四【sì】脚mos管怎么测试好坏视【shì】频_四脚mos管【guǎn】怎么测试好坏视频讲解【jiě】

怎么用万用表测量mos管的好坏?

以N沟道MOS场效应管5N60C为【wéi】例，来详【xiáng】细介【jiè】绍【shào】一下具体的测量方法 。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数【shù】字万用表二极管档【dàng】正【zhèng】向测量5N60C的D-S两极
。

测量5N60C好【hǎo】坏时 ，首【shǒu】先将万用表量【liàng】程【chéng】开关调【diào】至二极管档
，将5N60C的G极悬空，用【yòng】红【hóng】黑表笔分别接触5N60C的D-S两极 ，若是【shì】好的管子
，万用表【biǎo】显示为“OL”，即溢出【chū】（见上图【tú】）。

3.用【yòng】数【shù】字【zì】万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极 。

然后调换红【hóng】黑表笔 ，再去【qù】测【cè】量D-S两极
，则【zé】万用表显示的读数为一个【gè】硅二极管【guǎn】的正向压降（见【jiàn】上图）
。

若MOS场【chǎng】效应管内【nèi】部D-S两极之间的【de】寄生二极管击穿损坏，用二极管档【dàng】测量时 ，万用表显示的读数【shù】接【jiē】近【jìn】于【yú】零【líng】。

4.用万用表【biǎo】的二极管【guǎn】档给5N60C栅源两【liǎng】极（G-S两【liǎng】极）之间的电容充电 。对于N沟道【dào】MOS场效应【yīng】管【guǎn】充【chōng】电时，红表笔应接管子的G极【jí】
，黑表笔接管子的【de】S极
。

在测【cè】量完5N60C的D-S两【liǎng】极，并且确实是好的之后 ，然【rán】后用【yòng】二极管档给MOS场效应管【guǎn】的栅源两极【jí】之间的【de】电容充电。

由【yóu】于MOS场效应管的输入电阻在GΩ级【jí】（GΩ读作吉欧
，1GΩ＝1000MΩ），数字万用表二极管档的开【kāi】路【lù】测量电压约【yuē】为2.8～3V ，故用【yòng】二极管档的测量【liàng】电压给【gěi】MOS场效应管的栅源两极之间的电容【róng】充电后
，可【kě】以使MOS场效应管D-S两【liǎng】极之【zhī】间的电阻变得【dé】很小，故用这【zhè】个方法可以【yǐ】测量场效应管G-S两极之【zhī】间【jiān】是否损坏 。

5.5N60C的G-S两极间的【de】电【diàn】容充电【diàn】后 ，用电阻档实测D-S两极之间的正向【xiàng】电阻【zǔ】为【wéi】155.4Ω。

6.用万用表【biǎo】电阻档实【shí】测5N60C的【de】D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω
。

上面为一【yī】个好【hǎo】的N沟道MOS场效应管【guǎn】的测量数【shù】据。对于P沟道MOS场效应管的测【cè】量方法与上述测量【liàng】一样
，只是【shì】万用表表【biǎo】笔需要调换一【yī】下【xià】极性 。

扩展资料：

mos管【guǎn】是金属(metal)—氧化物【wù】(oxide)—半【bàn】导【dǎo】体(semiconductor)场效应晶体管，或者【zhě】称是金属—绝缘【yuán】体(insulator)—半导【dǎo】体
。MOS管的【de】source和drain是可【kě】以对调的【de】 ，他们都是在P型【xíng】backgate中【zhōng】形【xíng】成【chéng】的N型区。在多【duō】数【shù】情况下
，这个两个区是一样的，即【jí】使两端对调也不会影响器件的性能 。这样的器【qì】件被认为是对称的
。

