4n65emos管怎么测好坏_怎样测量5n60管子好坏

mos管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例 。

一、先确定MOS管的引脚：

1 、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1
、首【shǒu】先找出【chū】场【chǎng】效应管的D极（漏极）
。对于【yú】TO-252、TO-220这类【lèi】封装的带有散热片的场效应管 ，它们的散【sàn】热片在内部是【shì】与【yǔ】管【guǎn】子的【de】D极相【xiàng】连的
，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪【nǎ】个引【yǐn】脚与散热片相连 ，哪【nǎ】个【gè】引脚就是【shì】D极。

2 、找到D极后
，将万用表调至二极管档；

3
、用黑【hēi】表笔接触管子的D极，用【yòng】红【hóng】表笔【bǐ】分别接触管子的另【lìng】外两个引脚 。若接触到某个引脚时 ，万用表显【xiǎn】示的读数为一个硅二极管【guǎn】的【de】正【zhèng】向压【yā】降【jiàng】，那么该引【yǐn】脚即【jí】为S极（源极）
，剩下的那个引脚即为G极（栅极【jí】）
。

二、MOS管好坏的测量：

1 、当【dāng】把红表笔放在S极上，黑表【biǎo】笔放在【zài】D极【jí】上 ，可以测出【chū】来这个【gè】导通压降
，一【yī】般在【zài】0.5V左右为【wéi】正常；

2、G脚测量，需【xū】要先对G极充下电 ，把红表笔放在G极
，黑【hēi】表【biǎo】笔放【fàng】在S极；

3
、再次把【bǎ】红表笔放在S极上，黑表笔放在【zài】D极上 ，可以测出来【lái】这【zhè】个放大压【yā】降
，一般在0.3V左【zuǒ】右为【wéi】正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开【kāi】启电压（又称【chēng】阈值【zhí】电压）：使得源极S和漏极【jí】D之【zhī】间开始形成【chéng】导电沟【gōu】道所需【xū】的栅极电压；

标准【zhǔn】的N沟道MOS管，VT约【yuē】为3～6V；通【tōng】过工【gōng】艺上的改进 ，可以使MOS管【guǎn】的【de】VT值降到【dào】2～3V。

2 、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω 。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在【zài】VAH=0（增强型）的条件下
，在增加漏源【yuán】电压过【guò】程中使【shǐ】ID开始剧增时的VDS称为漏源【yuán】击穿【chuān】电压【yā】BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有【yǒu】些【xiē】MOS管中，其沟道长【zhǎng】度【dù】较短 ，不断增【zēng】加【jiā】VDS会使【shǐ】漏【lòu】区的耗尽层一直扩【kuò】展【zhǎn】到源区，使沟【gōu】道长度为零【líng】
，即产生漏源间的穿通，穿通后 ，源区中的多数载流子
，将直接受【shòu】耗尽层电场的吸【xī】引，到达漏区 ，产生大【dà】的【de】ID。

4、栅源击穿电压BVAH

在增加栅源电【diàn】压过程中
，使【shǐ】栅极【jí】电流IG由零【líng】开始剧增时的【de】VAH，称为栅源【yuán】击穿电【diàn】压BVAH
。

5 、低频跨导gm

在VDS为【wéi】某一固定【dìng】数值的条件下 ，漏极【jí】电流的微【wēi】变量【liàng】和引起这个变化的栅源电【diàn】压【yā】微【wēi】变量之比【bǐ】称为跨导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6
、导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对【duì】ID的影响【xiǎng】，是漏极特性某一点切线的斜率【lǜ】的倒【dǎo】数【shù】

在饱和区 ，ID几乎不【bú】随VDS改变
，RON的数值很大，一【yī】般在几十千欧到几百【bǎi】千欧之【zhī】间【jiān】

由于在数【shù】字【zì】电路中 ，MOS管导通时【shí】经常工作在VDS=0的【de】状【zhuàng】态下，所【suǒ】以这时的导通电阻RON可用【yòng】原点的RON来近【jìn】似

·对一般的MOS管而言
，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三【sān】个电【diàn】极之间都存在着极间电容：栅源【yuán】电【diàn】容CAH 、栅漏电容CGD和漏源电容【róng】CDS

CAH和CGD约为【wéi】1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间

8
、低频噪声系数NF

噪声是【shì】由管子内部载【zǎi】流子运动的不规则性所引起【qǐ】的。·由于它【tā】的【de】存在 ，就使一个放大器即便在【zài】没有信号【hào】输人【rén】时
，在输【shū】出端也【yě】出现不规则的电压或电流变化【huà】

噪【zào】声性【xìng】能的大小通常用噪声系数【shù】NF来表【biǎo】示，它【tā】的单【dān】位【wèi】为分贝（dB） 。这个【gè】数值越小 ，代表管子【zǐ】所产生的【de】噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应【yīng】管的噪声系数约为几【jǐ】个分贝【bèi】
，它比【bǐ】双极【jí】性三极【jí】管的要小

怎么用万用表测量MOS管的好坏?

