MOS管的工作原理目前主【zhǔ】板或显【xiǎn】卡上使【shǐ】用的【de】MOS管并不太多，一般有10个左【zuǒ】右【yòu】。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管【guǎn】主要为配件提供稳定的电压，所以一般【bān】用在【zài】CPU、AGP插【chā】槽、内存插槽附近【jìn】。仔清其【qí】中【zhōng】，CPU和AGP插槽附【fù】近布【bù】置了【le】一组【zǔ】MOS管，而内【nèi】...
访客 2024-12-23 芯片常识 371 ℃ 2 评论 查看详细
场【chǎng】效应管（MOS）三个脚【jiǎo】怎么区分？N和P怎么区分【fèn】？场效【xiào】应管【guǎn】的栅极相【xiàng】当于【yú】晶体管的【de】基极，源极和【hé】漏极分别对应于晶体管的发射【shè】极【jí】和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分【fèn】别【bié】测量每两个管脚间的正、反向...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 152 ℃ 3 评论 查看详细
MOS管【guǎn】是什么？MOS管一般又叫场效【xiào】应【yīng】管mos管，与二极管和三极【jí】管不衡肢【zhī】同mos管，二极管只能通【tōng】过【guò】正向电流，反向【xiàng】截止【zhǐ】，不能控制，三极管通俗讲就是小【xiǎo】电流放大成受控的【de】大电流，MOS管是小电【diàn】压控制电流的。MOS管的输入电阻极大，兆欧级的【de】，容易驱动，但是价格比三极【jí】管...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 199 ℃ 3 评论 查看详细
mos管的主【zhǔ】要应用mos管是【shì】金属(metal)—氧化【huà】物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体【tǐ】管。或者称是金属—绝【jué】缘【yuán】体(insulator)—半【bàn】导体。双极【jí】型晶体管把输【shū】入端电流的微【wēi】小变【biàn】化放大后，在【zài】输出端输【shū】出一个大的电流变化。双极型【xíng】晶体管的...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 128 ℃ 2 评论 查看详细
谁能帮我【wǒ】看看【kàn】电路图上场效【xiào】应管的【de】三个引脚分别是什么？很简单的问题【tí】。场效应管与普通【tōng】三极管功能【néng】一样，三个电极对【duì】应为【wéi】：发【fā】射机---源极S，基极--栅极G，集电【diàn】极--漏极【jí】D。IRF640管脚【jiǎo】排列为（管脚朝【cháo】下、面【miàn】对型号【hào】）左起【qǐ】1脚为G，2脚为D，3脚为肆液前【qián】S。从门极【jí】向漏...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 411 ℃ 3 评论 查看详细
MOS管的三个极分别是【shì】什么？G（栅【shān】极【jí】），D（漏极）s（源及），要求栅极【jí】和源及之间电压【yā】大于某一特【tè】定值，漏极和源及才能导【dǎo】通MOS管的三个电极分别为Us=－5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此【cǐ】时【shí】的工作状算一下几【jǐ】个值就【jiù】好了【le】，UAH=6V。U...
访客 2024-12-23 芯片常识 1152 ℃ 1 评论 查看详细
MOS晶体管的作用？1、MOS场【chǎng】效肆岁【suì】芹应晶体管通常简称【chēng】为【wéi】场效应管，是雀亏一种【zhǒng】应用场效应原理【lǐ】工作的半【bàn】导体器件，2、和普【pǔ】通双极型晶体管相【xiàng】比拟，场效应管具有输入阻抗【kàng】高、噪声低、动【dòng】态范围【wéi】大、功【gōng】耗小、易【yì】于【yú】集成等【děng】裂毕特【tè】性【xìng】MOS管在开关电路的作用【yòng】MOS管在开【kāi】关电路mo...
访客 2024-12-23 芯片常识 157 ℃ 1 评论 查看详细
如【rú】何判断MOS管的【de】好坏？一.红左，黑【hēi】中、右【yòu】无穷大黑左，红【hóng】中、右无穷大红【hóng】中，黑【hēi】右无穷大；黑【hēi】中红右显示530（左右）。其实【shí】场【chǎng】效应管【guǎn】三极管【guǎn】很好判断：有字【zì】面朝上从左到【dào】右【yòu】依次为：G、D、S，有【yǒu】些管相反：S、D、G。我修显示器、主板、电源都是从上面【miàn】的【de】方法测绝对没【méi】问题。你...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 142 ℃ 2 评论 查看详细
MOSFET-P和【hé】MOSFET-N区别在那里？谢谢了MOSFET-P和MOSFET-N的区别：1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；2、为【wéi】了能【néng】正【zhèng】常工作【zuò】，NMOS管外加的【de】Vds必须【xū】是禅猜正值，开启电压VT也必须是正【zhèng】值，实际电流【liú】方向为流入漏极【jí】。...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 283 ℃ 1 评论 查看详细
MOS管【guǎn】用【yòng】数字万用表怎么测其好坏及引脚【jiǎo】？用数字【zì】万【wàn】用【yòng】表测量MOS管【guǎn】好坏及【jí】引脚的【de】方法：以【yǐ】N沟道MOS场效【xiào】应管为例。一、先确定MOS管的引脚：1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可【kě】；1、首先找出场效应管的D极（漏【lòu】极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散...
访客 2024-12-23 芯片常识 143 ℃ 1 评论 查看详细