场效应管【guǎn】（FET） ，把输入电【diàn】压的变【biàn】化转化为输【shū】出电【diàn】流的【de】变化【huà】。FET的增【zēng】益等于【yú】它【tā】的transconductance，定义为【wéi】输出电流的变化和输入电压【yā】变化之比 。市面上常有的一【yī】般为N沟道和P沟道
，详情参考右侧图片（N沟【gōu】道耗尽【jìn】型MOS管）
。而P沟【gōu】道常【cháng】见的为低【dī】压mos管。

场效应管通过投影【yǐng】一个电场在一个绝缘【yuán】层【céng】上来影响【xiǎng】流过晶体管【guǎn】的电流 。事实上没有电流流过【guò】这个绝缘【yuán】体，所以FET管【guǎn】的GATE电流非常【cháng】小
。

最普通的FET用一【yī】薄层二氧化硅来作为【wéi】GATE极下【xià】的绝缘体。这种晶体【tǐ】管称为【wéi】金属氧化物半导体(MOS)晶体管 ，或,金属氧化物半【bàn】导体场效应【yīng】管（MOSFET） 。因为MOS管更小【xiǎo】更省【shěng】电
，所以【yǐ】他们已【yǐ】经【jīng】在很多应用场【chǎng】合取【qǔ】代【dài】了双极型【xíng】晶体管。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚四脚mos管怎么测试好坏视频的方法：以N沟道MOS场效应管为例
。

一、先确定MOS管的引脚：

1 、先对MOS管放电，将三个脚短路即可四脚mos管怎么测试好坏视频；

1
、首先找【zhǎo】出场效应管的【de】D极【jí】（漏极【jí】）。对于TO-252、TO-220这类封装的【de】带有散热片【piàn】的场效应管 ，它们的【de】散热片【piàn】在内部是与管子的D极相【xiàng】连的【de】
，故四脚mos管怎么测试好坏视频我们可【kě】用数【shù】字万用表的二极管档【dàng】测量管子的各【gè】个引脚【jiǎo】，哪个引脚与散热【rè】片相【xiàng】连 ，哪个引脚就是【shì】D极 。

2 、找到D极后
，将万用表调至二极管档四脚mos管怎么测试好坏视频；

3
、用黑表笔接触管子的D极【jí】，用红【hóng】表笔分别接触管子的另【lìng】外两个引脚
。若接触【chù】到【dào】某个引脚时【shí】 ，万用表【biǎo】显【xiǎn】示的【de】读【dú】数为一个硅二极管的正向压降【jiàng】
，那【nà】么该引脚【jiǎo】即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。

二、MOS管好坏的测量：

1 、当把红表笔放在【zài】S极上【shàng】 ，黑表笔放在D极上，可以【yǐ】测出来这个【gè】导【dǎo】通【tōng】压【yā】降
，一般在0.5 V左右为【wéi】正常四脚mos管怎么测试好坏视频；

2
、G脚测量，需要先【xiān】对【duì】G极充下电【diàn】 ，把红表【biǎo】笔放在G极
，黑表笔放在S极；

3、再次把【bǎ】红表笔【bǐ】放在S极【jí】上，黑【hēi】表笔放在D极上 ，可以测【cè】出来这个放大压降【jiàng】
，一般在0.3 V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1 、开启电压VT

开启【qǐ】电压（又【yòu】称【chēng】阈值电压）：使得源极S和【hé】漏极D之间开始形成导电【diàn】沟【gōu】道所【suǒ】需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进 ，可以使MOS管的VT值降【jiàng】到2～3V 。

2、 直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω
。

3.
、漏源击穿电压BVDS

在【zài】VAH=0（增强型【xíng】）的条件【jiàn】下 
，在【zài】增加漏源电压过程中使ID开始【shǐ】剧增时的VDS称为漏【lòu】源击穿电【diàn】压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些【xiē】MOS管中【zhōng】，其沟【gōu】道长度较短 ，不断增加VDS会使漏区【qū】的耗尽层一直扩【kuò】展【zhǎn】到源【yuán】区
，使沟道长【zhǎng】度为零，即产生【shēng】漏源【yuán】间的穿通 ，穿通后，源区中的多数载流子
，将直接【jiē】受【shòu】耗尽层电场的吸引，到【dào】达漏【lòu】区 ，产生大的ID。

