4脚mos管测好坏_四脚mos管怎么测试好坏

怎么用万用表测量mos管的好坏?

以N沟道MOS场效应管5N60C为例4脚mos管测好坏 ，来详细介绍一下具体4脚mos管测好坏的测量方法。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用【yòng】数字万用表二极【jí】管档正向【xiàng】测量5N60C的D-S两极 。

测量5N60C好坏时【shí】
，首先将万【wàn】用表量程开关【guān】调至二【èr】极管档，将5N60C的G极悬空 ，用红【hóng】黑【hēi】表笔【bǐ】分别接触5N60C的D-S两极
，若是好的管子，万用表显【xiǎn】示为“OL” ，即溢出【chū】（见上图【tú】）
。

3.用数字万用【yòng】表二极【jí】管【guǎn】档反【fǎn】向测量5N60C的D-S两极。

然【rán】后调换红黑【hēi】表笔
，再去测量【liàng】D-S两【liǎng】极【jí】，则万用表【biǎo】显【xiǎn】示的读数为一个硅二极管的正向压降（见【jiàn】上图【tú】） 。

若MOS场效应管内部【bù】D-S两极之间【jiān】的寄生二极管击穿【chuān】损【sǔn】坏【huài】 ，用二极管档测量时，万【wàn】用【yòng】表显示的读数接近于【yú】零
。

4.用万【wàn】用【yòng】表的【de】二【èr】极管【guǎn】档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间【jiān】的电容充电。对于N沟道MOS场效应管充电时
，红表笔应接管子的G极，黑【hēi】表笔接管子的S极 。

在测量完5N60C的D-S两极 ，并且确实是好的之【zhī】后【hòu】
，然后用二极【jí】管【guǎn】档给MOS场效【xiào】应【yīng】管的栅源两【liǎng】极之间的电容充【chōng】电
。

由于MOS场【chǎng】效应管的输入【rù】电阻【zǔ】在GΩ级（GΩ读作吉欧【ōu】，1GΩ＝1000MΩ） ，数字【zì】万用表二极管【guǎn】档的开【kāi】路测量电压约为2.8～3V
，故用二极管【guǎn】档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极【jí】之间的电容充电后，可以使MOS场效应管D-S两极【jí】之间的电【diàn】阻变得很小 ，故用【yòng】这个方【fāng】法可以测量场效【xiào】应【yīng】管【guǎn】G-S两极之【zhī】间【jiān】是否【fǒu】损坏。

5.5N60C的G-S两【liǎng】极间的【de】电容充【chōng】电后
，用【yòng】电阻档【dàng】实测D-S两极之间的正向电【diàn】阻为155.4Ω 。

6.用万用【yòng】表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的【de】反向电【diàn】阻为67.2Ω。

上【shàng】面为一个好的N沟【gōu】道MOS场【chǎng】效应管的测量【liàng】数据【jù】
。对【duì】于P沟道MOS场【chǎng】效应管的测【cè】量方法与上述测量一样，只是万用表表笔需要调换一下【xià】极性【xìng】。

扩展资料：

mos管是金【jīn】属【shǔ】(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应【yīng】晶体管 ，或者称【chēng】是金属—绝缘体(insulator)—半导体 。MOS管【guǎn】的source和drain是可以对调【diào】的
，4脚mos管测好坏他们都是在P型backgate中形【xíng】成的N型区【qū】
。在多数情【qíng】况下【xià】，这个两个区【qū】是一样的 ，即使两端对调也不会影响器件的性能。这【zhè】样的器件被认【rèn】为是对【duì】称的 。

场效应管（FET），把输【shū】入电【diàn】压的【de】变化转化为输出【chū】电流的【de】变化
。FET的增益等【děng】于它【tā】的transconductance
，定义为输出【chū】电流【liú】的变化和输入电压【yā】变化【huà】之比。市【shì】面上常有的一般【bān】为【wéi】N沟道和P沟道，详【xiáng】情参【cān】考【kǎo】右侧图片（N沟道耗尽型MOS管） 。而P沟道常见的【de】为低压mos管
。

