MOS管主要参数及使用注【zhù】意【yì】事项1.选【xuǎn】用合适mos管场效应【yīng】管在使用时要注意什么的输【shū】入电【diàn】压规格;2.选择【zé】合【hé】适的功率。为mos管【guǎn】场效【xiào】应管在使用时要注意什么了使【shǐ】电源的寿【shòu】命增长mos管场效应管【guǎn】在【zài】使【shǐ】用时要注意【yì】什么，建议选用多30%输【shū】出功率额【é】定的机种。例【lì】如若【ruò】系统【tǒng】需要一个1...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 205 ℃ 3 评论 查看详细
怎样判断MOS管【guǎn】是否工作在“开关状态”mos管的放【fàng】大区就是饱和【hé】区，mos的三种状【zhuàng】态【tài】没有击穿区【qū】，是截至区，击穿区可以定义为第四种状态【tài】。哪位大神【shén】能告【gào】告我怎么分析mos管的【de】三【sān】个【gè】工作状【zhuàng】态呢？拜托估计mos管三种【zhǒng】状态你没有【yǒu】好好看过书，这个问题在模电书上写【xiě】得十【shí】分清楚【chǔ】...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 301 ℃ 1 评论 查看详细
场效应晶【jīng】体管【guǎn】的【de】分类？场【chǎng】效应管【guǎn】分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。按沟道【dào】材料型和绝缘栅【shān】型各分N沟道和P沟道两【liǎng】种；按【àn】导电方式：耗【hào】尽【jìn】型与增强型，结型场效应【yīng】管均为耗尽型，绝【jué】缘【yuán】栅型【xíng】场效应管既有耗尽型【xíng】的，也有增强型的【de】。场效应晶体管可分为结场效【xiào】应【yīng】晶体管和MOS场【chǎng】效应【yīng】晶体管，...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 99 ℃ 3 评论 查看详细
场效应管分为几种【zhǒng】？场效应管（FET）是一种电压【yā】掌握电【diàn】流器件【jiàn】。其特色是输出电【diàn】阻高，噪声系数低【dī】，受温度和辐射影响小。因此特殊运用于高敏【mǐn】锐度【dù】、低噪声电【diàn】路中。场效应管的【de】品【pǐn】种许多，按构造可分【fèn】为两大类：结型【xíng】场效【xiào】应【yīng】管（JFET）和【hé】绝缘栅【shān】型【xíng】场【chǎng】效应管（IGFET）.结型场效...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 126 ℃ 1 评论 查看详细
mos管【guǎn】是什么原【yuán】理？起什么作用？工作【zuò】原理【lǐ】：MOS管是由【yóu】加在输入端栅极【jí】的电【diàn】压来控制输【shū】出端漏极的电流。MOS管是压控器件它【tā】通过加【jiā】在栅极上的【de】电【diàn】压控制器件的特性，不会发生像三极【jí】管做开关【guān】时【shí】的因【yīn】基极电流引起的电荷【hé】存储效应，因此在开关【guān】应用【yòng】中，MOS管的开【kāi】关速度应该比三极管...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 394 ℃ 3 评论 查看详细
场效【xiào】应【yīng】管的特【tè】性是什么？1、场【chǎng】效应管是电【diàn】压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极【jí】电流【liú】）；2、场效应管【guǎn】的【de】控制输入端电流极【jí】小，因此它的【de】输入电阻（107～1012Ω）很【hěn】大【dà】。3、利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；4、组成的放大电路的电压【yā】放大系【xì】数要【yào】...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 156 ℃ 2 评论 查看详细
MOS管的引脚，G、S、D分【fèn】别代表什么【me】？G：gate栅极mos管管脚【jiǎo】判断；S：source源【yuán】极；D：drain漏【lòu】极。N沟道的电源一般【bān】接在Dmos管管脚判断【duàn】，输【shū】出S，P沟道的电源一般接在S，输【shū】出D。增强【qiáng】耗尽【jìn】接法基本一样【yàng】。无论N型【xíng】或者P型MOS管，其工作原...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 149 ℃ 3 评论 查看详细
mos场效【xiào】应管p型和n型【xíng】如【rú】何区【qū】分？MOS场效应【yīng】管分J型，增强型，耗尽型。一般来【lái】说N沟【gōu】道是导电沟道是N型半导体，P沟道是【shì】P型半【bàn】导体，然后再区分栅极压【yā】降是要正【zhèng】开启还是负【fù】开【kāi】启。mos场效应【yīng】管在【zài】金属栅【shān】极与【yǔ】沟道之间【jiān】有【yǒu】一【yī】层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电【diàn】阻。结型【xíng】场效...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 110 ℃ 3 评论 查看详细
怎么分辨场管的,GDS?MOS管的G与【yǔ】DS用万用【yòng】表【biǎo】打通断是正反接都不【bú】通，这【zhè】样可以判【pàn】断出G;D与S之间有一个PN结，市场【chǎng】上多【duō】得是N沟【gōu】道，所以测出有正向二极管特性的【de】那两只脚【jiǎo】中，正表【biǎo】笔【bǐ】接的是S极；为进【jìn】一步【bù】测【cè】试，可【kě】用万用表的红笔接【jiē】G，黑笔接S，然后将红笔接到D上，...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 248 ℃ 1 评论 查看详细
怎么用万用表测【cè】量MOS管的【de】好坏?以【yǐ】N沟道MOS场效应管5N60C为例4脚mos管测好坏【huài】，来【lái】详细介绍一下具体4脚mos管【guǎn】测好坏的测【cè】量方法。1.N沟道MOS场效应管好【hǎo】坏的测量方法2.用数字万用表二极【jí】管【guǎn】档正向测量5N60C的【de】D-S两【liǎng】极。测【cè】量5N60C好【hǎo】坏【huài】时，首【shǒu】先将...
振邦微科技 2024-12-23 芯片常识 109 ℃ 3 评论 查看详细