以N沟道MOS场效应管5N60C为例4n65emos管怎么测好坏，来详细介绍一下具体4n65emos管怎么测好坏的测量方法
。

1.N沟道MOS场效应管好坏4n65emos管怎么测好坏的测量方法

2.用数字【zì】万用表二极管档正【zhèng】向测【cè】量5N60C的D-S两极。

测量5N60C好坏时 ，首先将万用表量程开关调至二【èr】极管档【dàng】
，将5N60C的【de】G极悬空，用红黑表笔【bǐ】分【fèn】别接触5N60C的D-S两极【jí】 ，若【ruò】是【shì】好的管子【zǐ】
，万用表显示为“OL”，即【jí】溢【yì】出（见【jiàn】上图） 。

3.用数字万【wàn】用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极
。

然后调【diào】换红黑表笔 ，再去测【cè】量D-S两极，则万用表显示的【de】读【dú】数【shù】为一个【gè】硅二极管的【de】正向压【yā】降（见上图）。

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄【jì】生【shēng】二极管击穿损坏
，用二极管档测量时，万【wàn】用【yòng】表显示的读数接近于【yú】零 。

4.用万用表的【de】二极【jí】管档给5N60C栅源两【liǎng】极（G-S两极）之【zhī】间的【de】电容充【chōng】电
。对于【yú】N沟道MOS场效【xiào】应管【guǎn】充电时 ，红表笔应接管【guǎn】子的G极
，黑表笔【bǐ】接管子的S极。

在测量完5N60C的D-S两极，并且确【què】实是【shì】好的之【zhī】后 ，然后【hòu】用二极管档给MOS场效应管的栅源【yuán】两【liǎng】极之间的电容充电 。

由【yóu】于【yú】MOS场效应管的输入电阻在【zài】GΩ级（GΩ读作吉欧
，1GΩ＝1000MΩ），数字万用【yòng】表二极管【guǎn】档的开路测【cè】量电【diàn】压【yā】约为2.8～3V ，故用二极管档的测量电【diàn】压给MOS场效【xiào】应管的栅源两极之间的电【diàn】容充电后
，可以使MOS场效应管D-S两【liǎng】极之间的电阻变得很小【xiǎo】，故用这个方法可以【yǐ】测量场效应管G-S两极之【zhī】间是否损坏【huài】
。

5.5N60C的G-S两极间【jiān】的电容充【chōng】电后 ，用电阻档【dàng】实测D-S两极之间【jiān】的正向电阻为【wéi】155.4Ω。

6.用【yòng】万用表电阻【zǔ】档实测5N60C的D-S两极之间【jiān】的【de】反向电阻为67.2Ω 。

上面为【wéi】一【yī】个【gè】好的N沟道MOS场效【xiào】应管的测量数据。对于P沟道【dào】MOS场效应管的测量方法与【yǔ】上述测量一样
，只【zhī】是万用表表笔需要调换【huàn】一【yī】下极【jí】性
。

扩展资料4n65emos管怎么测好坏：

mos管是金【jīn】属【shǔ】(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶【jīng】体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管【guǎn】的source和drain是可【kě】以对调的 ，他们都是在P型backgate中形成的N型区 。在【zài】多数情况【kuàng】下，这个两个区是一【yī】样的【de】
，即使两【liǎng】端【duān】对调也【yě】不会影响【xiǎng】器件的【de】性能
。这【zhè】样的器件被【bèi】认为【wéi】是对称的【de】。

场效应管（FET），把输入【rù】电压的变【biàn】化【huà】转【zhuǎn】化为输【shū】出电流的【de】变化【huà】 。FET的增【zēng】益等于它【tā】的transconductance ，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比
。市面上常有【yǒu】的一【yī】般为N沟道和【hé】P沟道
，详情参考右侧图片（N沟【gōu】道耗尽型MOS管【guǎn】）。而【ér】P沟【gōu】道常见【jiàn】的为低压mos管【guǎn】 。

场效应管通过投影一个电【diàn】场【chǎng】在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流
。事实上【shàng】没【méi】有电流流过【guò】这个【gè】绝【jué】缘体，所以【yǐ】FET管【guǎn】的GATE电流【liú】非常小。

最【zuì】普【pǔ】通的FET用一薄【báo】层二氧【yǎng】化硅来作为GATE极下的绝缘【yuán】体 。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管 ，或【huò】,金【jīn】属氧化物半【bàn】导【dǎo】体场效应【yīng】管（MOSFET）
。因为MOS管更小【xiǎo】更省电
，所以【yǐ】他们【men】已经【jīng】在很多应用场合取代【dài】4n65emos管怎么测好坏了双极型晶体管。