场效应管通过投影一个电【diàn】场在一个【gè】绝缘层上来影响流过晶体管的电【diàn】流。事实上【shàng】没有电流流过【guò】这个绝【jué】缘体 ，所【suǒ】以【yǐ】FET管的GATE电【diàn】流非【fēi】常小 。

最普通的FET用一薄层二【èr】氧化【huà】硅【guī】来作为GATE极下的绝【jué】缘体
。这种晶体管称【chēng】为【wéi】金【jīn】属氧化物半导体(MOS)晶体管
，或,金属氧化物【wù】半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经【jīng】在很多应用场合【hé】取代了双极型晶体【tǐ】管 。

请问使用万用表如何检测MOS管好坏

万用表检测MOS管好坏的简便方法

1.用【yòng】黑表笔【bǐ】接在【zài】D极上 ，红表【biǎo】笔接在S极上
，一般有一个500-600的阻【zǔ】值

2.在黑【hēi】表笔不动的前【qián】提下，用红【hóng】表笔点一下【xià】G极 ，然后再用红【hóng】表笔测S极
，就会出【chū】现导通

3.红【hóng】表笔接D极，黑表笔点一下G极【jí】后再接S极 ，测得的阻值【zhí】和1测的【de】是【shì】一【yī】样【yàng】的则说明MOS管工作正常

MOS管如何检测其是否烧坏了？谢谢回答

测试【shì】MOS好坏【huài】只【zhī】能用指针式【shì】万用表才方【fāng】便点【diǎn】
，测试时选择欧姆R×10K档，这时电压可达10.5V ，红【hóng】笔【bǐ】是负电【diàn】位，黑【hēi】笔是正电位。

测试步骤：

MOS管的检测主要【yào】是判断MOS管漏电、短【duǎn】路 、断【duàn】路
、放大
。其步骤如【rú】下【xià】：

1、把红【hóng】笔接到MOS的源【yuán】极【jí】S上
，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该【gāi】是无穷【qióng】大。如【rú】果【guǒ】有阻值没被测MOS管有【yǒu】漏电现象 。

2 、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上 ，然后【hòu】把红笔接到MOS的源极S上
，黑笔【bǐ】接到【dào】MOS管的漏极上，这时表针【zhēn】指【zhǐ】示的值一般是0 ，这时是下【xià】电【diàn】荷通过这个电阻对MOS管的栅【shān】极充电
，产生栅极电场，由于【yú】电场【chǎng】产【chǎn】生导致导【dǎo】电【diàn】沟道【dào】致使漏极和源极【jí】导通 ，故万【wàn】用表指针偏转
，偏【piān】转的角【jiǎo】度大【dà】，放电性越好
。

3
、把连接栅极【jí】和源【yuán】极的电阻【zǔ】移开 ，万用表红黑笔不变
，如【rú】果移开电阻【zǔ】后【hòu】表针慢慢逐步退回到高阻或【huò】无穷大，则MOS管漏【lòu】电 ，不变则完好【hǎo】。

4、然后一根【gēn】导【dǎo】线把MOS管的栅【shān】极和【hé】源【yuán】极连接【jiē】起来，如果指【zhǐ】针立即返回无穷大
，则MOS完好 。

电路中MOS管的好坏该如何判断？

一.红左，黑中 、右【yòu】无穷大黑左 ，红中
、右无穷大红中【zhōng】
，黑右无穷大；黑中红右显【xiǎn】示530（左右）
。其实【shí】场【chǎng】效应管三极管很好判断：有字面【miàn】朝上从左到【dào】右【yòu】依次为【wéi】：G、D 、S，有些管相反【fǎn】：S、D
、G。我【wǒ】修显示【shì】器、主板 、电【diàn】源【yuán】都是从【cóng】上面的方【fāng】法【fǎ】测绝对没问题【tí】 。你不信随便【biàn】拆块板【bǎn】看一看 ，场效应管在电路图板的【de】布局及【jí】应VMOS大【dà】功率场效应晶体管的检测
。