4、栅源击穿电压BVAH

在增【zēng】加栅源电压过【guò】程【chéng】中
，使栅极电流IG由零开始剧增【zēng】时的【de】VAH，称为栅源击穿电压BVAH 。

5 、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条【tiáo】件下【xià】  ，漏极电流的微变量和【hé】引【yǐn】起这个变化【huà】的栅源【yuán】电【diàn】压微变量之比【bǐ】称为跨导【dǎo】；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6
、导通电阻RON

导通【tōng】电【diàn】阻RON说明了【le】VDS对ID的影【yǐng】响 ，是漏极特性某一点切【qiē】线的【de】斜率的倒数

在饱【bǎo】和区 ，ID几乎不随VDS改变
，RON的数值【zhí】很【hěn】大，一般【bān】在几十千欧【ōu】到几百千欧【ōu】之间

由于【yú】在数字电路中  ，MOS管【guǎn】导【dǎo】通时经常工作在【zài】VDS=0的状态下
，所以【yǐ】这时的导通电阻RON可用原点【diǎn】的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三【sān】个电极之间都存在【zài】着极间电容：栅源电容CAH  、栅漏电【diàn】容CGD和【hé】漏【lòu】源电容CDS

CAH和CGD约为【wéi】1～3pF ，CDS约在0.1～1pF之间

8
、低频噪声系数NF

噪声是由管子内【nèi】部载流子运动的不规则性所【suǒ】引起的
。·由于它的存在，就【jiù】使一【yī】个放大器【qì】即便在【zài】没有信号输人时【shí】
，在【zài】输出端也出现不【bú】规则的电压或电流变化【huà】

噪声性能的大【dà】小通【tōng】常用噪声系数NF来表示，它的【de】单位为分贝（dB）。这个数值越小 ，代表管子所产生的噪【zào】声【shēng】越【yuè】小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声【shēng】系【xì】数约为几【jǐ】个分贝
，它比双极性【xìng】三极管的要【yào】小

mos管怎么测试好坏

用万能表检测mos管好坏的方法：

将【jiāng】万用表两【liǎng】个表笔分别搭接在其他两个【gè】极：给B极与【yǔ】任意一个极接一个【gè】10千【qiān】欧【ōu】姆【mǔ】电【diàn】阻，电阻先不要【yào】接上【shàng】 ，把表笔【bǐ】分别【bié】放在【zài】两级
，电阻这时再接【jiē】触，指针摆动【dòng】越大【dà】证明该管子放大系数就越大 ，也就是说该【gāi】管子就越好
，反之越【yuè】差 。

接【jiē】电阻的那一端为C极；若是红表【biǎo】笔为P管，黑表【biǎo】笔为N管
。凡是不符合以上测量数【shù】据的三极【jí】管【guǎn】都是坏的。

万用表的相关要求规定：

1、指针表读取精度较差 ，但指针摆动的过【guò】程比较直观【guān】
，其摆动【dòng】速度幅度有时也能比较客观地反映【yìng】了被测量的【de】大小【xiǎo】（比如测【cè】电视机数据总【zǒng】线【xiàn】(SDL)在传【chuán】送数据时的【de】轻微抖动）；数字【zì】表读数【shù】直观【guān】，但数【shù】字变化的过程看起来很杂【zá】乱 ，不【bú】太容易观看 。

2 、数字【zì】万用表的准确度是测量结【jié】果中【zhōng】系统误差与随机误差的综合。它表示测量【liàng】值【zhí】与真值【zhí】的【de】一致程度，也反映测量【liàng】误差【chà】的【de】大小
。一【yī】般讲准确度愈高【gāo】
，测量【liàng】误差【chà】就愈小，反之亦然。

