】表笔触发）的方【fāng】法来【lái】判断场应管是否损坏 。若触【chù】发有效【xiào】（触【chù】发【fā】栅极【jí】G后 ，D 、S极之间的正、反向【xiàng】电阻均变为0）
，则可确定【dìng】该【gāi】管性【xìng】能良好
。

怎么用万用表测量MOS管的好坏?

以N沟道MOS场效应管【guǎn】5N60C为例，来详细介绍一【yī】下具体的测量【liàng】方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数【shù】字万用表二【èr】极管档正向【xiàng】测量【liàng】5N60C的D-S两极 。

测量5N60C好坏【huài】时 ，首先将万用【yòng】表量程开关调至二极管【guǎn】档【dàng】，将【jiāng】5N60C的G极悬空
，用红黑【hēi】表笔分别【bié】接触【chù】5N60C的D-S两极，若是好的管子 ，万用表显示【shì】为“OL
”
，即溢出（见上图）
。

3.用数【shù】字万用表二极管档反向测量【liàng】5N60C的D-S两极。

然【rán】后调【diào】换红黑表笔，再去测量D-S两极 ，则万用表【biǎo】显示的读数为一个【gè】硅【guī】二【èr】极【jí】管【guǎn】的正向压降（见上图） 。

若MOS场效应管【guǎn】内部D-S两极之间【jiān】的寄生二极管【guǎn】击穿损坏
，用【yòng】二【èr】极【jí】管档测量时，万用表显【xiǎn】示的读数接近于零。

4.用万用表的二极【jí】管【guǎn】档给5N60C栅源两极（G-S两极【jí】）之间的电容充电【diàn】
。对于N沟道MOS场效应管充【chōng】电时 ，红表笔【bǐ】应接【jiē】管子的G极
，黑表笔接管子的【de】S极。

在【zài】测量完【wán】5N60C的D-S两极，并且确【què】实【shí】是好【hǎo】的之后 ，然后用【yòng】二极管档给MOS场【chǎng】效应管的栅源两极之间的电容充电 。

由于MOS场【chǎng】效【xiào】应管的输【shū】入电阻在GΩ级【jí】（GΩ读作吉欧
，1GΩ＝1000MΩ），数字万【wàn】用表二【èr】极管档的开路测【cè】量电压约为2.8～3V ，故用二极管档的【de】测【cè】量电压给MOS场效应管【guǎn】的栅源两极【jí】之间的电【diàn】容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小
，故用这个方【fāng】法【fǎ】可以测【cè】量场效应管G-S两【liǎng】极之间是【shì】否损坏【huài】
。

5.5N60C的G-S两极间的【de】电容充【chōng】电后，用电阻【zǔ】档【dàng】实测D-S两极【jí】之间的正向电阻为155.4Ω。

6.用万【wàn】用表电阻档【dàng】实【shí】测5N60C的D-S两极之【zhī】间的反向电阻为67.2Ω 。

上面为一个好的N沟道MOS场【chǎng】效应管的测量【liàng】数据
。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上【shàng】述【shù】测量一样 ，只是万用【yòng】表表笔需【xū】要调换一下极【jí】性【xìng】。

扩展资料：

mos管是金【jīn】属(metal)—氧化物【wù】(oxide)—半导体(semiconductor)场效【xiào】应晶体管【guǎn】
，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体 。MOS管的source和drain是可【kě】以对【duì】调的【de】，他们都是【shì】在P型backgate中形成的N型区
。在多数【shù】情况【kuàng】下【xià】 ，这个两个区是一样的
，即使【shǐ】两端对调也不会【huì】影【yǐng】响器件的性能。这样的器件被【bèi】认为是【shì】对称【chēng】的【de】 。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的【de】变化
。FET的增益等于它的transconductance ，定义为输出电流的【de】变化和输入【rù】电压【yā】变【biàn】化之比。市面上常有的一般【bān】为N沟道和P沟道【dào】
，详情参考【kǎo】右【yòu】侧图片（N沟道耗尽型MOS管） 。而【ér】P沟【gōu】道常见的【de】为低压【yā】mos管。

场效应管通过投影一个【gè】电场【chǎng】在一个绝缘【yuán】层【céng】上来影响流过【guò】晶体管的【de】电流
。事【shì】实【shí】上没有电流流过【guò】这个绝缘体【tǐ】，所以FET管的GATE电流非常小【xiǎo】。

最普通的FET用一【yī】薄层二氧化【huà】硅来作【zuò】为GATE极下的绝【jué】缘体 。这种晶体【tǐ】管称为金【jīn】属氧化物半导体【tǐ】(MOS)晶体【tǐ】管 ，或【huò】,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
。因为MOS管更小更省电
，所以他们【men】已【yǐ】经在很多应【yīng】用场合取代了【le】双极【jí】型晶体管。

根据客户要求的不同，我司有针对如何检测mos管好坏产品【pǐn】多种【zhǒng】技术处【chù】理【lǐ】方案 ，技术资料也有所【suǒ】不同，所以不能直接呈现
，有【yǒu】需【xū】求的客户请与联【lián】系我们洽淡13715099949/联系13715099949/13247610001，谢谢！