二．1判别各【gè】电极与管型。用【yòng】万【wàn】用表R×100档【dàng】
，测量场效应晶体管任意两引脚之间【jiān】的正
、反向电【diàn】阻值 。其【qí】中一【yī】次测量中两引脚【jiǎo】的电阻值为数百欧姆，这【zhè】时两表笔所【suǒ】接的【de】引脚为源极S和漏极D ，而另一引脚为栅极G
。再用万用表R×10k档测量【liàng】两引脚（漏极D与源【yuán】极S）之间的正、反【fǎn】向电阻值。正常【cháng】时
，正向【xiàng】电阻值【zhí】为2kΩ左【zuǒ】右，反向【xiàng】电【diàn】阻值大于【yú】500kΩ 。在测量反向电阻值时 ，红表笔所接引脚不动【dòng】
，黑表笔脱离【lí】所接引脚后，先与栅极G触【chù】碰【pèng】一下【xià】 ，然后再去【qù】接原引脚，观【guān】察万用表读数【shù】的【de】变【biàn】化情【qíng】况。若万用表读数由原来较大阻值【zhí】变为0
，则此【cǐ】红表笔所接的【de】即【jí】是源极S，黑表【biǎo】笔所【suǒ】接为漏极D
。用黑表笔触发栅极G有效 ，说明【míng】该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍【réng】为较大【dà】值
，则黑表【biǎo】笔接回原引【yǐn】脚不【bú】变，改用红表【biǎo】笔去触碰栅极G后再接回原引脚 ，若此【cǐ】时【shí】万用表读【dú】数由原来阻【zǔ】值较大变为0
，则此时黑【hēi】表【biǎo】笔接【jiē】的为源【yuán】极【jí】S，红表【biǎo】笔接的是漏【lòu】极【jí】D 。用表红笔触发栅极G有【yǒu】效 ，说明该管【guǎn】为【wéi】P沟道场效【xiào】应晶体管【guǎn】
。

2．判别其好【hǎo】坏。用万用【yòng】表【biǎo】R×1k档或R×10k档
，测量场效应【yīng】管任意两脚之间的正 、反向【xiàng】电阻值 。正常时，除【chú】漏【lòu】极与源【yuán】极的【de】正向电阻值较小外 ，其余【yú】各引脚之间（G与【yǔ】D
、G与S）的正、反【fǎn】向【xiàng】电阻值均应为无穷大
。若【ruò】测得某两极之间【jiān】的电【diàn】阻【zǔ】值接近0Ω
，则说【shuō】明该管已击穿损坏【huài】。另外，还可【kě】以用触发栅极【jí】（P沟道场效应晶体【tǐ】管用红表笔触【chù】发 ，N沟道场效应【yīng】管用黑表【biǎo】笔触发）的方法来【lái】判断场【chǎng】应管是否损坏 。若【ruò】触发有效（触【chù】发栅极G后，D 、S极【jí】之间的正
、反向电阻均变为0）
，则可确【què】定该管性能良【liáng】好【hǎo】
。用吧三,1用10K档【dàng】,内有15伏电池.可提供导通电【diàn】压【yā】.2因为栅极【jí】等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很【hěn】容易找出栅极【jí】来【lái】,否则是坏管【guǎn】.3利用表笔对栅源间正向或反向【xiàng】充电,可使漏源通或断,且由于【yú】栅【shān】极【jí】上电荷能保持【chí】,上述两步可分【fèn】先【xiān】后【hòu】,不必同步,方便.但要放电时需短路【lù】管脚或反充【chōng】.4大都源漏间有反并二极管,应【yīng】注意,及帮助判断.5大都【dōu】封庄为字【zì】面对自已时,左栅中漏右【yòu】源。

电动车控制器MOS管如何检测好坏

首先,断开控制器与电源连接，把控制器【qì】粗黑【hēi】线与粗红线碰接短路 ，这【zhè】样做的目的是放完【wán】内部【bù】电【diàn】容余电 。

然后
，把三【sān】根粗【cū】黄线对粗黑碰线短【duǎn】接【jiē】，目的同【tóng】上
。一定要放电后再进行测量。这三根粗黄线实际上是三根【gēn】相【xiàng】线【xiàn】 。