3
、指针表内一【yī】般有两块电池 ，一【yī】块低电压【yā】的1.5V,一【yī】块是【shì】高电压的【de】9V或15V,其黑表笔【bǐ】相对红【hóng】表笔【bǐ】来说是正端 。数字表则常用一块6V或9V的电池【chí】
。在电阻档【dàng】
，指针表的表笔【bǐ】输出【chū】电流相对数字表来【lái】说要大很多【duō】，用R×1Ω档可【kě】以使扬声器发出响亮【liàng】的“哒 ”声【shēng】 ，用R×10kΩ档甚至可以点亮发光二极管。

MOS管怎么【me】检测【cè】踏实好坏【huài】 ，怎么判断真假
，求高手指点

用一【yī】般【bān】指针表R*10K挡不但能【néng】测【cè】出好坏还能【néng】测出大致性能但要注意以下几点【diǎn】

1，有些MOS管在【zài】D、S  ， G 、S二极间接有反向【xiàng】二极管必需加以区【qū】别如二【èr】极正反向【xiàng】均通则【zé】必坏无疑 。故【gù】能以该法找出【chū】S极

2
，如【rú】表笔【bǐ】接DS二【èr】极并【bìng】极性对应以手【shǒu】指【zhǐ】接触黑表棒及G极【jí】可见管子导通当手指离开【kāi】还可维侍导通数【shù】秒(以上抗指N增强型【xíng】)
。

3，如以元珠笔等【děng】塑料摩【mó】擦【cā】头发使【shǐ】之带电靠近G极也有如此反【fǎn】应
、但切勿接触有击穿G极之可能【néng】。

MOS管如何检测其是否烧坏了？谢谢回答

测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点四脚mos管怎么测试好坏视频 ，测试时选择欧姆R×10K档四脚mos管怎么测试好坏视频，这时电压可达10.5V四脚mos管怎么测试好坏视频
，红笔是负电位，黑笔是正电位 。

测试步骤四脚mos管怎么测试好坏视频：

MOS管四脚mos管怎么测试好坏视频的检【jiǎn】测主要是判断MOS管【guǎn】漏【lòu】电【diàn】、短路 、断路、放大
。其步骤【zhòu】如下：

1
、把【bǎ】红【hóng】笔接到MOS的源极S上 ，黑笔接到【dào】MOS管的漏【lòu】极上
，好的【de】表针【zhēn】指示【shì】应该是无穷大。如果有阻【zǔ】值没被测MOS管有漏电现象 。

2、用一【yī】只100KΩ－200KΩ的【de】电阻连【lián】在栅极和【hé】源【yuán】极上，然后把红笔【bǐ】接到MOS的源【yuán】极【jí】S上 ，黑笔接到MOS管的漏极上
，这时表【biǎo】针指示【shì】的【de】值一【yī】般是0，这时是下电【diàn】荷通【tōng】过这个电阻对MOS管的栅极充电【diàn】 ，产生栅极电场【chǎng】
，由于【yú】电场【chǎng】产生【shēng】导致导电沟道致使【shǐ】漏极和源极导通，故万用【yòng】表指针偏转【zhuǎn】 ，偏转的角度大
，放电【diàn】性越好
。

3 、把连【lián】接栅极和源极的电阻移开【kāi】，万用表【biǎo】红黑笔【bǐ】不变 ，如果移开电【diàn】阻后表针【zhēn】慢慢逐步退回【huí】到【dào】高阻或无【wú】穷大，则MOS管漏电
，不变则【zé】完好。

4
、然后【hòu】一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返【fǎn】回无【wú】穷大 ，则MOS完好 。

电路中MOS管的好坏该如何判断？

一.红左
，黑中、右无穷大黑左，红【hóng】中 、右【yòu】无【wú】穷【qióng】大红【hóng】中 ，黑右无穷大；黑【hēi】中红右【yòu】显示530（左右）。其实场【chǎng】效应管三极管很好判断四脚mos管怎么测试好坏视频：有字面【miàn】朝【cháo】上从左到【dào】右依次为：G
、D、S
，有些管相反：S 、D
、G
。我修显示器、主板 、电源都是【shì】从上面的方法测【cè】绝对没问【wèn】题【tí】。四脚mos管怎么测试好坏视频你不信随便拆块板看一看，场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测 。