MOS管如何检测其是否烧坏了？谢谢回答

测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点4n65emos管怎么测好坏，测试时选择欧姆R×10K档4n65emos管怎么测好坏 ，这时电压可达10.5V4n65emos管怎么测好坏
，红笔是负电位，黑笔是正电位 。

测试步骤4n65emos管怎么测好坏：

MOS管4n65emos管怎么测好坏的检测主【zhǔ】要是判断MOS管漏电、短【duǎn】路 、断路
、放大。其步骤如下：

1、把红笔【bǐ】接到MOS的源极S上【shàng】 ，黑【hēi】笔接到MOS管的漏极【jí】上
，好的表针指示应该是无穷【qióng】大
。如果有【yǒu】阻值没被测MOS管【guǎn】有【yǒu】漏【lòu】电【diàn】现象。

2 、用一只100KΩ－200KΩ的【de】电【diàn】阻连在栅极和源极上【shàng】，然后把【bǎ】红【hóng】笔接【jiē】到MOS的源【yuán】极S上 ，黑笔接到MOS管的漏【lòu】极上，这【zhè】时【shí】表针指示的值一般是0
，这时是下电荷【hé】通过这【zhè】个电阻对MOS管的【de】栅极【jí】充电，产生栅极电场 ，由于【yú】电场产生导致导电沟道【dào】致使漏极和源极【jí】导通【tōng】
，故万用表指针偏【piān】转【zhuǎn】，偏转的角度大 ，放电性越【yuè】好【hǎo】 。

3、把连【lián】接栅【shān】极【jí】和源极的电【diàn】阻移【yí】开
，万用表红黑笔不变，如【rú】果【guǒ】移开电阻后表【biǎo】针慢慢【màn】逐步【bù】退回到高阻或无穷大 ，则MOS管漏【lòu】电
，不变则完好
。

4
、然后【hòu】一根导线把MOS管的栅【shān】极和源【yuán】极【jí】连接起来【lái】，如果指针立即返回【huí】无穷【qióng】大 ，则MOS完好。

mos管怎么测试好坏

用万能表检测mos管好坏的方法：

将万用表两个表笔分别搭接在其他两个极：给B极与任【rèn】意一个极接一个【gè】10千欧姆电阻
，电阻先不要【yào】接【jiē】上，把表【biǎo】笔分别【bié】放在两【liǎng】级 ，电阻这时再【zài】接【jiē】触，指【zhǐ】针摆动越大证【zhèng】明该管子放【fàng】大系数【shù】就越【yuè】大
，也【yě】就是说该管子就越【yuè】好，反之越差 。

接【jiē】电阻的那一【yī】端为C极；若【ruò】是红表笔为P管 ，黑表笔为N管
。凡是【shì】不符合以上测量【liàng】数据的三【sān】极管都【dōu】是坏的。

万用表的相关要求规定：

1、指针表【biǎo】读取精度较【jiào】差
，但指针摆动的过程比【bǐ】较直观，其【qí】摆动速度【dù】幅【fú】度有【yǒu】时也能比较客观地反映了被测量的大小（比如测【cè】电视机数据【jù】总【zǒng】线(SDL)在传送数据时的轻微【wēi】抖动）；数字表读数【shù】直观【guān】 ，但数字变化的过程【chéng】看起【qǐ】来很杂乱
，不太容【róng】易观【guān】看【kàn】 。

2 、数字【zì】万用表的准【zhǔn】确度是【shì】测量结果中系统误差与随机误差的综合【hé】
。它表示测量值与真【zhēn】值的一致程度，也【yě】反映【yìng】测【cè】量误差【chà】的【de】大小。一【yī】般讲准确度愈高 ，测量误差【chà】就愈【yù】小
，反之【zhī】亦然 。

3
、指针表【biǎo】内一般有两块电池，一块低【dī】电压的1.5V,一块是高电压的9V或15V,其黑表笔相对红表笔来说是正【zhèng】端【duān】
。数【shù】字【zì】表【biǎo】则常用一块6V或9V的电池。在【zài】电阻档 ，指针表的表笔【bǐ】输出电流相对【duì】数字【zì】表来【lái】说要大很【hěn】多
，用【yòng】R×1Ω档可以使扬声器发出响亮的“哒 ”声，用【yòng】R×10kΩ档甚至可以点【diǎn】亮发光二【èr】极【jí】管【guǎn】 。

根据客户要求的不同 ，我司有针对4n65emos管怎么测好坏产【chǎn】品多种技术处理方【fāng】案，技术资料也有所不【bú】同
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