做完以上【shàng】准备工作后 ，按以下三个步骤操【cāo】作【zuò】
，即可判断【duàn】控制器好【hǎo】坏。

第一步：将万用表置于二极管【guǎn】档测量，用红表笔接控制器【qì】负极 ，黑【hēi】表【biǎo】笔依次测量【liàng】控制【zhì】器主线中的黄、绿 、蓝线
，读数约在500左右（数字万用【yòng】表【biǎo】），三次【cì】读数【shù】应【yīng】基本一致
。

第二步：用万用【yòng】表黑表笔接控【kòng】制器正极 ，红表笔依次接【jiē】控【kòng】制器主线【xiàn】黄
、绿、蓝线
，读数约在500左右【yòu】，三次【cì】读数应基本一【yī】致

第【dì】三【sān】步：如果第【dì】一 、二步的测量正常【cháng】 ，则表示无刷控制器基本正常【cháng】，把控制器与【yǔ】车体线【xiàn】路正常连接
，接通电源，拔掉制动线 ，用万用表电压档【dàng】测量转把5V电压是【shì】否【fǒu】正【zhèng】常。

若以上测试正常
，表示【shì】控制器基本【běn】正【zhèng】常，否则可【kě】判定控制器损坏 。

扩展资料

电动车控制器的作用

1、驱动电机旋转
。

2
、在转把的控制下改变电机驱动电流 ，从而实现电机速度的调整。

3、在闸把（刹把【bǎ】）的【de】控制【zhì】下切断输出电【diàn】流
，实现刹车控制 。

4 、对蓄电池电【diàn】压进行检测，在蓄电池存储【chǔ】的电压接【jiē】近【jìn】“放电终止电压 ”时 ，通过控制【zhì】器面板（或仪表显示盘）来显示【shì】电量不【bú】足；提醒骑行者调整自己的【de】行程【chéng】
，当达【dá】到终止电压时，通过取【qǔ】样电【diàn】阻将该信【xìn】号送到比较器 ，由电路输出保护信号【hào】
，致使
、保【bǎo】护电路按【àn】预先【xiān】设定的【de】程序发【fā】出指令，切断电流【liú】以保护充电器和【hé】蓄电池
。

5、过流保护 ，电流【liú】过【guò】大【dà】时过【guò】流【liú】保护电路动作，使电机停转
，避免过流给电机和控【kòng】制【zhì】器带来【lái】危害。另【lìng】外，部分控制器【qì】还具有【yǒu】防飞车保护 、巡行限速等功能 。

MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚？

用数字【zì】万用表【biǎo】测量MOS管好坏【huài】及引脚【jiǎo】的方【fāng】法：以N沟道MOS场【chǎng】效应管为例
。

一
、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电 ，将三个脚短路即可；

1 、首【shǒu】先找出【chū】场效应管的D极【jí】（漏极【jí】）。对【duì】于TO-252
、TO-220这类封装的带有【yǒu】散热片【piàn】的场效应管
，它们【men】的散热片在内部是【shì】与管子的D极相连的，故我们可用数字【zì】万用表【biǎo】的二极管档【dàng】测量【liàng】管子的各个引脚 ，哪【nǎ】个引脚与散热片相连
，哪【nǎ】个引脚【jiǎo】就是D极 。

2、找到D极后，将万用表调至二极管档；

3 、用黑表笔接触管子【zǐ】的D极【jí】 ，用红表笔分【fèn】别接触【chù】管子【zǐ】的另外两个引脚【jiǎo】
。若接触到某个引脚时
，万【wàn】用表显【xiǎn】示的读【dú】数为一个硅二【èr】极管的正向压降，那【nà】么该引脚即为S极（源极） ，剩下的那【nà】个引脚【jiǎo】即【jí】为【wéi】G极（栅极）。