二．1判别各电极与管型
。用万用表R×100档 ，测量【liàng】场效应【yīng】晶体管任意两引脚【jiǎo】之间的正
、反向电阻【zǔ】值。其中【zhōng】一次测【cè】量中两引脚的电阻值为【wéi】数百欧姆
，这时两表笔所接的【de】引【yǐn】脚为源极S和【hé】漏极D，而另一引脚为栅极【jí】G 。再用【yòng】万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之【zhī】间的正、反向【xiàng】电阻值
。正常时 ，正向电阻值为2kΩ左右
，反向电阻值【zhí】大于【yú】500kΩ。在测量反向电阻【zǔ】值【zhí】时【shí】，红表【biǎo】笔所接【jiē】引【yǐn】脚不动【dòng】 ，黑表笔脱离所接引【yǐn】脚后，先与栅【shān】极G触碰一下
，然后再去接原引【yǐn】脚，观【guān】察万用表读数【shù】的变【biàn】化情况 。若万【wàn】用【yòng】表读数由原来较【jiào】大阻值变为0 ，则此红表笔所接的【de】即【jí】是源极S
，黑表笔【bǐ】所接【jiē】为漏极D
。用黑表笔触发栅极G有效，说【shuō】明该【gāi】管为N沟道【dào】场效应管。若万用表读【dú】数仍为较大值 ，则黑表笔接【jiē】回原引脚不【bú】变
，改用【yòng】红表笔【bǐ】去触【chù】碰【pèng】栅极G后再接回原引脚，若此时万用【yòng】表读数由【yóu】原来阻值较大变【biàn】为0 ，则【zé】此时【shí】黑表笔接的为源极S
，红表笔接的是【shì】漏极D 。用表【biǎo】红笔【bǐ】触发栅极G有效，说明【míng】该管为P沟道场【chǎng】效应晶体管
。

2．判别其好【hǎo】坏。用万用表R×1k档【dàng】或R×10k档 ，测【cè】量场效应【yīng】管任意两脚之间的正 、反向电阻值 。正常时
，除漏极与【yǔ】源极【jí】的正向【xiàng】电【diàn】阻值【zhí】较小外，其余各引脚之间（G与D、G与【yǔ】S）的正
、反向电【diàn】阻值均应为无穷大。若【ruò】测得某两极之间的电阻值接近【jìn】0Ω ，则说明该管【guǎn】已击穿【chuān】损坏【huài】
。另【lìng】外，还可以用触发栅极【jí】（P沟道场效应【yīng】晶【jīng】体管用红表笔触发
，N沟道场效应【yīng】管用【yòng】黑表笔触发【fā】）的方法【fǎ】来判断场应【yīng】管是否【fǒu】损坏。若【ruò】触【chù】发【fā】有效【xiào】（触发栅极【jí】G后，D、S极之间的【de】正【zhèng】 、反向电阻均变为0） ，则【zé】可【kě】确【què】定该管性能良好 。用吧三【sān】,1用10K档,内【nèi】有【yǒu】15伏【fú】电池.可【kě】提供导通电压【yā】.2因为栅极【jí】等效于电容【róng】,与任何脚不通,不论N管或【huò】P管都很容【róng】易找出栅极来,否则是坏管.3利用表【biǎo】笔对栅源间【jiān】正向或反向充电,可使漏源通或断,且由【yóu】于栅极上电荷能【néng】保持,上述【shù】两【liǎng】步可分先后,不必同步,方便.但要放电时【shí】需短路管脚或【huò】反【fǎn】充.4大都源漏间有反并二极管,应注意【yì】,及帮【bāng】助【zhù】判断.5大【dà】都封庄为字面对自已时,左栅中漏【lòu】右源
。

根据客户要求的不同
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