二
、MOS管好坏的测量：

1、当【dāng】把红表【biǎo】笔放在S极上
，黑【hēi】表【biǎo】笔放在D极上，可以测出来这【zhè】个导通【tōng】压【yā】降 ，一般在0.5V左【zuǒ】右为正常；

2 、G脚测量，需要先对G极充下电【diàn】
，把红【hóng】表笔【bǐ】放在G极，黑表笔放在S极【jí】；

3、再次把【bǎ】红表笔放在S极上 ，黑表笔【bǐ】放在D极上
，可以测出来这个放【fàng】大压降【jiàng】，一般在0.3V左右为【wéi】正【zhèng】常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1
、开启电压VT

开启电【diàn】压（又称阈值【zhí】电压）：使得源极S和漏极D之间【jiān】开始【shǐ】形【xíng】成导电沟道所需的栅极电【diàn】压【yā】；

标准的N沟道【dào】MOS管 ，VT约为3～6V；通过【guò】工艺上的改进
，可以使【shǐ】MOS管【guǎn】的VT值降到【dào】2～3V 。

2、直流输入电阻RAH

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RAH可以很容易地超过1010Ω。

3. 、漏源击穿电压BVDS

在【zài】VAH=0（增强【qiáng】型）的条件下【xià】，在增加漏源电【diàn】压【yā】过【guò】程中使ID开始剧增时的VDS称为漏【lòu】源【yuán】击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些【xiē】MOS管【guǎn】中【zhōng】 ，其沟道长度较【jiào】短
，不断增加VDS会使【shǐ】漏区的耗尽层一【yī】直扩展【zhǎn】到源【yuán】区，使沟【gōu】道长【zhǎng】度为零 ，即产生漏【lòu】源间的穿通
，穿通后，源区中的【de】多数载流子 ，将直【zhí】接【jiē】受耗【hào】尽层【céng】电场的吸引，到达漏区
，产生大的ID
。

4
、栅源击穿电压BVAH

在增加栅【shān】源电压过程中，使栅极电流【liú】IG由零【líng】开始【shǐ】剧【jù】增时的VAH ，称为栅源击穿电压BVAH。

5、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条【tiáo】件下
，漏极电流的微变【biàn】量和【hé】引【yǐn】起这个【gè】变【biàn】化【huà】的栅源电压【yā】微变量之比称为跨导；

gm反映【yìng】了【le】栅源电压对漏极电【diàn】流的【de】控【kòng】制能【néng】力，是表征MOS管放大能力的一【yī】个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6 、导通电阻RON

导通电阻RON说明【míng】了VDS对ID的【de】影响 ，是【shì】漏极特性【xìng】某一点切线的斜率的倒数【shù】

在饱【bǎo】和【hé】区
，ID几【jǐ】乎【hū】不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几【jǐ】十【shí】千欧【ōu】到几百千欧之间

由于【yú】在数字【zì】电路【lù】中
，MOS管导【dǎo】通时经【jīng】常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通【tōng】电阻RON可用原点的RON来近【jìn】似

·对一般的MOS管而言 ，RON的数值在几百欧以内

7
、极间电容

三个电极之【zhī】间都存【cún】在着极间电容【róng】：栅源电容CAH、栅【shān】漏电容CGD和漏源电【diàn】容CDS

CAH和CGD约为1～3pF
，CDS约在0.1～1pF之间

8 、低频噪声系数NF

噪声是由管【guǎn】子内部载流子运动【dòng】的不规【guī】则性所【suǒ】引起的 。·由于它的存在，就使【shǐ】一个【gè】放大器即【jí】便在【zài】没有信号【hào】输人时【shí】 ，在输出端也出现不规则【zé】的电压或【huò】电流变化

噪声【shēng】性【xìng】能的大【dà】小通常用【yòng】噪声系数【shù】NF来表示，它的单位【wèi】为分贝（dB）
。这个数值越小
，代表管子所产生【shēng】的噪声越小【xiǎo】

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应【yīng】管【guǎn】的噪【zào】声系数约为几个【gè】分贝，它比双极性三极管的要小【xiǎo】

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